Відмінності між версіями «Мікросхема пам’яті КР537РУ10»

Версія за 20:32, 22 травня 2017

Загальний опис (принцип дії)

Мікросхема КР537РУ10 являє собою оперативний запам’ятовуючий пристрій статичного типу, виготовлений за технологією КМОН (CMOS). Інформаційна ємкість 2 КБ (2048×8 біт). Час доступу 180 нс.
Мікросхема пам'яті КР537РУ10 містить виконані в одному напівпровідниковому кристалі матрицю-накопичувач, що представляє собою сукупність елементів пам'яті (ЕП), і функціональні вузли, необхідні для управління матрицею-накопичувачем, посилення сигналів під час запису і зчитуванні, забезпечення режиму синхронізації. Функції ЕП зазвичай виконують або тригер (в статичних ЗУ), або електричний конденсатор (в динамічних ЗУ). Елемент пам'яті може зберігати один розряд числа. Один біт інформації. Елементи пам'яті розташовані на перетинах рядків і стовпців матриці , так що їх загальне число дорівнює добутку тп. Для звернення до потрібного ЕП (вибірки ЕП) сигналами одиничного рівня порушуються адресні шини рядки і стовпці, на перетині яких знаходиться даний ЕП. На всіх інших адресних шинах повинні бути сигнали нульового рівня. Така система адресації інформації (вибірки ЕП) при зверненні до накопичувача отримала назву двухкоординатної.
Принцип роботи
В сучасних комп'ютерах фізично DRAM-пам'ять являє собою плату — модуль, на якому розміщуються мікросхеми пам'яті зі спеціалізованим з'єднувачем для підключення до материнської плати. Роль комірок відіграють конденсатори та транзистори, які розташовані всередині мікросхем пам'яті. Конденсатори заряджеються у випадку, коли в комірку заноситься одиничний біт, або розряжається у випадку, якщо в комірку заноситься нульовий біт. Транзистори потрібні для утримання заряду всередині конденсатора. За відсутності подачі електроенергії до оперативної пам'яті відбувається розряження конденсаторів і пам'ять спустошується. Ця динамічна зміна заряду конденсатора і є основним принципом роботи пам'яті типу DRAM. Елементом пам'яті такого типу є чутливий підсилювач (англ. sense amp), який підключений до кожного із стовпців прямокутника. Він реагує на слабкий потік електронів, які рухаються через відкриті транзистори із обкладинок конденсаторів, і зчитує цілком всю сторінку. Саме сторінки і є мінімальною порцією обміну із динамічною пам'яттю, тому що обмін даними із окремо взятою коміркою нереальний.
Регенерація
На відміну від статичної пам'яті типу SRAM (англ. static random access memory), яка є конструктивно складнішим і дорожчим типом пам'яті RAM та використовується в основному для кеш-пам'яті, пам'ять DRAM виготовлюється на основі конденсаторів невеликої ємності, які швидко втрачають заряд, тому інформацію приходиться оновлювати через певні проміжки часу щоб уникнути втрати даних. Цей процес називається регенерацією пам'яті. Цей процес реалізовується спеціальним мікроконтролером, встановленим на материнській платі, або інтегрованому в кристал центрального процесора. Протягом певного часу, який називається крок регенерації, в DRAM перезаписується ціла стрічка комірок, і через кожні 8-64 мс оновлюються всі стрічки пам'яті.

Процес регенерації пам'яті в класичному варіанті суттєво «гальмує» роботу системи, оскільки в цей час обмін даними із пам'яттю неможливий. Регенерація, яка основана на принципі перебору стрічок не використовується в сучасних типах DRAM. Існують декілька економічніших варіантів даного процесу — розширений, пакетний, розподільчий; найекономічнішим є метод прихованої регенерації.

Історична довідка

Персоналії, виробники, історія відкриття, виробництва тощо

Технічні характеристики

Технічні характеристики

Сфера застосування

Опишіть сфери, способи та результати застосування експонату. Вкажіть при цьому часові інтервали застосування

Фото, відео-матеріали

Тут розмістіть власні фото або фото з відкритих джерел, а також посилання на відео

Список використаних джерел