Пам'ять DDR SDRAM. СПК

Довідник Список використаних джерел Список учасників НОП

DDR (від англ. Double Data Rate — подвійна швидкість передачі даних) — один з типів оперативної пам'яті, які використовуються в комп'ютерах. Технологія DDR SDRAM дозволяє передавати дані по обох фронтах кожного тактового імпульсу, що дозволяє подвоїти пропускну здатність пам'яті.

Історія

Вперше динамічна пам'ять була реалізована в дешифровальной машині «Aquarius», що використовувалася під час другої світової війни в урядовій школі кодів і шифрів в Блетчлі-парк. Прочитувані з паперової стрічки символи «запам'ятовувалися в динамічному сховище. ... Сховище представляло собою блок конденсаторів, які були або заряджені або розряджені, заряджений конденсатор відповідав символу «X» (логічній одиниці), розряджений - символу «.» (Логічному нулю). Оскільки конденсатори втрачали заряд через витік, на них періодично подавався імпульс для підзарядки (звідси термін динамічна) ».

У 1966 році вченим Робертом Деннардом з дослідницького центру імені Томаса Уотсона компанії IBM була винайдена сучасна DRAM пам'ять. У 1968 році Деннарду був виданий патент США під номером 3387286. Конденсатори використовувалися в більш ранніх конструкціях пам'яті, таких як барабан комп'ютера Атанасова - Беррі, трубках Вільямса та СЕЛЕКТРОН.

Модулі

DDR SDRAM

Модулі пам'яті DDR SDRAM можна відрізнити від звичайної SDRAM за кількістю виводів (184 виводів у модулів DDR проти 168 виводів у модулів із звичайною SDRAM) і по ключу (вирізи в області контактних площинок) - у SDRAM два, у DDR ​​- один. Згідно JEDEC, модулі DDR400 працюють при напрузі живлення 2,6 В, а все більш повільні - при напрузі 2,5 В. Деякі швидкісні модулі для досягнення високих частот працюють при великих напругах, до 2,9 В.

Більшість останніх чипсетів з підтримкою DDR дозволяли використовувати модулі DDR SDRAM в двоканальному, а деякі чипсети і в чотирьохканальному режимі. Даний метод дозволяє збільшити в 2 або 4 рази відповідно теоретичну пропускну здатність шини пам'яті. Для роботи пам'яті у двоканальному режимі потрібно 2 (або 4) модуля пам'яті, рекомендується використовувати модулі, що працюють на одній частоті і мають однаковий обсяг і тимчасові затримки (латентність, таймінги). Ще краще використовувати абсолютно однакові модулі.

Зараз модулі DDR практично витіснені модулями типів DDR2 і DDR3, які в результаті деяких змін в архітектурі дозволяють отримати більшу пропускну здатність підсистеми пам'яті. Раніше головним конкурентом DDR SDRAM була пам'ять типу RDRAM (Rambus), проте зважаючи на наявність деяких недоліків з часом була практично витіснена з ринку.

спрощена тимчасова діаграма роботи DDR SDRAM-пам'яті

Чіпи пам'яті

До складу кожного модуля DDR SDRAM входить кілька ідентичних чіпів DDR SDRAM. Для модулів без корекції помилок (ECC) їх кількість кратно 4, для модулів з ECC - формула 4 +1.

Специфікація чіпів пам'яті

DDR200: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 100 МГц

DDR266: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 133 МГц

DDR333: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 166 МГц

DDR400: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 200 МГц

Характеристики чипів

Ємність чіпа (DRAM density). Записується в мегабитах, наприклад, 256 Мбіт - чип ємністю 32 мегабайти. Організація (DRAM organization). Записується у вигляді 64M x 4, де 64M - це кількість елементарних комірок зберігання (64 мільйони), а x4 (вимовляється «by four») - розрядність чіпа, тобто розрядність кожного осередку. Чіпи DDR бувають x4 і x8, останні коштують дешевше в перерахунку на мегабайт ємності, але не дозволяють використовувати функції Chipkill, memory scrubbing і Intel SDDC.

Стандарти JEDEC

Параметри роботи пам'яті SDRAM

• SDRAM Frequency .

Для DDR - плат цей параметр може приймати значення 100 або 133 MHz , що відповідає стандартам DDR - модулів PC1600 і PC2100 . Проте мало того , що цифри в назвах специфікацій не відповідають частоті , так ще й виробники додають туману , маркуючи іноді свої модулі як DDR 200 MHz або DDR 266 MHz. Насправді все дуже просто: "DDR 266 MHz " позначає пам'ять, що працює на 133 MHz , але має вдвічі більшу пропускну здатність , що дозволяє вказувати цифру 266 . Таким чином , DDR 266 - це просто -напросто нестандартне найменування PC2100 , а DDR 200 - відповідно PC1600 .

• CAS Latency.

Цей параметр у DDR​​-систем також трохи змінився. Для звичайної PC100/PC133-памяті CAS Latency могла бути дорівнює 3 або 2. Для DDR-пам'яті - 2,5 або 2. На даний момент практично всі продавані на локальному ринку PC2100-модулі в штатному режимі працюють саме з CAS 2,5, що, втім, не заважає багатьом з них нормально функціонувати при CAS 2.

• Bank Interleave.

Цей параметр підтримується чіпсетами VIA. Суть його полягає в тому, що вся пам'ять ділиться на "банки", і звернення до одного з них не перешкоджає одночасному формуванню запиту до іншого, що дозволяє прискорити доступ до пам'яті, коли необхідні адреси знаходяться в різних банках. Кількість банків може бути від одного до чотирьох. Відповідно, у випадку з одним банком функція Bank Interleave не має сенсу.