Відмінності між версіями «Синхронна пам'ять SDRAM. СПК»
Матеріал з Вікі ЦДУ
Fomenko (обговорення • внесок) |
Fomenko (обговорення • внесок) |
||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
{{Меню для довідника користувача НОП}} | {{Меню для довідника користувача НОП}} | ||
'''SDRAM''' - синхронна динамічна пам'ять з довільним доступом. | '''SDRAM''' - синхронна динамічна пам'ять з довільним доступом. | ||
| − | [[Файл:SODIMM 64MB SDRAM.jpg|мини|SODIMM 64MB SDRAM]] | + | [[Файл:SODIMM 64MB SDRAM.jpg|мини|250px|SODIMM 64MB SDRAM]] |
На відміну від інших типів DRAM, відповідь на команду повертається не відразу, а лише при отриманні тактового сигналу. Тактові сигнали дозволяють організувати роботу SDRAM у вигляді кінцевого автомата. | На відміну від інших типів DRAM, відповідь на команду повертається не відразу, а лише при отриманні тактового сигналу. Тактові сигнали дозволяють організувати роботу SDRAM у вигляді кінцевого автомата. | ||
| Рядок 7: | Рядок 7: | ||
== Команди, виконувані мікросхемою SDRAM == | == Команди, виконувані мікросхемою SDRAM == | ||
| − | + | ||
# Встановлення регістра режимів | # Встановлення регістра режимів | ||
# Вхід в режим саморегенерації | # Вхід в режим саморегенерації | ||
| Рядок 19: | Рядок 19: | ||
# Вхід та вихід з режиму призупинення синхронізації | # Вхід та вихід з режиму призупинення синхронізації | ||
# Запис / включення виходу | # Запис / включення виходу | ||
| + | [[Файл:DDR-SDRAM DIMM.jpg|мини|300px|DDR-SDRAM DIMM]] | ||
# Маска / виключення виходу | # Маска / виключення виходу | ||
# Вхід та вихід з режиму зниженого енергоспоживання | # Вхід та вихід з режиму зниженого енергоспоживання | ||
Версія за 22:09, 19 листопада 2013
|
SDRAM - синхронна динамічна пам'ять з довільним доступом.
На відміну від інших типів DRAM, відповідь на команду повертається не відразу, а лише при отриманні тактового сигналу. Тактові сигнали дозволяють організувати роботу SDRAM у вигляді кінцевого автомата.
Пристрої SDRAM розділені на 2 або 4 незалежних банки пам'яті. Входи адреси першого і другого банку пам'яті ( BA0 і BA1 ) визначають, якому банку буде призначена поточна команда.
Команди, виконувані мікросхемою SDRAM
- Встановлення регістра режимів
- Вхід в режим саморегенерації
- Вихід з режиму саморегенерації
- Підзаряд як одного, так і всіх банків пам'яті
- Авторегенерація (CBR)
- Активація банку
- Запис та запис з автопідзарядом
- Читання та читання з автопідзарядом
- Завершення пакета
- Вхід та вихід з режиму призупинення синхронізації
- Запис / включення виходу
- Маска / виключення виходу
- Вхід та вихід з режиму зниженого енергоспоживання
Принцип дії
Команди подаються на контакти модуля по семи сигнальних лініях. По одній з них подається тактовий сигнал, передні фронти якого задають моменти часу, в котрі зчитуються команди управління з інших 6 командних ліній:
- CKE ( clock enable ) - при низькому рівні сигналу блокується подача тактового сигналу на мікросхему. Команди не обробляються, а стан інших командних ліній ігнорується.
- /CS ( chip select ) - при високому рівні сигналу всі інші керуючі лінії, крім CKE, ігноруються. Діє як команда NOP ( немає оператора).
- DQM ( data mask ) - забороняє читання / запис даних. При одночасно поданої команді запису дані не записуються в DRAM. Присутність цього сигналу в двох тактах, що передують циклу читання призводить до того, що дані не зчитуються з пам'яті.
- /RAS ( row address strobe ) - це всього лише один командний біт. Разом з /CAS і /WE кодує одну з 8 команд.
- /CAS ( column address strobe ) - це всього лише один командний біт. Разом з /RAS і /WE кодує одну з 8 команд.
- /WE ( write enable ) - Разом з /RAS і /CAS кодує одну з 8 команд.
