Шаблон:Головна сторінка курсу
Увага! Ви зайшли до шаблону.
Не редагуйте матеріал на цій сторінці!
Цей шаблон дозволяє оформити головну сторінку курсу.
Для використання цього шаблону додайте до статті наступний текст та вкажіть відповідні параметри.
{{Головна сторінка курсу}}
Мета та завдання навчальної дисципліни
Мета викладання навчальної дисципліни: дати базові знання з фізики напівпровідників, необхідні для розуміння фізичних процесів, що протікають в напівпровідниках.
Основними завданнями вивчення дисципліни є вивчення основних уявлень фізики напівпровідників: статистика рівноважних електронів і дірок в напівпровідниках і нерівноважні носії заряду, що необхідно для розуміння багатьох електричних, фотоелектричних і оптичних явищ в напівпровідниках; кінетичні явища, а також пов'язана безпосередньо з ними теорія розсіяння, котрі відіграють основну роль при вивченні напівпровідників і напівпровідникових приладів.
У результаті вивчення навчальної дисципліни студент повинен
знати: фізичні ефекти, що супроводжують дію сильних електричних полів на напівпровідники, передбачу-вати наслідки дії цих ефектів для динамічних властивостей та концентрації носіїв заряду; фізичні ефекти, що супроводжують дію сильного постійного магнітного поля та електромагнітного поля на невироджений і вироджений (електронна однокомпонентна плазма) електронний газ напівпровід-ника; сучасний стан фізичної теорії, технологічних аспектів та практики застосування різних видів напівпровідників.
вміти: - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношен-нями визначати критичну напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок розігріву електронного газу (утворюються “теплі” електрони) і критичну напруженість поля, після якої струм не залежить від напруженості поля (“гарячі” електрони);
- за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок збільшення концен-трації носіїв заряду для ефектів ударної іонізації, тунельного і термоелектронної іонізації.
- за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношен-нями визначати радіус екранування Дебая, час релаксації Максвелла, частоту плазмового резонансу для об’ємного заряду основних носіїв; - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника, магнітною індукцією та теоре-тичними співвідношеннями визначити циклотронну частоту і силу магнітного поля; - за наявною із літературних джерел інформацією про особливості активації донорів і акцепторів у різних типах напівпровідників розраховувати повну концентрацію цих домішок, необхідну для отримання заданого значення питомого опору;
Робоча та навчальна програми
Автор (автори) курсу
Посилання на сторінки авторів
