Відмінності між версіями «Напівпровідниковий лазер»
2477747 (обговорення • внесок) (→Історична довідка) |
2477747 (обговорення • внесок) (→Технічні характеристики) |
||
| Рядок 13: | Рядок 13: | ||
==Технічні характеристики== | ==Технічні характеристики== | ||
| − | + | <big><big>'''Напівпровідниковий лазер:'''</big></big> | |
| + | Пристрій напівпровідникового лазера являє собою лазерний діод, накачується енергією електронів і дірок у зоні р-n-переходу – місці зіткнення з провідністю напівпровідників p – і n-типу. Крім того, існують напівпровідникові лазери з оптичним підведенням енергії, в яких пучок формується при поглинанні фотонів світла, а також квантові каскадні лазери, робота яких заснована на переходах всередині зон. | ||
| + | <br /><br /> | ||
==Сфера застосування == | ==Сфера застосування == | ||
Версія за 16:57, 23 квітня 2017
Роботу виконує Котляр Анна
Зміст
Загальний опис (принцип дії)
Напівпровідниковий лазер:
У звичайному стані більшість електронів розташоване на рівні валентності. При підводі фотонами енергії, перевищує енергію зони розриву, електрони напівпровідника приходять у стан збудження і, подолавши заборонену зону, переходять у вільну зону, концентруючись у її нижнього краю. Одночасно дірки, що утворилися на валентном рівні, піднімаються до її верхньої межі. Електрони у вільну зону рекомбінують з дірками, випромінюючи енергію, рівну енергії зони розриву, у вигляді фотонів. Рекомбінація може бути посилена фотонами з достатнім рівнем енергії. Чисельне опис відповідає функції розподілу Фермі.
Історична довідка
Лазери – це джерела когерентного оптичного випромінювання, принцип дії яких грунтується на використанні явища індукованого випромінювання. Слово «лазер» є абревіатуру англійської фрази «Light Amplificationby Stimulated Emission of Radiation», перекладної посилення світла результаті вимушеного випромінювання. Гіпотеза про існування вимушеного (індукованого) випромінювання пролунала в 1917 р. А. Ейнштейном. У 1940 р. професор Московського енергетичного інституту У. А.Фабрикант сформулював умови, і під час яких можна знайти індуковане випромінювання, а 1951 р. він разом із М. М.Вудинским і Ф. А.Бутаевой отримав авторське свідчення на засіб посилення електромагнітного випромінювання. Пристрій, котре генерує електромагнітні коливання з урахуванням використання явища індукованого випромінювання в НВЧ діапазоні, було створене 1953—1954 рр. М. Р.Басовим й О. М.Прохоровим у СРСР і групою Ч.Таунса США.
У 1958 р. А. М. Прохоров у СРСР, а США Ч.Таунс й О.Шавлов показали зокрема можливість використання індукованого випромінювання до створення генераторів когерентного оптичного випромінювання — лазерів. У 1959 р. М. Р.Басову й О. М.Прохорову за розробку нового принципу генерування і через посилення електромагнітних коливань й створення з урахуванням цього принципу НВЧ генераторів і підсилювачів присуджували Ленінська премія, а 1964 р. що з Ч.Таунсом — Нобелівську премію із фізики за дослідження у сфері квантової електроніки.
Технічні характеристики
Напівпровідниковий лазер:
Пристрій напівпровідникового лазера являє собою лазерний діод, накачується енергією електронів і дірок у зоні р-n-переходу – місці зіткнення з провідністю напівпровідників p – і n-типу. Крім того, існують напівпровідникові лазери з оптичним підведенням енергії, в яких пучок формується при поглинанні фотонів світла, а також квантові каскадні лазери, робота яких заснована на переходах всередині зон.
Сфера застосування
Опишіть сфери, способи та результати застосування експонату. Вкажіть при цьому часові інтервали застосування
Фото, відео-матеріали
Тут розмістіть власні фото або фото з відкритих джерел, а також посилання на відео
