Відмінності між версіями «Фоторезистор»
(Створена сторінка: Категорія:Потребують опису. МІТ) |
3368969 (обговорення • внесок) |
||
(не показано 10 проміжних версій цього учасника) | |||
Рядок 1: | Рядок 1: | ||
− | [[ | + | Роботу виконав - [[Користувач:3368969| Мельник Дмитро]] [[Група_36,_спеціальність_"Інформатика",_2015-2018_н.р.|36 група]] |
+ | |||
+ | {{Загальне меню для довідників користувача | ||
+ | |головна= Музей історії техніки | ||
+ | |категорія= Історія комп'ютерної техніки | ||
+ | |підкатегорія | ||
+ | |розділ= Фоторезистор | ||
+ | |підрозділ= <!-- назва сторінки підрозділу довідника --> | ||
+ | }} | ||
+ | |||
+ | [[Файл:Emblema-MIT.png|80px|справа]] | ||
+ | ==Загальний опис (принцип дії)== | ||
+ | Фоторезистор - фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом | ||
+ | <ref name="log_1">Улли С. Программирование микроконтроллерных плат Arduino/Freeduino (2-е изд.) — Санкт-Петербург "БПХ-Петербург" 2016 </ref>. | ||
+ | |||
+ | ==Історична довідка== | ||
+ | *У 1873 році Віллоубі Сміт виявив фотопровідність в селені | ||
+ | *У 1918 році американські і німецькі інженери, які працювали незалежно один від одного, запропонували використовувати вакуумні фотоелементи для зчитування оптичних фонограм | ||
+ | *До середини 1930-х років селенові фотоелементи управляли заводськими конвеєрами, ліфтами | ||
+ | *У другій половині 1950-х років на зміну селеновим фотоелементів прийшли фоторезистори на основі сульфіду кадмію | ||
+ | *До 1960 року оптопари на лампах розжарювання і кадмієвих фоторезисторах застосовувалися в ланцюгах зворотного зв'язку промислової автоматики | ||
+ | *На початку 1960-х впровадження чутливих і компактних кадмієвих фоторезисторів зумовило масове виробництво фотоапаратів з автоматичною експозицією | ||
+ | <ref name="log_4">[https://ru.wikipedia.org/wiki/Резисторная_оптопара Резисторная_оптопара]</ref>. | ||
+ | |||
+ | ==Технічні характеристики== | ||
+ | *ФСК-7Б | ||
+ | # Розмір фоточутливого майданчика - 19 х 3,2 мм; | ||
+ | # Область спектральної чутливості - від 0,5 до 0,85 мкм; | ||
+ | # Максимум спектральної характеристики - від 0,62 до 0,64 мкм; | ||
+ | # Робоча напруга - 10 В; | ||
+ | ----------- | ||
+ | *ФР1-4 220К | ||
+ | # Розмір фоточутливого майданчика - 3 х 5,8 мм; | ||
+ | # Область спектральної чутливості - від 1,0 до 3,2 мкм; | ||
+ | # Максимум спектральної характеристики - від 1,5 до 2,2 мкм; | ||
+ | # Робоча напруга - 25 В; | ||
+ | # Темновий опір - не менше 0,22 МОм. | ||
+ | ----------- | ||
+ | *ФР1-3 150 К | ||
+ | # Інтервал робочої температури від -60 до +60° С | ||
+ | # Відносна вологість повітря при температурі + 25° С для фоторезисторів у виконанні для помірного і холодного клімату до 98% | ||
+ | # Відносна вологість повітря при температурі + 35° С для фоторезисторів у усекліматичного виконання до 98% | ||
+ | # Багаторазові удари з прискоренням до 75 м | ||
+ | # Робоча напруга, не більше 15 В | ||
+ | # Темновий опір 150 кОм | ||
+ | # Допустиме відхилення темнового опору від номінального значення, не більше ±50% | ||
+ | # Максимальна потужність розсіювання, не більше 6,0 х 10<sup>-3</sup>Вт | ||
+ | # Негативний температурний коефіцієнт темнового опору в інтервалі температур від -60 до +20° С, не більше 5% / °С | ||
+ | # Негативний температурний коефіцієнт темнового опору в інтервалі температур від +20 до +60° С, не більше 4% / °С | ||
+ | # Гарантійне напрацювання 10000 год | ||
+ | |||
+ | <ref name="log_2">[http://www.eandc.ru Інтернет магазин]</ref>. | ||
+ | ==Сфера застосування == | ||
+ | Фоторезистори застосовуються у фотореле, які автоматично вмикають вуличне освітлення в сутінках, на турнікетах метро тощо. | ||
+ | <ref name="log_3">[https://ru.wikipedia.org/wiki/Фоторезистор Фоторезистор]</ref>. | ||
+ | |||
+ | Також фоторезистори часто використовують при програмуванні таких речей як Arduinо. Наприклад в цьому експерименті за допомогою фоторезистора спалахував різний світлодіод в залежності від яскравості світла. | ||
+ | |||
+ | ==Фото, відео-матеріали== | ||
+ | Фоторезистор | ||
+ | |||
+ | [[Файл:MYZzXlvw_bY.jpg|200px]] | ||
+ | |||
+ | Прилад при звичайній яскравості (жовтим виділений фоторезистор) | ||
+ | |||
+ | [[Файл:NSrQ8LqH0qI.jpg|200px]] | ||
+ | |||
+ | Прилад при підвищеній яскравості (жовтим виділений фоторезистор) | ||
+ | |||
+ | [[Файл:JPgxf KkKLU.jpg|200px]] | ||
+ | |||
+ | Прилад при пониженій яскравості | ||
+ | |||
+ | [[Файл:W2DuHNonRYE.jpg|200px]] | ||
+ | |||
+ | <ref name="log_5">Гершунский Б.С. Основы электроники - Киев "Вища школа" 1977</ref>. | ||
+ | |||
+ | ==Список використаних джерел== | ||
+ | <references/> | ||
+ | [[Категорія:Музей історії техніки]] |
Поточна версія на 21:21, 2 квітня 2017
Роботу виконав - Мельник Дмитро 36 група
Головна → Історія комп'ютерної техніки → Фоторезистор
Зміст
Загальний опис (принцип дії)
Фоторезистор - фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом [1].
Історична довідка
- У 1873 році Віллоубі Сміт виявив фотопровідність в селені
- У 1918 році американські і німецькі інженери, які працювали незалежно один від одного, запропонували використовувати вакуумні фотоелементи для зчитування оптичних фонограм
- До середини 1930-х років селенові фотоелементи управляли заводськими конвеєрами, ліфтами
- У другій половині 1950-х років на зміну селеновим фотоелементів прийшли фоторезистори на основі сульфіду кадмію
- До 1960 року оптопари на лампах розжарювання і кадмієвих фоторезисторах застосовувалися в ланцюгах зворотного зв'язку промислової автоматики
- На початку 1960-х впровадження чутливих і компактних кадмієвих фоторезисторів зумовило масове виробництво фотоапаратів з автоматичною експозицією
[2].
Технічні характеристики
- ФСК-7Б
- Розмір фоточутливого майданчика - 19 х 3,2 мм;
- Область спектральної чутливості - від 0,5 до 0,85 мкм;
- Максимум спектральної характеристики - від 0,62 до 0,64 мкм;
- Робоча напруга - 10 В;
- ФР1-4 220К
- Розмір фоточутливого майданчика - 3 х 5,8 мм;
- Область спектральної чутливості - від 1,0 до 3,2 мкм;
- Максимум спектральної характеристики - від 1,5 до 2,2 мкм;
- Робоча напруга - 25 В;
- Темновий опір - не менше 0,22 МОм.
- ФР1-3 150 К
- Інтервал робочої температури від -60 до +60° С
- Відносна вологість повітря при температурі + 25° С для фоторезисторів у виконанні для помірного і холодного клімату до 98%
- Відносна вологість повітря при температурі + 35° С для фоторезисторів у усекліматичного виконання до 98%
- Багаторазові удари з прискоренням до 75 м
- Робоча напруга, не більше 15 В
- Темновий опір 150 кОм
- Допустиме відхилення темнового опору від номінального значення, не більше ±50%
- Максимальна потужність розсіювання, не більше 6,0 х 10-3Вт
- Негативний температурний коефіцієнт темнового опору в інтервалі температур від -60 до +20° С, не більше 5% / °С
- Негативний температурний коефіцієнт темнового опору в інтервалі температур від +20 до +60° С, не більше 4% / °С
- Гарантійне напрацювання 10000 год
[3].
Сфера застосування
Фоторезистори застосовуються у фотореле, які автоматично вмикають вуличне освітлення в сутінках, на турнікетах метро тощо. [4].
Також фоторезистори часто використовують при програмуванні таких речей як Arduinо. Наприклад в цьому експерименті за допомогою фоторезистора спалахував різний світлодіод в залежності від яскравості світла.
Фото, відео-матеріали
Фоторезистор
Прилад при звичайній яскравості (жовтим виділений фоторезистор)
Прилад при підвищеній яскравості (жовтим виділений фоторезистор)
Прилад при пониженій яскравості
[5].
Список використаних джерел
- ↑ Улли С. Программирование микроконтроллерных плат Arduino/Freeduino (2-е изд.) — Санкт-Петербург "БПХ-Петербург" 2016
- ↑ Резисторная_оптопара
- ↑ Інтернет магазин
- ↑ Фоторезистор
- ↑ Гершунский Б.С. Основы электроники - Киев "Вища школа" 1977