Версія за 11:38, 14 січня 2015

Назва курсу

Фізика напівпровідників. ФІ

Галузь знань: 0402 Фізико-математичні науки

Спеціальність: 8.04020301Фізика*

Мета та завдання навчального курсу

Мета викладання навчальної дисципліни: дати базові знання з фізики напівпровідників, необхідні для розуміння фізичних процесів, що протікають в напівпровідниках.

Основними завданнями вивчення дисципліни є вивчення основних уявлень фізики напівпровідників: статистика рівноважних електронів і дірок в напівпровідниках і нерівноважні носії заряду, що необхідно для розуміння багатьох електричних, фотоелектричних і оптичних явищ в напівпровідниках; кінетичні явища, а також пов'язана безпосередньо з ними теорія розсіяння, котрі відіграють основну роль при вивченні напівпровідників і напівпровідникових приладів. .

У результаті вивчення навчального курсу студент повинен

знати:

фізичні ефекти, що супроводжують дію сильних електричних полів на напівпровідники, передбачувати наслідки дії цих ефектів для динамічних властивостей та концентрації носіїв заряду; фізичні ефекти, що супроводжують дію сильного постійного магнітного поля та електромагнітного поля на невироджений і вироджений (електронна однокомпонентна плазма) електронний газ напівпровідника; сучасний стан фізичної теорії, технологічних аспектів та практики застосування різних видів напівпровідників.

вміти:

- за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати критичну напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок розігріву електронного газу (утворюються “теплі” електрони) і критичну напруженість поля, після якої струм не залежить від напруженості поля (“гарячі” електрони); - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати напруженість поля, після якої порушується закон Ома внаслідок збільшення концентрації носіїв заряду для ефектів ударної іонізації, тунельного і термоелектронної іонізації. - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника та теоретичними співвідношеннями визначати радіус екранування Дебая, час релаксації Максвелла, частоту плазмового резонансу для об’ємного заряду основних носіїв; - за відомими електрофізичними параметрами напівпровідника, магнітною індукцією та теоретичними співвідношеннями визначити циклотронну частоту і силу магнітного поля; - за наявною із літературних джерел інформацією про особливості активації донорів і акцепторів у різних типах напівпровідників розраховувати повну концентрацію цих домішок, необхідну для отримання заданого значення питомого опору;

Робоча програма курсу

Автор курсу

Царенко О.М.

Учасники

Група 62, денна; фізико-математичний факультет, 2014-15 н.р. викладач Царeнко Олег Миколайович, Отримати консультацію

Група 62, заочна денна; фізико-математичний факультет, 2014-15 н.р. викладач Царeнко Олег Миколайович, Отримати консультацію

Графік навчання

Варіант Структура

Змістовий модуль 1

Навчальні теми змістового модуля 1.

Змістовий модуль 2

Навчальні теми змістового модуля 2.

Змістовий модуль 3

Навчальні теми змістового модуля 3.

Змістовий модуль 4

Навчальні теми змістового модуля 4.

Варіант Календар

Тиждень 1

Навчальні теми для вивчення на 1-му тижні.

Тиждень 2

Навчальні теми для вивчення на 2-му тижні.

Тиждень 3

Навчальні теми для вивчення на 3-му тижні.

Тиждень 4

Навчальні теми для вивчення на 4-му тижні.

Зміст курсу

Змістовий модуль І. Назва модулю

Тема 1. Назва теми

Теоретичний матеріал

Лекція №1

Лекція №2

Лекція №3

Практичні завдання

Практична №1

Практична №2

Самостійна робота

Самостійна робота №1

Самостійна робота №2

Змістовий модуль ІІ. Назва модулю

Тема 1. Назва теми

Теоретичний матеріал

Лекція №1

Лекція №2

Лекція №3

Практичні завдання

Практична №1

Практична №2

Самостійна робота

Самостійна робота №1

Самостійна робота №2

Змістовий модуль ІІІ. Назва модулю

Тема 1. Назва теми

Теоретичний матеріал

Лекція №1

Лекція №2

Лекція №3

Практичні завдання

Практична №1

Практична №2

Самостійна робота

Самостійна робота №1

Самостійна робота №2

Ресурси

Рекомендована література

Базова

Допоміжна

Інформаційні ресурси

---