Відмінності між версіями «Тунельний діод»

Поточна версія на 22:59, 22 травня 2017

Тунельний діод

Тунельні діоди – це напівпровідникові прилади, на вольт-амперній характеристиці яких наявна ділянка з від’ємним диференціальним опором. Виникнення такої ділянки обумовлене тунельним ефектом. Залежно від функціонального призначення тунельні діоди умовно поділяють на підсилювальні, генераторні та перемикальні.

Робота тунельних діодів заснована на тунельному ефекті. За високою концентрацією домішок і малою товщиною p-n переходу з подачею прямої напруги виникає струм, який стає максимальним вже при малих напругах, а при подальшому збільшенні напруги кількість електронів, здатних подолати бар’єр, зменшується, і струм швидко спадає. Отже, особлива відмінність ВАХ тунельного діода в тому, що вона має ділянку, на якій з ростом прямої напруги прямий струм спадає, що еквівалентно наявності на цій ділянці негативного диференціального опору.

Специфічними параметрами тунельних діодів є наступні:

1. Піковий струм Іп (долі-сотні мА);

2. Струм впадини Івп ;

3. Відношення струмів Іп ∕ Івп (одиниці-десятки);

4. Пікова напруга Uп (десятки-сотні мВ);

5. Напруга впадини Uвп (сотні мВ);

6. Питома ємність Сд ∕ Іп ;

7. Гранична резистивна частота fR – розрахункова частота, на якій активна складова повного опору тунельного діода перетворюється в нуль;

8. Резонансна частота f0 – розрахункова частота, на якій реактивна складова повного опору тунельного діода перетворюється в нуль.

<—повернутися до попередньої сторінки