Відмінності між версіями «Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять»
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
<[[Історія комп'ютерної техніки]] | <[[Історія комп'ютерної техніки]] | ||
| + | ===Мікросхема пам’яті КР537РУ10=== | ||
| + | Мікросхема КР537РУ10 являє собою оперативний запам’ятовуючий пристрій статичного типу, виготовлений за технологією КМОН (CMOS). Інформаційна ємкість 2 КБ (2048×8 біт). Час доступу 180 нс. | ||
| + | |||
| + | Випускається ВАТ "ІНТЕГРАЛ", м. Мінськ, Республіка Білорусь. Корпус 239.24-2 (24-pin DIP) має 24 виводи. Містить 100 тис. транзисторів. | ||
| + | |||
| + | В режимі очікування споживає 0,4 мА, в динамічному режимі максимально 60 мА. Може зберігати інформацію при зниженні напруги до 2 В. Робоча температура –10…+70 °С. | ||
| + | |||
| + | ===Мікросхема пам’яті W24257AK-15=== | ||
| + | W24257AK-15 це мікросхема швидкісної пам’яті статичного типу на основі технології CMOS з низьким споживанням енергії. Має інформаційну ємкість 32 КБ (32768 x 8 біт). Час доступу 15 нс. | ||
| + | |||
| + | Всі входи і виходи TTL-сумісні. Виходи мають третій стан. | ||
| + | |||
| + | Корпус 28-pin skinny DIP (худий DIP), випускається також в інших корпусах (SOJ, SOP, TSOP). | ||
| + | |||
| + | Живиться від одного джерела +5В, споживає в режимі очікування 10 мА, максимально до 150 мА. Типова потужність 400 мВт. Робоча температура 0…+70 ºC. | ||
| + | |||
'''Нога, 16 група''' | '''Нога, 16 група''' | ||
Версія за 01:00, 11 листопада 2015
Мікросхема пам’яті КР537РУ10
Мікросхема КР537РУ10 являє собою оперативний запам’ятовуючий пристрій статичного типу, виготовлений за технологією КМОН (CMOS). Інформаційна ємкість 2 КБ (2048×8 біт). Час доступу 180 нс.
Випускається ВАТ "ІНТЕГРАЛ", м. Мінськ, Республіка Білорусь. Корпус 239.24-2 (24-pin DIP) має 24 виводи. Містить 100 тис. транзисторів.
В режимі очікування споживає 0,4 мА, в динамічному режимі максимально 60 мА. Може зберігати інформацію при зниженні напруги до 2 В. Робоча температура –10…+70 °С.
Мікросхема пам’яті W24257AK-15
W24257AK-15 це мікросхема швидкісної пам’яті статичного типу на основі технології CMOS з низьким споживанням енергії. Має інформаційну ємкість 32 КБ (32768 x 8 біт). Час доступу 15 нс.
Всі входи і виходи TTL-сумісні. Виходи мають третій стан.
Корпус 28-pin skinny DIP (худий DIP), випускається також в інших корпусах (SOJ, SOP, TSOP).
Живиться від одного джерела +5В, споживає в режимі очікування 10 мА, максимально до 150 мА. Типова потужність 400 мВт. Робоча температура 0…+70 ºC.
Нога, 16 група
SIMM-30 BV4100 T9444-7 + 9435HCK – 6 шт.
SIMM-72 ACT 9635Y TM417400HJ-6
SIMM-72 Z417400 + BP44C 4001-6
SIMM-72 – 4 шт.
Євенко, 16 група
SDRAM (DIMM) PC-133 – 10 шт.
DDR ? – 1 шт.
Corsair 1GB DDR Memory (VS1GB400C3)
