Відмінності між версіями «Навчальний курс "Фізика напівпровідників", ФІ»
| Рядок 56: | Рядок 56: | ||
Фізика та технологія напівпровідникових приладів | Фізика та технологія напівпровідникових приладів | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
=Зміст курсу= | =Зміст курсу= | ||
Версія за 11:41, 14 січня 2015
Зміст
Назва курсу
Фізика напівпровідників. ФІ
Галузь знань: 0402 Фізико-математичні науки
Спеціальність: 8.04020301Фізика*
Мета та завдання навчального курсу
Мета викладання навчальної дисципліни: дати базові знання з фізики напівпровідників, необхідні для розуміння фізичних процесів, що протікають в напівпровідниках.
Основними завданнями вивчення дисципліни є вивчення основних уявлень фізики напівпровідників: статистика рівноважних електронів і дірок в напівпровідниках і нерівноважні носії заряду, що необхідно для розуміння багатьох електричних, фотоелектричних і оптичних явищ в напівпровідниках; кінетичні явища, а також пов'язана безпосередньо з ними теорія розсіяння, котрі відіграють основну роль при вивченні напівпровідників і напівпровідникових приладів. .
У результаті вивчення навчального курсу студент повинен
знати:
фізичні ефекти, що супроводжують дію сильних електричних полів на напівпровідники, передбачувати наслідки дії цих ефектів для динамічних властивостей та концентрації носіїв заряду; фізичні ефекти, що супроводжують дію сильного постійного магнітного поля та електромагнітного поля на невироджений і вироджений (електронна однокомпонентна плазма) електронний газ напівпровідника; сучасний стан фізичної теорії, технологічних аспектів та практики застосування різних видів напівпровідників.
вміти:
- за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати критичну напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок розігріву електронного газу (утворюються “теплі” електрони) і критичну напруженість поля, після якої струм не залежить від напруженості поля (“гарячі” електрони); - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок збільшення концентрації носіїв заряду для ефектів ударної іонізації, тунельного і термоелектронної іонізації. - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати радіус екранування Дебая, час релаксації Максвелла, частоту плазмового резонансу для об’ємного заряду основних носіїв; - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника, магнітною індукцією та теоретичними співвідношеннями визначити циклотронну частоту і силу магнітного поля; - за наявною із літературних джерел інформацією про особливості активації донорів і акцепторів у різних типах напівпровідників розраховувати повну концентрацію цих домішок, необхідну для отримання заданого значення питомого опору;
Автор курсу
Царенко О.М.
Учасники
Група 62, денна; фізико-математичний факультет, 2014-15 н.р. викладач Царeнко Олег Миколайович, Отримати консультацію
Група 62, заочна денна; фізико-математичний факультет, 2014-15 н.р. викладач Царeнко Олег Миколайович, Отримати консультацію
Графік навчання
Структура дисципліни
Змістовий модуль 1
Основи зонної теорії та пояснення властивостей напівпровідників на її основі
Змістовий модуль 2
Фізика та технологія напівпровідникових приладів
Зміст курсу
Змістовий модуль І. Назва модулю
Тема 1. Назва теми
Теоретичний матеріал
Практичні завдання
Самостійна робота
Змістовий модуль ІІ. Назва модулю
Тема 1. Назва теми
Теоретичний матеріал
Практичні завдання
Самостійна робота
Змістовий модуль ІІІ. Назва модулю
Тема 1. Назва теми
Теоретичний матеріал
Практичні завдання
Самостійна робота
Ресурси
Рекомендована література
Базова
Допоміжна
Інформаційні ресурси
---
