Відмінності між версіями «Користувач:Лисоконь Дмитро»

Матеріал з Вікі ЦДУ
Перейти до: навігація, пошук
(Проекти в яких беру участь)
(Проекти в яких беру участь)
Рядок 128: Рядок 128:
 
ATX.
 
ATX.
  
==='''Оперативна пам'ять Samsung orig. 4 Гб'''===<br />
+
==='''Оперативна пам'ять Samsung orig. 4 Гб'''===  
 +
<br />
  
 
Модуль пам'яті Samsung DDR3 тисяча шістсот 4GB DIMM вигідно вирізняється серед конкурентів якісною збіркою друкованої плати. Тип оперативної пам'яті - DDR3, обсяг модуля - 4GB, тактова частота - 1600 МГц, пропускна здатність - 12 800 Мб/с.<br />
 
Модуль пам'яті Samsung DDR3 тисяча шістсот 4GB DIMM вигідно вирізняється серед конкурентів якісною збіркою друкованої плати. Тип оперативної пам'яті - DDR3, обсяг модуля - 4GB, тактова частота - 1600 МГц, пропускна здатність - 12 800 Мб/с.<br />

Версія за 20:36, 16 листопада 2015

Лисоконь Дмитро Віталійович

Про себе

......

Мої інтереси

....


Проекти в яких беру участь

В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.

Процесор AMD A6-6400K OEM.СПК

Процесор AMD A6-6400K працює на достатньо високій частоті (3.9 ГГц) і має інтегроване графічне ядро. Він ідеально підійде для продуктивних обчислювальних робочих систем і комплектації багатофункціональних мультимедійних систем. Також його цілком можна використовувати в ігрових системах.

213718.1424088037.jpg
213720.1424088037.jpg

Загальна характеристика
Тип процесор
Модель AMD A6-6400K
Основні параметри
Лінія AMD A6
Код процесора A6-6400K
Сокет FM2
Тип поставки OEM
Архітектура Piledriver
Ядро Richland
Техпроцес 32 нм
Кількість ядер 2
Максимальне число потоків
2 Кеш L1 (інструкції) 64 кб
Кеш L1 (дані) 32 кб
Об'єм кешу L2 1024 Кб
Об'єм кешу L3 немає


Чіпсет MSI A88X-G41 PC Mate

103 big.jpg

Процесори
AMD A4, A6, A8, A10, Athlon II у використанні Socket FM2 и Socket FM2+
Набір системної логіки
AMD A88X «Bolton-D4».

Оперативна пам'ять
2 x DDR3 раз'єма DIMM; до 32 Гбайт (небуферізованій, не-ECC); підтримка двоканального режиму, AMD A.M.P. і Intel X.M.P.; підтримка DDR3 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 МГц.
Аудіо

Realtek ALC887 (до 8 каналів).
Мережа

1 x Realtek RTL8111E (10/100/1000 Мбіт/с).
Слот розширення
1 слот PCI Express x16 3.0** (PCI_E2), фізичний як x16; 1 слот PCI Express 2.0 x16 (PCI_E4), фізичний як PCI-E x4; 2 слота PCI Express 2.0 x1; 3 слота PCI.
Підтримка графічних тандемів
AMD Dual Graphics і AMD CrossFire.
Дискова підсистема
AMD A88X: – 6 портів SATA 6 Гбіт/с; підтримка ACHI, NCQ, RAID 0, RAID 1, RAID 0+1.
USB
AMD A88X: – 10 портів USB 2.0/1.1 (3 роз'єма на платі для підключення 6 портів, 4 порта на задній панелі плати); – 4 порта USB 3.0/2.0/1.1 (1 роз'єма на платі для підключення 2 портів, 2 порта на задній панелі плати).
Роз'єми і інший функціонал на материнскій платі
1 x 24-pin ATX; 1 x 8-pin ATX 12V ; 6 x SATA 6 Гбит/с; 1 роз'єм для підключення вентиляторів системи охолодження процесора (1 x 4-pin); 3 роз'ємів для підключення додаткових вентиляторів (2 х 4-pin + 1 х 3-pin); 2 колодки передної панелі корпуса ; 1 колодка аудіороз'єму корпуса ; 1 колодка S/PDIF ; 3 колодки USB 2.0/1.1 для підключення 6 портов ; 1 колодка USB 2.0/1.1 для підключення 2 портов ; 1 колодка COM-порта ; 1 колодка TPM ; 1 колодка LPT ; 2 перемикачі чергового живлення на USB ; 1 перемичка скидання налаштувань CMOS; 1 колодка прямого програмування BIOS.
Розєми і інший функціонал на задній панелі
2 роз'єма PS/2 для підключення клавіатури и мишки; 1 роз'єм DVI-D ; 1 роз'єм D-Sub ; 4 порта USB 2.0/1.1; 2 порта USB 3.0/2.0/1.1 ; 1 мережевий порт RJ-45 ; 3 аудіороз'єма.
Контролер І/О
Fintek F71878AD.
BIOS
Одна нез'ємна мікросхема флеш-пам'яти Winbond 25Q64FVSIQ 64 Мбіт; AMI EFI BIOS; Підтримка багатомовної локалізації інтерфейсу (російський присутній).
Роз'єм,мм
305 x 214.
Форм фактор
ATX.

Оперативна пам'ять Samsung orig. 4 Гб


Модуль пам'яті Samsung DDR3 тисяча шістсот 4GB DIMM вигідно вирізняється серед конкурентів якісною збіркою друкованої плати. Тип оперативної пам'яті - DDR3, обсяг модуля - 4GB, тактова частота - 1600 МГц, пропускна здатність - 12 800 Мб/с.
Общие параметры Тип оперативная память Бренд, модель Samsung orig. Объем и состав комплекта Тип памяти DDR3 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 4 Гб Объем одного модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Конструктивные особенности Наличие радиатора нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Количество чипов каждого модуля 8 Двухсторонняя упаковка чипов нет Дополнительно Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Напряжение питания 1.5 В

Мої роботи

В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.