DDR3 та DDR4. Теоретичні відмінності. СПК
|
Відмінності між поколіннями оперативної пам'яті завжди достатньо істотні.
Зміст
Физические различия
Фізичні планки пам'яті DDR3 та DDR4 несумісні. Замість 240 пін у "третього" - "четвертий" володіє 288 контактами. Збільшення числа контактів зроблено заради можливості адресації як можна більшої кількості пам'яті. В самому максимальному варіанті модуль пам'яті стандарту DDR4 може мати об'єм 512 Гб. Мінімальний об'єм модуля - 2 Гб.
Ключ роз'єма зміщений ближче до центру. Захист від неуважних користувачів працює, захист від неуважних, але дуже сильних користувачів - не існує.
Електричні відмінності
Замість штатного живлення 1,5В пропонується стандартна напруга 1,2В (1,05В для енергоефективних систем). Переваги очевидні: менша нагріваємість, менша енергопотреба, в подальшому: більше часу автономної роботи.
Частотні відмінності
Якщо стандарти DDR3 починаються з частоти 1066 МГц, то DDR4 стартує з позначки в 2133 МГц. Формально - збільшення частоти в 2 рази, а от реально продуктивність не росте в 2 рази. Вже офіційно випущені модулі DDR4 з частотою 3000 МГц і є навіть більш високі показники, але всі вони орієнтовані на ентузіастів і оверлокерів.
Архітектурні відмінності
Найважливіще, що відбулося при переході - зміна архітектури доступу до модулів. Раніше шина Multi-Drop мала всього 2 канали і навіть при організації роботи з 4-ма модулями пам'яті, вони висилі на одному каналі, що не завжди добре відражалося на продуктивності.
Нова шина з оригінальною назвою Point-to-Point буде звязувати кожен канал з одним модулем пам'яті. Тобто при наявності в процесорі двухканального контролера пам'яті - будуть доступні два слоти, а при наявності чотирьохканального - чотири.
