Відмінності між версіями «Імпульсний діод»
3445118 (обговорення • внесок) (Створена сторінка: **'''''Імпульсні діоди''' – це діоди, які мають малу тривалість перехідних процесів і призн...) |
3445118 (обговорення • внесок) |
||
| (не показано одну проміжну версію цього учасника) | |||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | + | '''''Імпульсні діоди''' – це діоди, які мають малу тривалість перехідних процесів і призначені для роботи в імпульсних колах. Від випрямляючих вони відрізняються малими ємностями р-n переходів (долі пікофарад) і рядом параметрів, які визначають перехідні характеристики. Зменшення ємностей досягається за рахунок зменшення площі р-n переходів, тому допустимі потужності розсіювання імпульсних діодів невеликі (30-40 мВт).'' | |
''До основних параметрів імпульсних діодів відносяться:'' | ''До основних параметрів імпульсних діодів відносяться:'' | ||
| Рядок 12: | Рядок 12: | ||
5. Час відновлення оберненого опору діода tвідн – інтервал часу, що минув від моменту проходження струму через нуль (після зміни полярності прикладеної напруги) до моменту, коли обернений струм зменшиться до заданого малого значення (порядку 0,1І0, де І0 – струм при заданій прямій напрузі). Значення tвідн лежить в межах долі нс – долі мкс. | 5. Час відновлення оберненого опору діода tвідн – інтервал часу, що минув від моменту проходження струму через нуль (після зміни полярності прикладеної напруги) до моменту, коли обернений струм зменшиться до заданого малого значення (порядку 0,1І0, де І0 – струм при заданій прямій напрузі). Значення tвідн лежить в межах долі нс – долі мкс. | ||
| + | |||
| + | ''[[Напівпровідниковий діод | <—повернутися до попередньої сторінки]]'' | ||
Поточна версія на 20:57, 22 травня 2017
Імпульсні діоди – це діоди, які мають малу тривалість перехідних процесів і призначені для роботи в імпульсних колах. Від випрямляючих вони відрізняються малими ємностями р-n переходів (долі пікофарад) і рядом параметрів, які визначають перехідні характеристики. Зменшення ємностей досягається за рахунок зменшення площі р-n переходів, тому допустимі потужності розсіювання імпульсних діодів невеликі (30-40 мВт).
До основних параметрів імпульсних діодів відносяться:
1. Загальна ємність діода Сд (долі пФ – декілька пФ ).
2. Максимальна імпульсна пряма напруга Uпр.імп.макс .
3. Максимально допустимий імпульсний струм Іпр.імп.макс .
4. Час встановлення прямої напруги діода tвст – інтервал часу від моменту подачі імпульса прямого струму на діод до досягнення заданого значення прямої напруги на ньому, який залежить від швидкості руху всередині бази інжектованих через р-n перехід неосновних носіїв заряду, в результаті чого спостерігається зменшення її опору (долі нс – долі мкс).
5. Час відновлення оберненого опору діода tвідн – інтервал часу, що минув від моменту проходження струму через нуль (після зміни полярності прикладеної напруги) до моменту, коли обернений струм зменшиться до заданого малого значення (порядку 0,1І0, де І0 – струм при заданій прямій напрузі). Значення tвідн лежить в межах долі нс – долі мкс.
