"Флеш-пам’ять та її використання",Кедік Наталія, Фізико-математичний факультет, технологічна освіта, 2015 рік
Зміст
Матеріали статті
- Флеш-па́м'ять
- Історія розвитку
- Обмеження щодо використання
- Об'єм флеш пам'яті та її виробники
Флеш-пам'ять
Флеш-па́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
Флеш-па́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
Історія розвитку флеш-пам'яті
Флеш пам'ять (обидва типи — NOR та NAND) була винайдена доктором Фуджіо Масуока,
коли він працював на компанію Toshiba у 1984 р. Якщо вірити Toshiba, назва «Флеш» прийшла на думку колезі доктора Масуока — містеру Шої Аріїзумі, оскільки процеси видалення вмісту пам'яті нагадували йому спалах фотокамери (англ. flash). Доктор Масуока репрезентував винахід у 1984 році на зустрічі про Міжнародні Електронні Прилади (IEDM), яка відбулася в місті Сан-Хосе, Каліфорнія. Intel побачив високий потенціал цього винаходу і випустив перший комерційний чіп NOR флеш пам'яті у 1988 році.
Пам'ять, що базується на NOR має довготривалі цикли запису-видалення інформації, проте повноцінний адресний/інформаційний інтерфейс, який дає довільний доступ до будь-якої локації. Це робить його ідеальним для збереження бінарного програмного коду, який не потрібно часто оновлювати. Прикладом є комп'ютерний BIOS або програмне забезпечення різноманітних приладів. Цей інтерфейс витримує від 10 000 до 1 000 000 циклів вилучення інформації. Цей тип пам'яті став базою найперших переносних медіа; CompactFlash з самого початку базувався на ньому, хоча потім перейшов на дешевший варіант — NAND пам'ять.
NAND-флеш-пам'ять, яку Toshiba представила на ISSCC у 1989 році стала наступною. У ній швидше проходять цикли видалення-запису, вона має більшу внутрішню мережу, меншу ціну, і в 10 раз міцніша за свого попередника. Проте її інтерфейс вводу/виводу надає лише послідовний доступ до інформації. Саме тому її можна використовувати для пристроїв запису масової інформації, таких, як PC карточки, різні карти пам'яті і, в дещо меншій мірі, для комп'ютерної пам'яті. Перша картка, що базувалась на форматі NAND була SmartMedia, а після неї з'явились: Multimedia Card, Secure Digital, Memory Stick та xD-Picture карти пам'яті. Нове покоління цих форматів стає реальністю з RS-MMC, мікро та miniSD варіанти Secure Digital і нова USB-карта-пам'яті Intelligent Stick. Нові формати поставляються в значно зменшених розмірах, зазвичай менше, ніж 4 см2.
Обмеження щодо використання
Одним обмеженням флеш-пам'яті є те, що хоча вона і може читати чи запрограмувати одиницю інформації типу байт чи word за один відрізок часу у вибірковому методі доступу, вона також повинна очистити «блок» за той самий час. Стандартно всі біти при такій операції в блоці замінюються на 1. Діючи вже із чистим блоком будь-яке місце в межах блоку може бути запрограмоване. Проте як тільки біт стане рівним 0, лише видалення всього блоку змусить його повернутись назад в положення 1. Іншими словами, флеш-пам'ять (особливо флеш NOR) пропонує вибірковий метод читання і програмування операцій, Але не може дозволити вибірковий метод перезапису чи видалення. Хоча місце в пам'яті може бути переписаним до того часу, поки нові значення нульових бітів є надмножиною перезаписаних значень. Наприклад, число, яке складається з чотирьох бітів може бути очищене до 1111 , тоді записане як 1110. Успішний запис до цього числа може змінити його на 1010, тоді на 0010, і нарешті на 0000. Хоча структура інформації у флеш-пам'яті не може бути оновлена в кардинально простими шляхами, вона дозволяє «видаляти» її члени, позначаючи їх невірними. Ця техніка повинна бути дещо вдосконалена для багаторівневих приладів, де одна комірка пам'яті тримає більш, ніж 1 біт.
Якщо порівнювати з вінчестером, іншим обмеженням є той факт, що флеш-пам'ять має скінченну кількість циклів запису-видалення (більшість комерційно доступних флеш продуктів гарантують витримати 1 мільйон програмних циклів), тому це потрібно мати на увазі при переміщенні програм, розрахованих для вінчестера (наприклад операційні системи) на такі носії флеш-пам'яті, як CompactFlash. Цей ефект — часткове зміщення деякими драйверами до файлової системи, які обраховують записи і динамічні переміщення блоків, щоб розтягнути операції запису між секторами, або які обраховують підтвердження запису і переміщення, щоб розтягнути сектори у випадку невдалого запису.
Ціна флеш-пам'яті залишається значно вищою ніж відповідна ціна вінчестера, і це (разом зі скінченністю кількості циклів запису-видалення, про яку згадано раніше) утримує флеш-пам'ять від того, щоб стати основною заміною вінчестерів на нормальних настільних комп'ютерах чи ноутбуках.
Об'єм флеш пам'яті та її виробники
Стандартні частини флеш пам'яті (індивідуальні внутрішні компоненти, або «чипи») дуже сильно відрізняються в об'ємі інформації, від кібіта до гікабітів кожна. Чипи часто з'єднують в один, щоб досягнути вищих ємностей для використання в таких приладах як iPod nano або SanDisk Sansa e200. Місткість флеш чипів дотримується закону Мура, оскільки вони розроблені тими самими процесами, що використовуються й для вироблення інших інтегрованих циклів. Проте в даній технології були також стрибки поза законом Мура через різні інновації.
У 2005 році Toshiba та SanDisk розробили флеш чип типу NAND, який міг містити 8 гібібітів інформації, використовуючи технологію MLC (багаторівневі комірки), яка зберігала 2 біти інформації в одній комірці. У вересні 2005 року компанія Samsung Electronics анонсувала, що вона розробила перший у світі 16 гібібітний чип.
У березні 2006 року Samsung анонсує флеш вінчестери з місткістю у 32 гібібіти, по суті з таким самим розміром, як і в найменших вінчестерах ноутбуків. А у вересні 2006 року, Samsung анонсувала результат виготовлення 32 гібібітних чипів, розміром в 40 нм.
Для деяких продуктів флеш пам'яті, таких як карти пам'яті та USB пам'ять, на середину 2006 року 256Мб-тові і продукти меншої місткості сильно знецінились. Ємність 1Гб стала звичною для людей, які не використовують флеш пам'ять екстенсивно, але все більше і більше клієнтів закуповуються 2-ма та 4-ма Гігабайтними флеш приладами. Hitachi має конкурентноспроможний механізм вінчестера (називається Microdrive), який може поміститись всередині оболонки звичайної карточки CompactFlash. Його ємність — до 8Гб. BiTMicro пропонує 155 Гігабайтний, товщиною у 3.5 дюйми, твердий диск, названий «Edisk»'ом.
Деякі приклади виробників флеш пам'яті:
Samsung; Intel; Atmel; Qimonda; STMicroelectronics; Spansion; Sharp Corporation; Toshiba; Sandisk; Micron Technology; SimpleTech; Kingston Technology; SK Hynix; Winbond; Excel Semiconductor; SST; Macronix; Lexar; Eon Silicon Solution Inc. (ESSI) AMIC Technology
