Відмінності між версіями «Мікросхема ПЗП КС573РФ2»
Ikysla (обговорення • внесок) (Створена сторінка: міні Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолето...) |
3608677 (обговорення • внесок) |
||
Рядок 1: | Рядок 1: | ||
[[Файл:КС573РФ2.jpg|міні]] | [[Файл:КС573РФ2.jpg|міні]] | ||
+ | Підготував Вронін дмитро 31 група | ||
Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолетовим стиранням надає можливість довготривалого зберігання інформації при включеному та виключеному живленні. | Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолетовим стиранням надає можливість довготривалого зберігання інформації при включеному та виключеному живленні. | ||
− | Призначений для роботи в блоках пам’яті обчислювальних пристроїв для зберігання програмного | + | Призначений для роботи в блоках пам’яті обчислювальних пристроїв для зберігання програмного та масивів констант. |
ПЗП може зберігати 2 КБ даних не менше 100 тис. годин. Час доступу 450 нс. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим опромінюванням з довжиною хвилі 253,7 нм. Витримує не менше 100 циклів перепрограмування. | ПЗП може зберігати 2 КБ даних не менше 100 тис. годин. Час доступу 450 нс. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим опромінюванням з довжиною хвилі 253,7 нм. Витримує не менше 100 циклів перепрограмування. | ||
За вхідними та вихідними сигналами сумісний з TTL-системами. Напруга живлення 5 В. Працює при температурі –60…+85 ºC. Корпус 2120.24-12. Термін зберігання 25 років. | За вхідними та вихідними сигналами сумісний з TTL-системами. Напруга живлення 5 В. Працює при температурі –60…+85 ºC. Корпус 2120.24-12. Термін зберігання 25 років. | ||
+ | Содержание драгоценных металлов в микросхеме КС573РФ2. | ||
+ | Золото: 0,0054 грамм. | ||
+ | Серебро: 0 грамм. | ||
+ | Платина: 0 грамм. | ||
+ | Палладий: 0 грамм. | ||
+ | На основании информации: . | ||
+ | |||
+ | микросхема — интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочип (англ. microchip, silicon chip, chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки. | ||
+ | |||
+ | Часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа. | ||
+ | |||
+ | Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС, чипом) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате). | ||
+ | |||
+ | характеристика микросхем: | ||
+ | |||
+ | Логический — логическая схема (логические инверторы, элементы ИЛИ-НЕ, И-НЕ и т. п.). | ||
+ | Схемо- и системотехнический уровень — схемо- и системотехнические схемы (триггеры, компараторы, шифраторы, дешифраторы, АЛУ и т. п.). | ||
+ | Электрический — принципиальная электрическая схема (транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. п.). | ||
+ | Физический — методы реализации одного транзистора (или небольшой группы) в виде легированных зон на кристалле. | ||
+ | Топологический — топологические фотошаблоны для производства. | ||
+ | Программный уровень — позволяет программисту программировать (для ПЛИС, микроконтроллеров и микропроцессоров) разрабатываемую модель используя виртуальную схему. | ||
+ | |||
+ | параметры микросхем | ||
+ | |||
+ | В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем: | ||
+ | |||
+ | малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле, | ||
+ | средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле, | ||
+ | большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле, | ||
+ | сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле. | ||
+ | |||
+ | Ранее использовались также теперь устаревшие названия: ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 млрд элементов в кристалле и гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 млрд элементов в кристалле, сейчас (2013 г.) названия «УБИС» и «ГБИС» практически не используются, и все микросхемы с числом элементов более 10 тыс. относят к классу СБИС. | ||
+ | |||
+ | назначение микросхем | ||
+ | Аналоговые. | ||
+ | Цифровые. | ||
+ | Аналого-цифровые. | ||
+ | |||
+ | Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания. | ||
+ | |||
+ | Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логический ноль или логическая единица, каждому из которых соответствует определённый диапазон напряжения. Например, для микросхем типа ТТЛ при напряжении питания +5 В диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а диапазон 2,4—5 В — логической единице; для микросхем ЭСЛ-логики при напряжении питания −5,2 В диапазон от −0,8 до −1,03 В — логической единице, а от −1,6 до −1,75 В — логическому нулю. | ||
+ | |||
+ | Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и аналоговой обработки сигналов, например, усилитель сигнала и аналого-цифровой преобразователь. | ||
+ | |||
+ | устройство микросхемы | ||
+ | Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия, оксид гафния). | ||
+ | Плёночная интегральная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок: | ||
+ | толстоплёночная интегральная схема; | ||
+ | тонкоплёночная интегральная схема. | ||
+ | Гибридная микросхема (часто называемая микросборкой), содержит несколько бескорпусных диодов, бескорпусных транзисторов и(или) других электронных активных компонентов. Также микросборка может включать в себя бескорпусные интегральные микросхемы. Пассивные компоненты микросборки (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) обычно изготавливаются методами тонкоплёночной или толстоплёночной технологий на общей, обычно керамической подложке гибридной микросхемы. Вся подложка с компонентами помещается в единый герметизированный корпус. | ||
+ | Смешанная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит тонкоплёночные (толстоплёночные) пассивные элементы, размещённые на поверхности кристалла. | ||
+ | |||
+ | топология микросхем | ||
+ | Топология интегральной микросхемы — зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие | ||
+ | обозначение микросхем | ||
+ | |||
+ | Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем | ||
+ | |||
+ | Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11 073.915-2000. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. | ||
+ | |||
+ | Первый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению: | ||
+ | |||
+ | 1,5,6,7 — полупроводниковые микросхемы; | ||
+ | 2,4,8 – гибридные микросхемы; | ||
+ | 3 — прочие (пленочные, керамические и т.д.) | ||
+ | |||
+ | Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии микросхем. | ||
+ | |||
+ | Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы. | ||
+ | |||
+ | А Формирователи: | ||
+ | |||
+ | АА — адресные; | ||
+ | АГ — импульсов прямоугольной формы; | ||
+ | АИ — временных интервалов (таймеры); | ||
+ | АН — напряжения; | ||
+ | АП — прочие; | ||
+ | АР — разрядные; | ||
+ | АТ — тока; | ||
+ | АФ — импульсов специальной формы. | ||
+ | |||
+ | Б Базовые кристаллы: | ||
+ | |||
+ | БА — аналоговые; | ||
+ | БК — комбинированные; | ||
+ | БП — прочие; | ||
+ | БЦ — цифровые. | ||
+ | |||
+ | В Схемы вычислительных устройств: | ||
+ | |||
+ | ВА — схемы сопряжения с магистралью; | ||
+ | ВБ — схемы синхронизации; | ||
+ | ВВ — схемы управления вводом — выводом; | ||
+ | ВГ — контроллеры; | ||
+ | ВЕ — однокристальные микро-ЭВМ; | ||
+ | ВК — комбинированные схемы; | ||
+ | ВМ — микропроцессоры, сопроцессоры; | ||
+ | ВН — схемы управления прерыванием; | ||
+ | ВП — прочие; | ||
+ | ВС — микропроцессорные секции; | ||
+ | ВТ — схемы управления памятью; | ||
+ | ВУ — схемы микропрограммного управления; | ||
+ | ВХ — микрокалькуляторы; | ||
+ | ВЦ — процессоры цифровой обработки сигналов; | ||
+ | ВЮ — контроллеры с аналоговыми входами и выходами; | ||
+ | ВЯ — процессоры цифровой обработки сигналов с аналоговыми входами и выходами. | ||
+ | |||
+ | Г Генераторы сигналов: | ||
+ | |||
+ | ГГ — прямоугольных сигналов; | ||
+ | ГЛ — линейно — изменяющихся сигналов; | ||
+ | ГМ — шума; | ||
+ | ГН — программируемые; | ||
+ | ГП — прочие; | ||
+ | ГС — гармонических сигналов; | ||
+ | ГФ — сигналов специальной формы. | ||
+ | |||
+ | Д Детекторы: | ||
+ | |||
+ | ДА — амплитудные; | ||
+ | ДИ — импульсные; | ||
+ | ДП — прочие; | ||
+ | ДС — частотные; | ||
+ | ДФ — фазовые. | ||
+ | |||
+ | Е Схемы источников вторичного питания: | ||
+ | |||
+ | ЕА – стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные однополярные асимметричные; | ||
+ | ЕВ — выпрямители; | ||
+ | ЕГ – стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые отрицательной полярности; | ||
+ | ЕД- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные симметричные; | ||
+ | ЕИ –стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные отрицательной полярности; | ||
+ | ЕК — стабилизаторы напряжения импульсные; | ||
+ | ЕЛ- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные асимметричные; | ||
+ | ЕН — стабилизаторы напряжения непрерывные; | ||
+ | ЕП – прочие; | ||
+ | ЕР- стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые положительной полярности; | ||
+ | ЕС — источники вторичного питания; | ||
+ | ЕТ — стабилизаторы тока; | ||
+ | ЕУ — устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения. | ||
+ | |||
+ | И Схемы цифровых устройств: | ||
+ | |||
+ | ИА — арифметико — логические устройства; | ||
+ | ИВ — шифраторы; | ||
+ | ИД — дешифраторы; | ||
+ | ИЕ — счетчики; | ||
+ | ИК — комбинированные; | ||
+ | ИЛ — полусумматоры; | ||
+ | ИМ — сумматоры; | ||
+ | ИН — приемники, передатчики, приемо-передатчики; | ||
+ | ИП — прочие; | ||
+ | ИР — регистры; | ||
+ | ИФ — функциональные расширители. | ||
+ | |||
+ | К Коммутаторы и ключи: | ||
+ | |||
+ | КН — напряжения; | ||
+ | КП — прочие; | ||
+ | КТ — тока. | ||
+ | |||
+ | Л Логические элементы: | ||
+ | |||
+ | ЛА — И-НЕ; | ||
+ | ЛБ — И-НЕ/ИЛИ-НЕ; | ||
+ | ЛД — расширители; | ||
+ | ЛЕ — ИЛИ-НЕ; | ||
+ | ЛИ — И; | ||
+ | ЛК — И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ; | ||
+ | ЛЛ — ИЛИ; | ||
+ | ЛМ — ИЛИ-НЕ (ИЛИ); | ||
+ | ЛН — НЕ; | ||
+ | ЛП – прочие; | ||
+ | ЛР — И-ИЛИ-НЕ; | ||
+ | ЛС — И-ИЛИ. | ||
+ | |||
+ | М Модуляторы: | ||
+ | |||
+ | МА — амплитудные; | ||
+ | MИ — импульсные; | ||
+ | MП — прочие; | ||
+ | MС — частотные; | ||
+ | MФ — фазовые. | ||
+ | |||
+ | Н Наборы элементов: | ||
+ | |||
+ | НД — диодов; | ||
+ | НЕ — конденсаторов; | ||
+ | НК — комбинированные; | ||
+ | НП – прочие; | ||
+ | НР — резисторов; | ||
+ | НТ — транзисторов; | ||
+ | НФ – функциональные. | ||
+ | |||
+ | П Преобразователи: | ||
+ | |||
+ | ПА — цифро — аналоговые; | ||
+ | ПВ — аналого — цифровые; | ||
+ | ПД — длительности (импульсов); | ||
+ | ПК — делители частоты аналоговые; | ||
+ | ПЛ — синтезаторы частоты; | ||
+ | ПН — напряжения; | ||
+ | ПП – прочие; | ||
+ | ПР — код — код; | ||
+ | ПС — частоты; | ||
+ | ПУ — уровня (согласователи); | ||
+ | ПФ — функциональные; | ||
+ | ПЦ — делители частоты цифровые. | ||
+ | |||
+ | Р Запоминающие устройства: | ||
+ | |||
+ | РА — ассоциативные запоминающие устройства; | ||
+ | РВ — матрицы постоянных запоминающих устройств; | ||
+ | РГ — ОЗУ регистрового типа; | ||
+ | РД — Динамические ОЗУ | ||
+ | РЕ — ПЗУ масочные; | ||
+ | РК — ОЗУ многопортовые; | ||
+ | РМ — матрицы ОЗУ; | ||
+ | РН – Энергозависимые статические ЗУ с хранением информации при отключении питания; | ||
+ | РП — прочие | ||
+ | РУ — ОЗУ; | ||
+ | РР — ПЗУ с многократным электрическим перепрограммированием и параллельным вводом/выводом; | ||
+ | РС- ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом; | ||
+ | РТ — ПЗУ с возможностью однократного программирования; | ||
+ | РУ- Статические оперативные запоминающие устройства; | ||
+ | РФ — ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации; | ||
+ | РЦ — запоминающие устройства на ЦМД. | ||
+ | |||
+ | С Схемы сравнения: | ||
+ | |||
+ | CА — компараторы напряжения; | ||
+ | CВ — временные; | ||
+ | СК — амплитудные; | ||
+ | CП — прочие; | ||
+ | CС — частотные; | ||
+ | СЦ — цифровые. | ||
+ | |||
+ | Т Триггеры: | ||
+ | |||
+ | ТВ — Универсальный (типа J-K); | ||
+ | ТД — динамические; | ||
+ | ТК – комбинированные (типов D-T, R-S-T и т.п.); | ||
+ | ТЛ — Шмита; | ||
+ | ТМ — с задержкой (типа D); | ||
+ | ТП — прочие; | ||
+ | ТР – с раздельным запуском (типа R-S); | ||
+ | ТТ – счетные (типа Т). | ||
+ | |||
+ | У Усилители: | ||
+ | |||
+ | УБ — инструментальные; | ||
+ | УВ — высокой частоты; | ||
+ | УГ — малошумящие; | ||
+ | УД — операционные; | ||
+ | УЕ — повторители; | ||
+ | УИ — импульсные; | ||
+ | УК — широкополосные; | ||
+ | УЛ — считывания и воспроизведения; | ||
+ | УМ — индикации; | ||
+ | УН — низкой частоты; | ||
+ | УП — прочие; | ||
+ | УР — промежуточной частоты; | ||
+ | УС — дифференциальные; | ||
+ | УТ — постоянного тока. | ||
+ | |||
+ | Ф Фильтры: | ||
+ | |||
+ | ФА — адаптивные цифровые; | ||
+ | ФБ — полосовые; | ||
+ | ФВ — верхних частот; | ||
+ | ФМ — программируемые; | ||
+ | ФН — нижних частот; | ||
+ | ФП — прочие; | ||
+ | ФР — режекторные; | ||
+ | ФУ — универсальные. | ||
+ | |||
+ | Х Многофункциональные устройства: | ||
+ | |||
+ | ХА — аналоговые; | ||
+ | ХБ- для радио, телевидения, магнитофонов, дисплеев; | ||
+ | ХВ- для автоэлектроники; | ||
+ | ХД- для коммуникационной аппаратуры; | ||
+ | ХИ — аналоговые матрицы; | ||
+ | ХК -комбинированные; | ||
+ | ХЛ — цифровые; | ||
+ | ХП – прочие; | ||
+ | ХР- для бытовых приборов; | ||
+ | ХС- программируемые логические микросхемы; | ||
+ | ХХ- силовой электроники. | ||
+ | |||
+ | Ц Фоточувствительные схемы с зарядовой связью: | ||
+ | |||
+ | ЦЛ — линейные; | ||
+ | ЦМ — матричные; | ||
+ | ЦП — прочие. | ||
+ | |||
+ | Ч Преобразователи физических величин и компоненты датчиков: | ||
+ | |||
+ | ЧВ — влажности; | ||
+ | ЧГ — газов; | ||
+ | ЧД — давления; | ||
+ | ЧИ — ионизирующих излучений; | ||
+ | ЧМ — механических перемещений; | ||
+ | ЧП — прочие; | ||
+ | ЧТ — температуры; | ||
+ | ЧЭ — электромагнитного поля. | ||
+ | |||
+ | Э Схемы задержки: | ||
+ | |||
+ | ЭМ — пассивные; | ||
+ | ЭП — прочие; | ||
+ | ЭР — активные. | ||
+ | |||
+ | Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии. Одна или две цифры. | ||
+ | |||
+ | Следующий элемент в обозначении указывает на отличие микросхем одного типа по температурному диапазону или электрическим характеристикам (быстродействию, допуску на напряжение питания, значению выходных токов и т.п.). Одна буква русского алфавита от А до М, за исключением букв З и Й. | ||
+ | |||
+ | Шестой элемент — тип корпуса. Буква указывает на номер типа корпуса в соответствии с ГОСТ 17467-88. | ||
+ | |||
+ | П — корпус 1-го типа (SIP, ZIP, КТ 26/27/28); | ||
+ | Р — корпус 2-го типа (DIP); | ||
+ | С — корпус 3-го типа (CAN); | ||
+ | Т — корпус 4-го типа (SOP, QFP, QFJ, планарные); | ||
+ | У — корпус 5-го типа (микрокорпуса), ранее начинались с буквы «Н»; | ||
+ | Ф — корпус 6-го типа (PGA); | ||
+ | Н — бескорпусное исполнение. | ||
+ | |||
+ | Для бескорпусных микросхем (обозначаются буквой Н) цифра указывает на модификацию конструкторского исполнения. Если микросхема выпускается только в одной разновидности корпуса данного типа, то цифра может отсутствовать. | ||
+ | |||
+ | 1 — с гибкими выводами; | ||
+ | 2 — на полиамидном носителе с ленточными выводами; | ||
+ | 3 — с жесткими выводами, только для ИС широкого применения; | ||
+ | 4 — на общей пластине, неразделенные; | ||
+ | 5 — на общей пластине, разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку), только для ИС широкого применения. | ||
+ | |||
+ | Аналоговые и цифровые микросхемы выпускаются сериями. Серия — это группа микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения. Микросхемы одной серии, как правило, имеют одинаковые напряжения источников питания, согласованы по входным и выходным сопротивлениям, уровням сигналов. | ||
+ | |||
+ | Корпуса микросхем | ||
+ | |||
+ | Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном. | ||
+ | |||
+ | Корпус микросхемы — это несущая система и часть конструкции, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологии изготовления готовых изделий. | ||
+ | |||
+ | Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку (возможен непосредственный монтаж на печатную плату). | ||
+ | |||
+ | описание микросхем | ||
+ | |||
+ | Микросхема — это электронная схема на полупроводниковом кристалле или пленке, заключенная в корпус. Микросхемы составляют основную часть любого компьютера или ноутбука. Кроме того комплектующие компьютеров и ноутбуков: процессор, оперативная память, ПЗУ, чипсет и остальные, — тоже являются микросхемами. | ||
+ | |||
+ | Микросхемы бывают цифровыми, аналоговыми и аналогово-цифровыми. Предназначение аналоговых микросхем — преобразование и обработка непрерывных сигналов. Цифровые микросхемы преобразовывают и обрабатывают сигналы, выраженные в цифровом коде. Цифровые микросхемы имеют преимущество перед аналоговыми из-за меньшего энергопотребления и большей помехоустойчивости. | ||
+ | |||
+ | Аналого-цифровые микросхемы представляют собой гибрид двух видов микросхем, они получили большое распространение и в настоящее время являются наиболее используемыми микросхемами при создании электронной техники. | ||
+ | |||
+ | Цифровые и аналоговые микросхемы выпускаются и разрабатываются изготовителями сериями. Серия — это совокупность видов микросхем, выполняющих разные функции, но предназначенных для совместного использования. Каждая серия имеет свою комплектность и содержит определенное количество микросхем. Наиболее перспективные и востребованные серии микросхем производители впоследствии расширяют и дополняют новыми разработками. | ||
+ | |||
+ | По технологии изготовления микросхемы разделяют на пленочные, полупроводниковые и гибридные. У пленочных микросхем все элементы и соединения между ними сделаны в виде пленок, у полупроводниковых микросхем — все элементы и соединения выполнены на полупроводниковом кристалле. Гибридные микросхемы помимо кристалла включают в себя различные электронные компоненты, заключенные в один корпус. | ||
+ | |||
+ | Производят микросхемы в двух вариантах: без корпуса и в корпусе. Микросхемы без корпуса используются при монтаже в различных микросборках. Корпус микросхемы защищает ее от различных внешних воздействий. Соединяются микросхемы в корпусе с нужными узлами с помощью встроенных выводов. | ||
+ | Источник: http://affinage.org.ua/komplektuyushhie-izdeliya/mikrosxemy/mikrosxema-ks573rf2.html | ||
Версія за 10:45, 22 травня 2017
Підготував Вронін дмитро 31 група
Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолетовим стиранням надає можливість довготривалого зберігання інформації при включеному та виключеному живленні.
Призначений для роботи в блоках пам’яті обчислювальних пристроїв для зберігання програмного та масивів констант. ПЗП може зберігати 2 КБ даних не менше 100 тис. годин. Час доступу 450 нс. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим опромінюванням з довжиною хвилі 253,7 нм. Витримує не менше 100 циклів перепрограмування.
За вхідними та вихідними сигналами сумісний з TTL-системами. Напруга живлення 5 В. Працює при температурі –60…+85 ºC. Корпус 2120.24-12. Термін зберігання 25 років. Содержание драгоценных металлов в микросхеме КС573РФ2. Золото: 0,0054 грамм. Серебро: 0 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. На основании информации: .
микросхема — интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочип (англ. microchip, silicon chip, chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.
Часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа.
Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС, чипом) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).
характеристика микросхем:
Логический — логическая схема (логические инверторы, элементы ИЛИ-НЕ, И-НЕ и т. п.). Схемо- и системотехнический уровень — схемо- и системотехнические схемы (триггеры, компараторы, шифраторы, дешифраторы, АЛУ и т. п.). Электрический — принципиальная электрическая схема (транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. п.). Физический — методы реализации одного транзистора (или небольшой группы) в виде легированных зон на кристалле. Топологический — топологические фотошаблоны для производства. Программный уровень — позволяет программисту программировать (для ПЛИС, микроконтроллеров и микропроцессоров) разрабатываемую модель используя виртуальную схему.
параметры микросхем
В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:
малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле, средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле, большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле, сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Ранее использовались также теперь устаревшие названия: ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 млрд элементов в кристалле и гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 млрд элементов в кристалле, сейчас (2013 г.) названия «УБИС» и «ГБИС» практически не используются, и все микросхемы с числом элементов более 10 тыс. относят к классу СБИС.
назначение микросхем Аналоговые. Цифровые. Аналого-цифровые.
Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания.
Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логический ноль или логическая единица, каждому из которых соответствует определённый диапазон напряжения. Например, для микросхем типа ТТЛ при напряжении питания +5 В диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а диапазон 2,4—5 В — логической единице; для микросхем ЭСЛ-логики при напряжении питания −5,2 В диапазон от −0,8 до −1,03 В — логической единице, а от −1,6 до −1,75 В — логическому нулю.
Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и аналоговой обработки сигналов, например, усилитель сигнала и аналого-цифровой преобразователь.
устройство микросхемы Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия, оксид гафния). Плёночная интегральная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок: толстоплёночная интегральная схема; тонкоплёночная интегральная схема. Гибридная микросхема (часто называемая микросборкой), содержит несколько бескорпусных диодов, бескорпусных транзисторов и(или) других электронных активных компонентов. Также микросборка может включать в себя бескорпусные интегральные микросхемы. Пассивные компоненты микросборки (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) обычно изготавливаются методами тонкоплёночной или толстоплёночной технологий на общей, обычно керамической подложке гибридной микросхемы. Вся подложка с компонентами помещается в единый герметизированный корпус. Смешанная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит тонкоплёночные (толстоплёночные) пассивные элементы, размещённые на поверхности кристалла.
топология микросхем Топология интегральной микросхемы — зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие обозначение микросхем
Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем
Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11 073.915-2000. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:
1,5,6,7 — полупроводниковые микросхемы; 2,4,8 – гибридные микросхемы; 3 — прочие (пленочные, керамические и т.д.)
Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии микросхем.
Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.
А Формирователи:
АА — адресные; АГ — импульсов прямоугольной формы; АИ — временных интервалов (таймеры); АН — напряжения; АП — прочие; АР — разрядные; АТ — тока; АФ — импульсов специальной формы.
Б Базовые кристаллы:
БА — аналоговые; БК — комбинированные; БП — прочие; БЦ — цифровые.
В Схемы вычислительных устройств:
ВА — схемы сопряжения с магистралью; ВБ — схемы синхронизации; ВВ — схемы управления вводом — выводом; ВГ — контроллеры; ВЕ — однокристальные микро-ЭВМ; ВК — комбинированные схемы; ВМ — микропроцессоры, сопроцессоры; ВН — схемы управления прерыванием; ВП — прочие; ВС — микропроцессорные секции; ВТ — схемы управления памятью; ВУ — схемы микропрограммного управления; ВХ — микрокалькуляторы; ВЦ — процессоры цифровой обработки сигналов; ВЮ — контроллеры с аналоговыми входами и выходами; ВЯ — процессоры цифровой обработки сигналов с аналоговыми входами и выходами.
Г Генераторы сигналов:
ГГ — прямоугольных сигналов; ГЛ — линейно — изменяющихся сигналов; ГМ — шума; ГН — программируемые; ГП — прочие; ГС — гармонических сигналов; ГФ — сигналов специальной формы.
Д Детекторы:
ДА — амплитудные; ДИ — импульсные; ДП — прочие; ДС — частотные; ДФ — фазовые.
Е Схемы источников вторичного питания:
ЕА – стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные однополярные асимметричные; ЕВ — выпрямители; ЕГ – стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые отрицательной полярности; ЕД- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные симметричные; ЕИ –стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные отрицательной полярности; ЕК — стабилизаторы напряжения импульсные; ЕЛ- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные асимметричные; ЕН — стабилизаторы напряжения непрерывные; ЕП – прочие; ЕР- стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые положительной полярности; ЕС — источники вторичного питания; ЕТ — стабилизаторы тока; ЕУ — устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения.
И Схемы цифровых устройств:
ИА — арифметико — логические устройства; ИВ — шифраторы; ИД — дешифраторы; ИЕ — счетчики; ИК — комбинированные; ИЛ — полусумматоры; ИМ — сумматоры; ИН — приемники, передатчики, приемо-передатчики; ИП — прочие; ИР — регистры; ИФ — функциональные расширители.
К Коммутаторы и ключи:
КН — напряжения; КП — прочие; КТ — тока.
Л Логические элементы:
ЛА — И-НЕ; ЛБ — И-НЕ/ИЛИ-НЕ; ЛД — расширители; ЛЕ — ИЛИ-НЕ; ЛИ — И; ЛК — И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ; ЛЛ — ИЛИ; ЛМ — ИЛИ-НЕ (ИЛИ); ЛН — НЕ; ЛП – прочие; ЛР — И-ИЛИ-НЕ; ЛС — И-ИЛИ.
М Модуляторы:
МА — амплитудные; MИ — импульсные; MП — прочие; MС — частотные; MФ — фазовые.
Н Наборы элементов:
НД — диодов; НЕ — конденсаторов; НК — комбинированные; НП – прочие; НР — резисторов; НТ — транзисторов; НФ – функциональные.
П Преобразователи:
ПА — цифро — аналоговые; ПВ — аналого — цифровые; ПД — длительности (импульсов); ПК — делители частоты аналоговые; ПЛ — синтезаторы частоты; ПН — напряжения; ПП – прочие; ПР — код — код; ПС — частоты; ПУ — уровня (согласователи); ПФ — функциональные; ПЦ — делители частоты цифровые.
Р Запоминающие устройства:
РА — ассоциативные запоминающие устройства; РВ — матрицы постоянных запоминающих устройств; РГ — ОЗУ регистрового типа; РД — Динамические ОЗУ РЕ — ПЗУ масочные; РК — ОЗУ многопортовые; РМ — матрицы ОЗУ; РН – Энергозависимые статические ЗУ с хранением информации при отключении питания; РП — прочие РУ — ОЗУ; РР — ПЗУ с многократным электрическим перепрограммированием и параллельным вводом/выводом; РС- ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом; РТ — ПЗУ с возможностью однократного программирования; РУ- Статические оперативные запоминающие устройства; РФ — ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации; РЦ — запоминающие устройства на ЦМД.
С Схемы сравнения:
CА — компараторы напряжения; CВ — временные; СК — амплитудные; CП — прочие; CС — частотные; СЦ — цифровые.
Т Триггеры:
ТВ — Универсальный (типа J-K); ТД — динамические; ТК – комбинированные (типов D-T, R-S-T и т.п.); ТЛ — Шмита; ТМ — с задержкой (типа D); ТП — прочие; ТР – с раздельным запуском (типа R-S); ТТ – счетные (типа Т).
У Усилители:
УБ — инструментальные; УВ — высокой частоты; УГ — малошумящие; УД — операционные; УЕ — повторители; УИ — импульсные; УК — широкополосные; УЛ — считывания и воспроизведения; УМ — индикации; УН — низкой частоты; УП — прочие; УР — промежуточной частоты; УС — дифференциальные; УТ — постоянного тока.
Ф Фильтры:
ФА — адаптивные цифровые; ФБ — полосовые; ФВ — верхних частот; ФМ — программируемые; ФН — нижних частот; ФП — прочие; ФР — режекторные; ФУ — универсальные.
Х Многофункциональные устройства:
ХА — аналоговые; ХБ- для радио, телевидения, магнитофонов, дисплеев; ХВ- для автоэлектроники; ХД- для коммуникационной аппаратуры; ХИ — аналоговые матрицы; ХК -комбинированные; ХЛ — цифровые; ХП – прочие; ХР- для бытовых приборов; ХС- программируемые логические микросхемы; ХХ- силовой электроники.
Ц Фоточувствительные схемы с зарядовой связью:
ЦЛ — линейные; ЦМ — матричные; ЦП — прочие.
Ч Преобразователи физических величин и компоненты датчиков:
ЧВ — влажности; ЧГ — газов; ЧД — давления; ЧИ — ионизирующих излучений; ЧМ — механических перемещений; ЧП — прочие; ЧТ — температуры; ЧЭ — электромагнитного поля.
Э Схемы задержки:
ЭМ — пассивные; ЭП — прочие; ЭР — активные.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии. Одна или две цифры.
Следующий элемент в обозначении указывает на отличие микросхем одного типа по температурному диапазону или электрическим характеристикам (быстродействию, допуску на напряжение питания, значению выходных токов и т.п.). Одна буква русского алфавита от А до М, за исключением букв З и Й.
Шестой элемент — тип корпуса. Буква указывает на номер типа корпуса в соответствии с ГОСТ 17467-88.
П — корпус 1-го типа (SIP, ZIP, КТ 26/27/28); Р — корпус 2-го типа (DIP); С — корпус 3-го типа (CAN); Т — корпус 4-го типа (SOP, QFP, QFJ, планарные); У — корпус 5-го типа (микрокорпуса), ранее начинались с буквы «Н»; Ф — корпус 6-го типа (PGA); Н — бескорпусное исполнение.
Для бескорпусных микросхем (обозначаются буквой Н) цифра указывает на модификацию конструкторского исполнения. Если микросхема выпускается только в одной разновидности корпуса данного типа, то цифра может отсутствовать.
1 — с гибкими выводами; 2 — на полиамидном носителе с ленточными выводами; 3 — с жесткими выводами, только для ИС широкого применения; 4 — на общей пластине, неразделенные; 5 — на общей пластине, разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку), только для ИС широкого применения.
Аналоговые и цифровые микросхемы выпускаются сериями. Серия — это группа микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения. Микросхемы одной серии, как правило, имеют одинаковые напряжения источников питания, согласованы по входным и выходным сопротивлениям, уровням сигналов.
Корпуса микросхем
Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном.
Корпус микросхемы — это несущая система и часть конструкции, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологии изготовления готовых изделий.
Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку (возможен непосредственный монтаж на печатную плату).
описание микросхем
Микросхема — это электронная схема на полупроводниковом кристалле или пленке, заключенная в корпус. Микросхемы составляют основную часть любого компьютера или ноутбука. Кроме того комплектующие компьютеров и ноутбуков: процессор, оперативная память, ПЗУ, чипсет и остальные, — тоже являются микросхемами.
Микросхемы бывают цифровыми, аналоговыми и аналогово-цифровыми. Предназначение аналоговых микросхем — преобразование и обработка непрерывных сигналов. Цифровые микросхемы преобразовывают и обрабатывают сигналы, выраженные в цифровом коде. Цифровые микросхемы имеют преимущество перед аналоговыми из-за меньшего энергопотребления и большей помехоустойчивости.
Аналого-цифровые микросхемы представляют собой гибрид двух видов микросхем, они получили большое распространение и в настоящее время являются наиболее используемыми микросхемами при создании электронной техники.
Цифровые и аналоговые микросхемы выпускаются и разрабатываются изготовителями сериями. Серия — это совокупность видов микросхем, выполняющих разные функции, но предназначенных для совместного использования. Каждая серия имеет свою комплектность и содержит определенное количество микросхем. Наиболее перспективные и востребованные серии микросхем производители впоследствии расширяют и дополняют новыми разработками.
По технологии изготовления микросхемы разделяют на пленочные, полупроводниковые и гибридные. У пленочных микросхем все элементы и соединения между ними сделаны в виде пленок, у полупроводниковых микросхем — все элементы и соединения выполнены на полупроводниковом кристалле. Гибридные микросхемы помимо кристалла включают в себя различные электронные компоненты, заключенные в один корпус.
Производят микросхемы в двух вариантах: без корпуса и в корпусе. Микросхемы без корпуса используются при монтаже в различных микросборках. Корпус микросхемы защищает ее от различных внешних воздействий. Соединяются микросхемы в корпусе с нужными узлами с помощью встроенных выводов. Источник: http://affinage.org.ua/komplektuyushhie-izdeliya/mikrosxemy/mikrosxema-ks573rf2.html