Відмінності між версіями «Напівпровідниковий діод»
3445118 (обговорення • внесок) |
3610213 (обговорення • внесок) |
||
(не показані 96 проміжних версій 3 учасників) | |||
Рядок 1: | Рядок 1: | ||
+ | {{Загальне меню для довідників користувача | ||
+ | |головна= Музей історії техніки | ||
+ | |категорія= Відділ астрономії, оптики та квантової фізики | ||
+ | |підкатегорія= Напівпровідниковий діод | ||
+ | }} | ||
+ | |||
Роботу виконали: | Роботу виконали: | ||
− | *[[Користувач: | + | *[[Користувач:3610213|Стрельцова Анастасія]] |
*[[Користувач:3445118|Фертюк Анна]] | *[[Користувач:3445118|Фертюк Анна]] | ||
[[Файл:Emblema-MIT.png|80px|справа]] | [[Файл:Emblema-MIT.png|80px|справа]] | ||
==Загальний опис (принцип дії)== | ==Загальний опис (принцип дії)== | ||
− | Напівпровідниковим діодом називається електроперетворювальний прилад з одним р-n-переходом і двома зовнішніми виводами від областей кристала з провідностями різного виду. | + | Напівпровідниковим діодом називається електроперетворювальний прилад з одним р-n-переходом і двома зовнішніми виводами від областей кристала з провідностями різного виду. |
− | + | Саме р-n-перехід визначає властивості, технічні характеристики та параметри будь-якого напівпровідникового діода. Корпус діода, в якому міститься кристал напівпровідника з р-n-переходом, а також інші конструктивні елементи для закріплення кристала в корпусі забезпечують експлуатаційні характеристики діода: стійкість при дії нагрівання, вологи, ударних та вібраційних навантажень тощо. <ref name="Л1">[http://bookwu.net/book_osnovi-elektroniki-ta-elektrotehniki_980/31_napivprovidnikovi-diodi Означення навіпровідникового діоду] </ref> | |
− | + | ||
==Історична довідка== | ==Історична довідка== | ||
− | Принцип роботи напівпровідникового діода відкрив у 1874 році Карл Фердинанд Браун. Перший радіоприймач з використанням кристалічного діода сконструював Ґрінліф Віттіер Пікард. Свій винахід він запатентував у 1906 році. http://studopedya.ru/1-82071.html | + | |
+ | На межі 30-х - 40-х років з'явилися перші германієві і кремнієві діоди. І були це НВЧ діоди. Прогрес фізики твердого тіла дозволив встановити, що хороший вентиль повинен утворюватися в напівпровіднику P-N перехід або контакт метал-напівпровідник (перехід Шотткі, того ж, що близько 1920 року винайшов лампу-тетрод і взагалі встиг відзначитися і в лампової, і в напівпровідниковій техніці). А радіолокація вимагала НВЧ детекторів та змішувачів. І перші діоди на германію або кремнію представляли собою пластинку сильнолегированного напівпровідника (0,001-0,005 ом*см, для порівняння у звичайних транзисторах і діодах - десятки ом*см), тобто дуже "брудного", низькоякісного, який тоді вже могли зробити за ще убогих методи очищення. З цією платівкою контактує гострозаточенна металева (зазвичай вольфрамова) голка. Даючи перехід метал-напівпровідник дуже малої площі. Максимальне зворотне напруга такого переода від десятих часток вольта до одиниць вольт, граничний прямий струм - одиниці міліампер. Але в основному і єдиному їх застосування - нелінійного НВЧ елемента - це несуттєво. Головне, що нелінійність у них зберігається і на гігагерцових частотах. Подібні НВЧ діоди випускаються і в наш час, хоча значною мірою витіснені діодами Шотткі, виконаними за сучасною технологією. | ||
+ | Принцип роботи напівпровідникового діода відкрив у 1874 році Карл Фердинанд Браун. Перший радіоприймач з використанням кристалічного діода сконструював Ґрінліф Віттіер Пікард. Свій винахід він запатентував у 1906 році.<ref name="Л3">[http://studopedya.ru/1-82071.html Історія винайдення] </ref> | ||
==Технічні характеристики== | ==Технічні характеристики== | ||
− | + | Основою напівпровідникового діода є p-n перехід. В напівпровіднику "n" типу є вільні електрони, частинки зі знаком мінус, а в напівпровіднику типу "p" наявні іони з позитивним зарядом, їх прийнято називати «дірки». Дірка є носієм позитивного заряду, рівного елементарному заряду, в напівпровідниках. Це поняття вводиться в зонної теорії для опису електронних явищ у неповністю заповненої електронами валентної зоні. | |
+ | Напівпровідниковий діод має два виводи, які мають назву: анод і катод. В основі принципу дії напівпровідникового діода - властивості електронно діркового переходу, зокрема, сильна асиметрія вольт- амперної характеристики щодо нуля. Таким чином розрізняють пряме і зворотне включення. В прямому включенні (якщо подати на анод плюс, а на катод мінус) діод має малий електроопір і добре проводить електричний струм. У зворотному (на анод подати мінус, а на катод – плюс) – електрони з області N прямують до джерела з позитивним полюсом. У цей же час позитивні заряди(дірки) в області P притягуються негативним полюсом джерела живлення. Тому в області PN переходу, утворюється порожнеча, так як немає носіїв заряду, струм проводити нічим. З точки зору зонної теорії рівноважний стан на p-n переході досягається при такій висоті потенціального бар'єра, при якій рівні Фермі обох областей розміщуються на однаковій висоті. Є й недолік напівпровідникових діодів, при зворотному підключенні струм все таки протікає (величина цього струму має порядок мікро або наноампер і нею можна знехтувати). Також кожен діод має граничну допустиму напругу-напругу пробою, перевищувати яку небажано, тому що може зруйнуватися кристалічна структура напівпровідника і прилад прийде у непридатність. Для нормальної роботи діода у прямому включенні необхідно подавати постійну напругу не перевищуючу: для германієвих діодів порядку 0,3В, для кремнієвих діодів 0,7В <ref name="Л2">Левченко М.О. Перший крок у науку. - Суми. - 2016. - С.251-252 </ref> | ||
+ | |||
+ | ==Класифікація напівпровідникових діодів== | ||
+ | ---- | ||
+ | *По вихідному напівпровідниковому матеріалу діоди поділяють на чотири групи: германієві, кремнієві, з арсеніду галію і фосфіду індію. Германієві діоди використовуються широко в транзисторних приймачах, так як мають вищий коефіцієнт передачі, ніж кремнієві. Це пов’язано з їх більшою провідністю при невеликій напрузі (близько 0,1 … 0,2 В) сигналу високої частоти на вході детектора і порівняно малому опорі навантаження (5 … 30 кОм). | ||
+ | |||
+ | *За конструктивно-технологічною ознакою розрізняють діоди точкові і площинні. | ||
+ | |||
+ | *За призначенням напівпровідникові діоди поділяють на такі основні групи: випрямні, універсальні, імпульсні, варикапи, стабілітрони (опорні діоди), Стабистор, тунельні діоди, звернені діоди, лавинно-пролітні (ЛПД), тиристори, фотодіоди, світлодіоди та оптрони. <ref name="Л4">[http://ua.nauchebe.net/2012/09/diodi-xarakteristiki-diodiv-poznachennya-ta-markuvannya/ Класифікація напівпровідникових діодів] </ref> | ||
+ | |||
+ | '''Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням:''' | ||
+ | |||
+ | * [[Випрямляючий діод]] <ref name="Л5">[http://svitohlyad.com.ua/tehnolohiji/vypryamlyayuchyj-diod-opys-parametry-i-harakterystyky/ Випрямляючий діод] </ref> | ||
+ | * [[Імпульсний діод]] <ref name="Л6">[http://www.studfiles.ru/preview/5215243/page:2/ Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням] </ref> | ||
+ | * [[Діод Шоткі]] <ref name="Л7">[http://stud.com.ua/28249/tovaroznavstvo/stabilitroni Діод Шоткі] </ref> | ||
+ | |||
+ | * [[Напівпровідниковий стабілітрон]] <ref name="Л6">[http://www.studfiles.ru/preview/5215243/page:2/ Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням] </ref> | ||
+ | * [[Варикап]] <ref name="Л8">[http://studopedia.org/10-20087.html Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням] </ref> | ||
+ | * [[Діоди Ганна]] <ref name="Л9">[http://xn--80aimveh.pp.ua/tehnika/6242-dod-ganna-princip-roboti-ta-zastosuvannya.html Діод Ганна] </ref> | ||
+ | * [[Стабістор]] <ref name="Л10">[https://uk.wikipedia.org/wiki/Стабістор Стабістор] </ref> | ||
+ | * [[Тунельний діод]] <ref name="Л6">[http://www.studfiles.ru/preview/5215243/page:2/ Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням] </ref> | ||
+ | |||
+ | ''Діоди характеризуються такими основними електричними параметрами:'' | ||
+ | |||
+ | – Струмом, що проходить через діод в прямому напрямі; | ||
+ | |||
+ | – Струмом, що проходить через діод у зворотному напрямку; | ||
+ | |||
+ | – Найбільшим допустимим прямим струмом; | ||
+ | |||
+ | – Прямою напругою; | ||
+ | |||
+ | – Зворотною напругою; | ||
+ | |||
+ | – Найбільш допустимою зворотною напругою; | ||
+ | |||
+ | – Габаритами і діапазоном робочих температур.<ref name="Л4">[http://ua.nauchebe.net/2012/09/diodi-xarakteristiki-diodiv-poznachennya-ta-markuvannya/ Класифікація напівпровідникових діодів] </ref> | ||
==Сфера застосування == | ==Сфера застосування == | ||
− | + | ||
+ | -діоди з бар'єром Шотткі для роботи в низьковольтних вторинних джерелах живлення на частотах до 200 кГц; | ||
+ | |||
+ | -варикап в схемах для автоматичного підстроювання частоти, в параметричних підсилювачах; | ||
+ | |||
+ | -випрямний діод для роботи в приймальній і підсилювальній апаратурі; | ||
+ | |||
+ | -в схемах управління електродвигунами; | ||
+ | |||
+ | -в люмінесцентних лампах; | ||
+ | |||
+ | -в модулях сонячних батарей; | ||
+ | |||
+ | -випрямний діод з бар'єром Шотткі для випрямлення на частотах 10-200 кГц; | ||
+ | |||
+ | -як детектори в найпростіших радіоприймачах; | ||
+ | |||
+ | -для стабілізації напруги на прямий гілки вольт-амперної характеристики (стабистори) і для цілей термокомпенсації; | ||
+ | |||
+ | -імпульсні стабілітрони для стабілізації та обмеження постійної та імпульсної напруги.<ref name="Л11">[http://www.volt-220.com/images/book/diod.pdf Довідник по напівпровідниковим діодам] </ref> | ||
==Фото, відео-матеріали== | ==Фото, відео-матеріали== | ||
− | + | ||
+ | [[Файл:Напівпровідниковий діод 6.jpg|міні |праворуч|Напівпровідникові діоди]] | ||
+ | [[Файл:Напівпровідниковий діод 8.jpg|міні|ліворуч|Напівпровідникові діоди]] | ||
+ | [[Файл:Напівпровідниковий діод 7.jpg|міні|центр|Напівпровідникові діоди]] | ||
+ | [[Файл:Напівпровідникові діоди.jpg|міні |ліворуч|Напівпровідникові діоди]] | ||
+ | [[Файл:Навіпровідниковий діод3.jpg|міні |праворуч|Напівпровідникові діоди]] | ||
+ | [[Файл:Напівпровідникові діоди2.jpg|міні |центр|Напівпровідникові діоди]] | ||
+ | <br /> | ||
+ | <br /> | ||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
+ | ---- | ||
==Список використаних джерел== | ==Список використаних джерел== | ||
<references /> | <references /> | ||
[[Категорія:Музей історії техніки]] | [[Категорія:Музей історії техніки]] | ||
+ | |||
+ | [[Категорія:Потребують опису. МІТ]] |
Поточна версія на 18:31, 23 травня 2017
Головна → Відділ астрономії, оптики та квантової фізики → Напівпровідниковий діод
Роботу виконали:
Зміст
Загальний опис (принцип дії)
Напівпровідниковим діодом називається електроперетворювальний прилад з одним р-n-переходом і двома зовнішніми виводами від областей кристала з провідностями різного виду.
Саме р-n-перехід визначає властивості, технічні характеристики та параметри будь-якого напівпровідникового діода. Корпус діода, в якому міститься кристал напівпровідника з р-n-переходом, а також інші конструктивні елементи для закріплення кристала в корпусі забезпечують експлуатаційні характеристики діода: стійкість при дії нагрівання, вологи, ударних та вібраційних навантажень тощо. [1]
Історична довідка
На межі 30-х - 40-х років з'явилися перші германієві і кремнієві діоди. І були це НВЧ діоди. Прогрес фізики твердого тіла дозволив встановити, що хороший вентиль повинен утворюватися в напівпровіднику P-N перехід або контакт метал-напівпровідник (перехід Шотткі, того ж, що близько 1920 року винайшов лампу-тетрод і взагалі встиг відзначитися і в лампової, і в напівпровідниковій техніці). А радіолокація вимагала НВЧ детекторів та змішувачів. І перші діоди на германію або кремнію представляли собою пластинку сильнолегированного напівпровідника (0,001-0,005 ом*см, для порівняння у звичайних транзисторах і діодах - десятки ом*см), тобто дуже "брудного", низькоякісного, який тоді вже могли зробити за ще убогих методи очищення. З цією платівкою контактує гострозаточенна металева (зазвичай вольфрамова) голка. Даючи перехід метал-напівпровідник дуже малої площі. Максимальне зворотне напруга такого переода від десятих часток вольта до одиниць вольт, граничний прямий струм - одиниці міліампер. Але в основному і єдиному їх застосування - нелінійного НВЧ елемента - це несуттєво. Головне, що нелінійність у них зберігається і на гігагерцових частотах. Подібні НВЧ діоди випускаються і в наш час, хоча значною мірою витіснені діодами Шотткі, виконаними за сучасною технологією. Принцип роботи напівпровідникового діода відкрив у 1874 році Карл Фердинанд Браун. Перший радіоприймач з використанням кристалічного діода сконструював Ґрінліф Віттіер Пікард. Свій винахід він запатентував у 1906 році.[2]
Технічні характеристики
Основою напівпровідникового діода є p-n перехід. В напівпровіднику "n" типу є вільні електрони, частинки зі знаком мінус, а в напівпровіднику типу "p" наявні іони з позитивним зарядом, їх прийнято називати «дірки». Дірка є носієм позитивного заряду, рівного елементарному заряду, в напівпровідниках. Це поняття вводиться в зонної теорії для опису електронних явищ у неповністю заповненої електронами валентної зоні. Напівпровідниковий діод має два виводи, які мають назву: анод і катод. В основі принципу дії напівпровідникового діода - властивості електронно діркового переходу, зокрема, сильна асиметрія вольт- амперної характеристики щодо нуля. Таким чином розрізняють пряме і зворотне включення. В прямому включенні (якщо подати на анод плюс, а на катод мінус) діод має малий електроопір і добре проводить електричний струм. У зворотному (на анод подати мінус, а на катод – плюс) – електрони з області N прямують до джерела з позитивним полюсом. У цей же час позитивні заряди(дірки) в області P притягуються негативним полюсом джерела живлення. Тому в області PN переходу, утворюється порожнеча, так як немає носіїв заряду, струм проводити нічим. З точки зору зонної теорії рівноважний стан на p-n переході досягається при такій висоті потенціального бар'єра, при якій рівні Фермі обох областей розміщуються на однаковій висоті. Є й недолік напівпровідникових діодів, при зворотному підключенні струм все таки протікає (величина цього струму має порядок мікро або наноампер і нею можна знехтувати). Також кожен діод має граничну допустиму напругу-напругу пробою, перевищувати яку небажано, тому що може зруйнуватися кристалічна структура напівпровідника і прилад прийде у непридатність. Для нормальної роботи діода у прямому включенні необхідно подавати постійну напругу не перевищуючу: для германієвих діодів порядку 0,3В, для кремнієвих діодів 0,7В [3]
Класифікація напівпровідникових діодів
- По вихідному напівпровідниковому матеріалу діоди поділяють на чотири групи: германієві, кремнієві, з арсеніду галію і фосфіду індію. Германієві діоди використовуються широко в транзисторних приймачах, так як мають вищий коефіцієнт передачі, ніж кремнієві. Це пов’язано з їх більшою провідністю при невеликій напрузі (близько 0,1 … 0,2 В) сигналу високої частоти на вході детектора і порівняно малому опорі навантаження (5 … 30 кОм).
- За конструктивно-технологічною ознакою розрізняють діоди точкові і площинні.
- За призначенням напівпровідникові діоди поділяють на такі основні групи: випрямні, універсальні, імпульсні, варикапи, стабілітрони (опорні діоди), Стабистор, тунельні діоди, звернені діоди, лавинно-пролітні (ЛПД), тиристори, фотодіоди, світлодіоди та оптрони. [4]
Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням:
Діоди характеризуються такими основними електричними параметрами:
– Струмом, що проходить через діод в прямому напрямі;
– Струмом, що проходить через діод у зворотному напрямку;
– Найбільшим допустимим прямим струмом;
– Прямою напругою;
– Зворотною напругою;
– Найбільш допустимою зворотною напругою;
– Габаритами і діапазоном робочих температур.[4]
Сфера застосування
-діоди з бар'єром Шотткі для роботи в низьковольтних вторинних джерелах живлення на частотах до 200 кГц;
-варикап в схемах для автоматичного підстроювання частоти, в параметричних підсилювачах;
-випрямний діод для роботи в приймальній і підсилювальній апаратурі;
-в схемах управління електродвигунами;
-в люмінесцентних лампах;
-в модулях сонячних батарей;
-випрямний діод з бар'єром Шотткі для випрямлення на частотах 10-200 кГц;
-як детектори в найпростіших радіоприймачах;
-для стабілізації напруги на прямий гілки вольт-амперної характеристики (стабистори) і для цілей термокомпенсації;
-імпульсні стабілітрони для стабілізації та обмеження постійної та імпульсної напруги.[11]
Фото, відео-матеріали
Список використаних джерел
- ↑ Означення навіпровідникового діоду
- ↑ Історія винайдення
- ↑ Левченко М.О. Перший крок у науку. - Суми. - 2016. - С.251-252
- ↑ 4,0 4,1 Класифікація напівпровідникових діодів
- ↑ Випрямляючий діод
- ↑ 6,0 6,1 6,2 Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням
- ↑ Діод Шоткі
- ↑ Класифікація навіпровідникових діодів за призначенням
- ↑ Діод Ганна
- ↑ Стабістор
- ↑ Довідник по напівпровідниковим діодам