Пам'ять DDR SDRAM. СПК
|
DDR (від англ. Double Data Rate — подвійна швидкість передачі даних) — один з типів оперативної пам'яті, які використовуються в комп'ютерах. Технологія DDR SDRAM дозволяє передавати дані по обох фронтах кожного тактового імпульсу, що дозволяє подвоїти пропускну здатність пам'яті.
Зміст
Історія
Модулі
Модулі пам'яті DDR SDRAM можна відрізнити від звичайної SDRAM за кількістю виводів (184 виводів у модулів DDR проти 168 виводів у модулів із звичайною SDRAM) і по ключу (вирізи в області контактних площинок) - у SDRAM два, у DDR - один. Згідно JEDEC, модулі DDR400 працюють при напрузі живлення 2,6 В, а все більш повільні - при напрузі 2,5 В. Деякі швидкісні модулі для досягнення високих частот працюють при великих напругах, до 2,9 В.
Більшість останніх чипсетів з підтримкою DDR дозволяли використовувати модулі DDR SDRAM в двоканальному, а деякі чипсети і в чотирьохканальному режимі. Даний метод дозволяє збільшити в 2 або 4 рази відповідно теоретичну пропускну здатність шини пам'яті. Для роботи пам'яті у двоканальному режимі потрібно 2 (або 4) модуля пам'яті, рекомендується використовувати модулі, що працюють на одній частоті і мають однаковий обсяг і тимчасові затримки (латентність, таймінги). Ще краще використовувати абсолютно однакові модулі.
Зараз модулі DDR практично витіснені модулями типів DDR2 і DDR3, які в результаті деяких змін в архітектурі дозволяють отримати більшу пропускну здатність підсистеми пам'яті. Раніше головним конкурентом DDR SDRAM була пам'ять типу RDRAM (Rambus), проте зважаючи на наявність деяких недоліків з часом була практично витіснена з ринку.
 |
Чіпи пам'яті
До складу кожного модуля DDR SDRAM входить кілька ідентичних чіпів DDR SDRAM. Для модулів без корекції помилок (ECC) їх кількість кратно 4, для модулів з ECC - формула 4 +1.
Специфікація чіпів пам'яті
DDR200: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 100 МГц
DDR266: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 133 МГц
DDR333: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 166 МГц
DDR400: пам'ять типу DDR SDRAM, що працює на частоті 200 МГц
Характеристики чипів
Ємність чіпа (DRAM density). Записується в мегабитах, наприклад, 256 Мбіт - чип ємністю 32 мегабайти. Організація (DRAM organization). Записується у вигляді 64M x 4, де 64M - це кількість елементарних комірок зберігання (64 мільйони), а x4 (вимовляється «by four») - розрядність чіпа, тобто розрядність кожного осередку. Чіпи DDR бувають x4 і x8, останні коштують дешевше в перерахунку на мегабайт ємності, але не дозволяють використовувати функції Chipkill, memory scrubbing і Intel SDDC.
Стандарти JEDEC
Параметри роботи пам'яті SDRAM
- SDRAM Frequency .
Для DDR - плат цей параметр може приймати значення 100 або 133 MHz , що відповідає стандартам DDR - модулів PC1600 і PC2100 . Проте мало того , що цифри в назвах специфікацій не відповідають частоті , так ще й виробники додають туману , маркуючи іноді свої модулі як DDR 200 MHz або DDR 266 MHz. Насправді все дуже просто: "DDR 266 MHz " позначає пам'ять, що працює на 133 MHz , але має вдвічі більшу пропускну здатність , що дозволяє вказувати цифру 266 . Таким чином , DDR 266 - це просто -напросто нестандартне найменування PC2100 , а DDR 200 - відповідно PC1600 .
- CAS Latency.
Цей параметр у DDR-систем також трохи змінився. Для звичайної PC100/PC133-памяті CAS Latency могла бути дорівнює 3 або 2. Для DDR-пам'яті - 2,5 або 2. На даний момент практично всі продавані на локальному ринку PC2100-модулі в штатному режимі працюють саме з CAS 2,5, що, втім, не заважає багатьом з них нормально функціонувати при CAS 2.
- Bank Interleave.
Цей параметр підтримується чіпсетами VIA. Суть його полягає в тому, що вся пам'ять ділиться на "банки", і звернення до одного з них не перешкоджає одночасному формуванню запиту до іншого, що дозволяє прискорити доступ до пам'яті, коли необхідні адреси знаходяться в різних банках. Кількість банків може бути від одного до чотирьох. Відповідно, у випадку з одним банком функція Bank Interleave не має сенсу.
