Відмінності між версіями «T-RAM пам`ять. СПК»

Поточна версія на 15:34, 10 листопада 2014

T-RAM (англ. Thyristor RAM) - тиристорна пам'ять з довільним доступом, новий вид оперативної пам'яті, що поєднує в собі сильні сторони DRAM і SRAM: високу швидкість роботи і великий обсяг. Дана технологія використовує комірки пам'яті, засновані на NDR, які називаються Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor [1]. T-RAM йде від звичних дизайнів осередків пам'яті: 1T і 6T, застосовуваних в DRAM і SRAM пам'яті. Завдяки цьому, дана пам'ять є добре масштабируемой, і вже має щільність зберігання даних в кілька разів перевищує її у SRAM пам'яті. В даний момент йде розробка наступного покоління T-RAM пам'яті, яка, як планується, буде порівнянна по щільності запису з DRAM.

Дану технологію компанія AMD передбачала використовувати в процесорах вироблених за нормами 32 і 22 нм