Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять
Головна → Історія комп'ютерної техніки → Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять
Зміст
Мікросхеми пам'яті статичного типу
Мікросхема пам’яті W24257AK-15
Модулі пам'яті динамічного типу
SDRAM DIMM
SDRAM – тип динамічної пам’яті, яка працює синхронно з контролером пам’яті, завдяки чому усуваються такти очікування, характерні для асинхронної пам’яті. Перші комерційні зразки модулів SDRAM були представлені Samsung у 1993 році, до 2000-го року вони стали наймасовішими.
Матриця пам’яті SDRAM поділяється на кілька банків, завдяки чому можлива конвеєризація вхідних команд, які почергово звертаються до різних банків, тому загальна швидкість обробки даних зростає. Ефективність SDRAM значно вища, ніж FPM та EDO.
Модулі SDRAM DIMM мають 168 виводів, 64 з яких займає шина даних. Вони працюють на частотах: 66, 100 та 133 МГц, що забезпечує швидкість передачі даних 533, 800 та 1066 МБ/с.
Модулі DIMM підтримують автоматичну ідентифікацію SPD (Serial Presence Detect).
Наявні 10 неідентифікованих модулів SDRAM DIMM стандарту PC133.
DDR DIMM (Corsair 1GB DDR VS1GB400C3)
Пам’ять з подвійною швидкістю передачі даних DDR – новий тип пам’яті SDRAM, яка дебютувала у відеокартах NVIDIA в кінці 1999 року, а з 2000 року почала використовуватись і в материнських платах.
DDR (Double Data Rate) відрізняється тим, що дані передаються двічі за цикл: по фронту і спаду тактового сигналу. Це досягається завдяки поділу модуля на 4 банки та збільшеній у два рази внутрішній шині даних (архітектура 2n-prefetch).
Швидкодію модулів DDR визначають за частотою передачі даних. Випускали модулі DDR200, DDR266, DDR333, DDR400 (частота шини 100, 133, 166 та 200 МГц відповідно). Поширені також позначення PC1600, PC2100, PC2700, PC3200, які виражають пропускну здатність модулів у МБ/с.
Пам’ять DDR SDRAM випускається у вигляді 184-контактних модулів DIMM з одним ключовим пазом. Напруга живлення 2,5 В.
Наявний модуль DDR DIMM Corsair 1GB DDR Memory (VS1GB400C3)
Джерело: DDR SDRAM explained
DDR2 SO-DIMM (Hynix 1GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400)
DDR2 це пам’ять з подвійною швидкістю передачі даних наступного покоління. Стандарт JEDEC на DDR2 затверджено у 2003 році, реальні системи з модулями з’явилися на ринку в 2004 році.
DDR2 використовує диференціальні сигнали, що підвищує стійкість до перешкод і дозволяє підняти тактову частоту і пропускну здатність, знизити напругу живлення і енергоспоживання.
Модулі DDR2 DIMM мають 64-бітну шину з тактовою частотою 200, 266, 333, 400 та 533 МГЦ, що забезпечує частоту передачі даних 400…1066 Мгц і пропускну здатність 3200…8533 МБ/с. Маркуються як PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400, PC2-8500.
Модулі пам’яті для настільних систем DDR2 DIMM мають 240 контактів, для ноутбуків DDR2 SO-DIMM – 200 контактів. Мікросхеми модулів DDR2 мають корпус FBGA та інший спосіб монтажу. Напруга живлення 1,8 В.
Наявний модуль Hynix 1GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400
Джерела: DDR2 DRAM DDR2 Memory Overview
Мікросхеми постійної пам'яті
Мікросхема ПЗП КС573РФ2
Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолетовим стиранням надає можливість довготривалого зберігання інформації при включеному та виключеному живленні.
Призначений для роботи в блоках пам’яті обчислювальних пристроїв для зберігання програмного коду та масивів констант. ПЗП може зберігати 2 КБ даних не менше 100 тис. годин. Час доступу 450 нс. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим опромінюванням з довжиною хвилі 253,7 нм. Витримує не менше 100 циклів перепрограмування.
За вхідними та вихідними сигналами сумісний з TTL-системами. Напруга живлення 5 В. Працює при температурі –60…+85 ºC. Корпус 2120.24-12. Термін зберігання 25 років.
