Зміст

1 Назва курсу
- 1.1 Мета та завдання навчального курсу
- 1.2 Автор курсу
2 Учасники
3 Графік навчання
- 3.1 Структура дисципліни
  - 3.1.1 Змістовий модуль 1
  - 3.1.2 Змістовий модуль 2
4 Зміст курсу
5 Ресурси
- 5.1 Рекомендована література
  - 5.1.1 Базова
  - 5.1.2 Допоміжна
- 5.2 Інформаційні ресурси

Назва курсу

Фізика напівпровідників. ФІ

Галузь знань: 0402 Фізико-математичні науки

Спеціальність: 8.04020301Фізика*

Мета та завдання навчального курсу

Мета викладання навчальної дисципліни: дати базові знання з фізики напівпровідників, необхідні для розуміння фізичних процесів, що протікають в напівпровідниках.

Основними завданнями вивчення дисципліни є вивчення основних уявлень фізики напівпровідників: статистика рівноважних електронів і дірок в напівпровідниках і нерівноважні носії заряду, що необхідно для розуміння багатьох електричних, фотоелектричних і оптичних явищ в напівпровідниках; кінетичні явища, а також пов'язана безпосередньо з ними теорія розсіяння, котрі відіграють основну роль при вивченні напівпровідників і напівпровідникових приладів. .

У результаті вивчення навчального курсу студент повинен

знати:

фізичні ефекти, що супроводжують дію сильних електричних полів на напівпровідники, передбачувати наслідки дії цих ефектів для динамічних властивостей та концентрації носіїв заряду; фізичні ефекти, що супроводжують дію сильного постійного магнітного поля та електромагнітного поля на невироджений і вироджений (електронна однокомпонентна плазма) електронний газ напівпровідника; сучасний стан фізичної теорії, технологічних аспектів та практики застосування різних видів напівпровідників.

вміти:

- за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати критичну напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок розігріву електронного газу (утворюються “теплі” електрони) і критичну напруженість поля, після якої струм не залежить від напруженості поля (“гарячі” електрони); - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок збільшення концентрації носіїв заряду для ефектів ударної іонізації, тунельного і термоелектронної іонізації. - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати радіус екранування Дебая, час релаксації Максвелла, частоту плазмового резонансу для об’ємного заряду основних носіїв; - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника, магнітною індукцією та теоретичними співвідношеннями визначити циклотронну частоту і силу магнітного поля; - за наявною із літературних джерел інформацією про особливості активації донорів і акцепторів у різних типах напівпровідників розраховувати повну концентрацію цих домішок, необхідну для отримання заданого значення питомого опору;

Робоча програма курсу