Відмінності між версіями «Тунельний діод»
Матеріал з Вікі ЦДУ
3445118 (обговорення • внесок) (Створена сторінка: **'''''Тунельні діоди''' – це напівпровідникові прилади, на вольт-амперній характеристиці...) |
3445118 (обговорення • внесок) |
||
| Рядок 18: | Рядок 18: | ||
8. Резонансна частота f0 – розрахункова частота, на якій реактивна складова повного опору тунельного діода перетворюється в нуль. | 8. Резонансна частота f0 – розрахункова частота, на якій реактивна складова повного опору тунельного діода перетворюється в нуль. | ||
| + | |||
| + | ''[[Напівпровідниковий діод | <—повернутися до попередньої сторінки]]'' | ||
Версія за 20:20, 22 травня 2017
- Тунельні діоди – це напівпровідникові прилади, на вольт-амперній характеристиці яких наявна ділянка з від’ємним диференціальним опором. Виникнення такої ділянки обумовлене тунельним ефектом. Залежно від функціонального призначення тунельні діоди умовно поділяють на підсилювальні, генераторні та перемикальні.
Специфічними параметрами тунельних діодів є наступні:
1. Піковий струм Іп (долі-сотні мА);
2. Струм впадини Івп ;
3. Відношення струмів Іп ∕ Івп (одиниці-десятки);
4. Пікова напруга Uп (десятки-сотні мВ);
5. Напруга впадини Uвп (сотні мВ);
6. Питома ємність Сд ∕ Іп ;
7. Гранична резистивна частота fR – розрахункова частота, на якій активна складова повного опору тунельного діода перетворюється в нуль;
8. Резонансна частота f0 – розрахункова частота, на якій реактивна складова повного опору тунельного діода перетворюється в нуль.
