Відмінності між версіями «Пам'ять DDR SDRAM. СПК»

Версія за 22:09, 20 листопада 2013

DDR (від англ. Double Data Rate — подвійна швидкість передачі даних) — один з типів оперативної пам'яті, які використовуються в комп'ютерах. Технологія DDR SDRAM дозволяє передавати дані по обох фронтах кожного тактового імпульсу, що дозволяє подвоїти пропускну здатність пам'яті.

Модулі

DDR SDRAM

Модулі пам'яті DDR SDRAM можна відрізнити від звичайної SDRAM за кількістю виводів (184 виводів у модулів DDR проти 168 виводів у модулів із звичайною SDRAM) і по ключу (вирізи в області контактних площинок) - у SDRAM два, у DDR ​​- один. Згідно JEDEC, модулі DDR400 працюють при напрузі живлення 2,6 В, а все більш повільні - при напрузі 2,5 В. Деякі швидкісні модулі для досягнення високих частот працюють при великих напругах, до 2,9 В.

Більшість останніх чипсетів з підтримкою DDR дозволяли використовувати модулі DDR SDRAM в двоканальному, а деякі чипсети і в чотирьохканальному режимі. Даний метод дозволяє збільшити в 2 або 4 рази відповідно теоретичну пропускну здатність шини пам'яті. Для роботи пам'яті у двоканальному режимі потрібно 2 (або 4) модуля пам'яті, рекомендується використовувати модулі, що працюють на одній частоті і мають однаковий обсяг і тимчасові затримки (латентність, таймінги). Ще краще використовувати абсолютно однакові модулі.

Зараз модулі DDR практично витіснені модулями типів DDR2 і DDR3, які в результаті деяких змін в архітектурі дозволяють отримати більшу пропускну здатність підсистеми пам'яті. Раніше головним конкурентом DDR SDRAM була пам'ять типу RDRAM (Rambus), проте зважаючи на наявність деяких недоліків з часом була практично витіснена з ринку.

спрощена тимчасова діаграма роботи DDR SDRAM-пам'яті