Відмінності між версіями «SDRAM DIMM»

Матеріал з Вікі ЦДУ
Перейти до: навігація, пошук
(Технічні характеристики)
(Технічні характеристики)
Рядок 17: Рядок 17:
  
 
==Технічні характеристики==
 
==Технічні характеристики==
Частота передачі даних<ref>[http://2user.ru/articles/1/kharakteristiki-i-markirovka-operativnoi-pamyati.html Городская компьютерная служба]</ref>:
+
Частота передачі даних<ref>[http://2user.ru/articles/1/kharakteristiki-i-markirovka-operativnoi-pamyati.html Городская компьютерная служба]</ref>: 200-400 МГц
*200-400 МГц
+
 
Об'єм
+
Об'єм: 1 Гб
*1 Гб
+
 
Напруга живлення мікросхем: 2,6 В ± 0,1 В.
+
Напруга живлення мікросхем: 2,6 В ± 0,1 В<ref>[http://sysadm.pp.ua/interestnoe/ram.html Системное администрирование и мониторинг Linux/Windows серверов и видео CDN]</ref>.
 +
 
 
Потужність: 527 мВт
 
Потужність: 527 мВт
 +
 
Інтерфейс вводу-виводу: SSTL_2
 
Інтерфейс вводу-виводу: SSTL_2
  

Версія за 18:48, 16 квітня 2017

ГоловнаІсторія комп'ютерної технікиІсторія комп'ютерної техніки/SDRAM DIMM

Emblema-MIT.png

Загальний опис (принцип дії)

SDRAM – тип динамічної пам’яті, яка працює синхронно з контролером пам’яті, завдяки чому усуваються такти очікування, характерні для асинхронної пам’яті. Перші комерційні зразки модулів SDRAM були представлені Samsung у 1993 році, до 2000-го року вони стали наймасовішими.
Матриця пам’яті SDRAM поділяється на кілька банків, завдяки чому можлива конвеєризація вхідних команд, які почергово звертаються до різних банків, тому загальна швидкість обробки даних зростає. Ефективність SDRAM значно вища, ніж FPM та EDO.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, ніж в SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту , як в SDRAM, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті. Таким чином, при роботі DDR на частоті 100 МГц ми отримаємо ефективну частоту 200 МГц (при порівнянні з аналогом SDR SDRAM)[1].

Історична довідка

Масовий випуск SDRAM почався в 1993 році. Спочатку цей тип пам'яті пропонувався в якості альтернативи для дорогою відеопам'яті (VRAM), проте незабаром SDRAM завоював популярність і став застосовуватися в якості ОЗУ, поступово витісняючи інші типи динамічної пам'яті. Наступні потім технології DDR дозволили зробити SDRAM ще ефективніше. За розробкою DDR SDRAM пішли стандарти DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM і DDR4 SDRAM.
DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двосторонній модуль пам'яті) - форм-фактор модулів пам'яті DRAM. Даний форм-фактор прийшов на зміну форм-фактору SIMM. Основною відмінністю DIMM від попередника є те, що контакти, розташовані на різних сторонах модуля, є незалежними, на відміну від SIMM, де симетричні контакти, розташовані на різних сторонах модуля, замкнуті між собою і передають одні й ті ж сигнали. Крім того, DIMM реалізує функцію виявлення і виправлення помилок в 64 (без контролю парності) або 72 (з контролем по парності або коду ECC) лініях передачі даних, на відміну від SIMM c 32 лініями.

Технічні характеристики

Частота передачі даних[2]: 200-400 МГц

Об'єм: 1 Гб

Напруга живлення мікросхем: 2,6 В ± 0,1 В[3].

Потужність: 527 мВт

Інтерфейс вводу-виводу: SSTL_2

Сфера застосування

Опишіть сфери, способи та результати застосування експонату. Вкажіть при цьому часові інтервали застосування

Фото, відео-матеріали

Тут розмістіть власні фото або фото з відкритих джерел, а також посилання на відео

Список використаних джерел

  1. DDR SDRAM
  2. Городская компьютерная служба
  3. Системное администрирование и мониторинг Linux/Windows серверов и видео CDN

Модулі SDRAM DIMM мають 168 виводів, 64 з яких займає шина даних. Вони працюють на частотах: 66, 100 та 133 МГц, що забезпечує швидкість передачі даних 533, 800 та 1066 МБ/с.

Модулі DIMM підтримують автоматичну ідентифікацію SPD (Serial Presence Detect).

Наявні 10 неідентифікованих модулів SDRAM DIMM стандарту PC133.