Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять
Головна → Історія комп'ютерної техніки → Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять
Зміст
Мікросхеми пам'яті статичного типу
Мікросхема пам’яті W24257AK-15
Модулі пам'яті динамічного типу
DDR DIMM (Corsair 1GB DDR VS1GB400C3)
DDR2 SO-DIMM (Hynix 1GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400)
DDR2 це пам’ять з подвійною швидкістю передачі даних наступного покоління. Стандарт JEDEC на DDR2 затверджено у 2003 році, реальні системи з модулями з’явилися на ринку в 2004 році.
DDR2 використовує диференціальні сигнали, що підвищує стійкість до перешкод і дозволяє підняти тактову частоту і пропускну здатність, знизити напругу живлення і енергоспоживання.
Модулі DDR2 DIMM мають 64-бітну шину з тактовою частотою 200, 266, 333, 400 та 533 МГЦ, що забезпечує частоту передачі даних 400…1066 Мгц і пропускну здатність 3200…8533 МБ/с. Маркуються як PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400, PC2-8500.
Модулі пам’яті для настільних систем DDR2 DIMM мають 240 контактів, для ноутбуків DDR2 SO-DIMM – 200 контактів. Мікросхеми модулів DDR2 мають корпус FBGA та інший спосіб монтажу. Напруга живлення 1,8 В.
Наявний модуль Hynix 1GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400
Джерела: DDR2 DRAM DDR2 Memory Overview
Мікросхеми постійної пам'яті
Мікросхема ПЗП КС573РФ2
Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолетовим стиранням надає можливість довготривалого зберігання інформації при включеному та виключеному живленні.
Призначений для роботи в блоках пам’яті обчислювальних пристроїв для зберігання програмного коду та масивів констант. ПЗП може зберігати 2 КБ даних не менше 100 тис. годин. Час доступу 450 нс. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим опромінюванням з довжиною хвилі 253,7 нм. Витримує не менше 100 циклів перепрограмування.
За вхідними та вихідними сигналами сумісний з TTL-системами. Напруга живлення 5 В. Працює при температурі –60…+85 ºC. Корпус 2120.24-12. Термін зберігання 25 років.
