Лазер: газовий, напівпровідниковий

Головна

Загальний опис (принцип дії)

Напівпровідниковий лазер: У звичайному стані більшість електронів розташоване на рівні валентності. При підводі фотонами енергії, перевищує енергію зони розриву, електрони напівпровідника приходять у стан збудження і, подолавши заборонену зону, переходять у вільну зону, концентруючись у її нижнього краю. Одночасно дірки, що утворилися на валентном рівні, піднімаються до її верхньої межі. Електрони у вільну зону рекомбінують з дірками, випромінюючи енергію, рівну енергії зони розриву, у вигляді фотонів. Рекомбінація може бути посилена фотонами з достатнім рівнем енергії. Чисельне опис відповідає функції розподілу Фермі.
Газовий лазер: Для наповнення енергією активного тіла в газі застосовуються електричні розряди, які виробляються електродами в порожнині трубки приладу. В процесі зіткнення електронів з газовими частинками відбувається їх порушення. Таким чином створюється основа для випромінювання фотонів. Вимушене випускання світлових хвиль в трубці підвищується в процесі їх проходженні по газовій плазмі. Виставлені дзеркала на торцях циліндра створюють основу для переважного напрямку світлового потоку. Напівпрозоре дзеркало, яким забезпечується газовий лазер, відбирає з направленого променя частку фотонів, а інша їх частина відображається всередину трубки, підтримуючи функцію випромінювання.

Історична довідка

Персоналії, виробники, історія відкриття, виробництва тощо

Технічні характеристики

Технічні характеристики

Сфера застосування

Опишіть сфери, способи та результати застосування експонату. Вкажіть при цьому часові інтервали застосування

Фото, відео-матеріали

Тут розмістіть власні фото або фото з відкритих джерел, а також посилання на відео