Відмінності між версіями «Варикап»
Матеріал з Вікі ЦДУ
3445118 (обговорення • внесок) |
3445118 (обговорення • внесок) |
||
| Рядок 11: | Рядок 11: | ||
4. Добротність Qв – відношення реактивного опору варикапа на заданій частоті змінного сигналу (хс) до опору втрат (rвтр) при заданому значенні ємності або оберненої напруги: Qв= хс ∕ rвтр (десятки – сотні). | 4. Добротність Qв – відношення реактивного опору варикапа на заданій частоті змінного сигналу (хс) до опору втрат (rвтр) при заданому значенні ємності або оберненої напруги: Qв= хс ∕ rвтр (десятки – сотні). | ||
| − | 5. Температурний коефіцієнт ємності – від 2·10- 4 до 6·10- 4 | + | 5. Температурний коефіцієнт ємності – від 2·10^(-4) до 6·10^(-4), одиниці вимірювання:1/К. |
''[[Напівпровідниковий діод | <—повернутися до попередньої сторінки]]'' | ''[[Напівпровідниковий діод | <—повернутися до попередньої сторінки]]'' | ||
Версія за 20:18, 22 травня 2017
- Варикапом називають напівпровідниковий діод, призначений для використання в якості керованої електричною напругою ємності. Варикап працює при оберненій напрузі, прикладеній до р-n переходу. Його ємність може змінюватися в широких межах.
До основних параметрів вірикапів відносяться:
1. Загальна ємність Св – ємність, виміряна між виводами варикапа при заданій оберненій напрузі (десятки – сотні пФ).
2. Коефіцієнт перекриття по ємності – відношення ємностей варикапа при двох заданих значеннях обернених напруг: К=Св.макс ∕ Cв.мін (декілька одиниць – декілька десятків).
3. Опір втрат rвтр – сумарний активний опір, який включає опори кристалу, контактних з’єднань та виводів варикапа.
4. Добротність Qв – відношення реактивного опору варикапа на заданій частоті змінного сигналу (хс) до опору втрат (rвтр) при заданому значенні ємності або оберненої напруги: Qв= хс ∕ rвтр (десятки – сотні).
5. Температурний коефіцієнт ємності – від 2·10^(-4) до 6·10^(-4), одиниці вимірювання:1/К.
