|
|
(не показані 40 проміжних версій 3 учасників) |
Рядок 1: |
Рядок 1: |
− | <[[Історія комп'ютерної техніки]]
| + | {{Загальне меню для довідників користувача |
− | ===Мікросхема пам’яті КР537РУ10=== | + | |головна= Музей історії техніки |
− | Мікросхема КР537РУ10 являє собою оперативний запам’ятовуючий пристрій статичного типу, виготовлений за технологією КМОН (CMOS). Інформаційна ємкість 2 КБ (2048×8 біт). Час доступу 180 нс.
| + | |категорія= Історія комп'ютерної техніки |
| + | |підкатегорія= Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять |
| + | |розділ= <!-- назва сторінки розділу довідника --> |
| + | |підрозділ= <!-- назва сторінки підрозділу довідника --> |
| + | }} |
| | | |
− | Випускається ВАТ "ІНТЕГРАЛ", м. Мінськ, Республіка Білорусь. Корпус 239.24-2 (24-pin DIP) має 24 виводи. Містить 100 тис. транзисторів.
| + | =Мікросхеми пам'яті статичного типу= |
| + | [[Мікросхема пам’яті КР537РУ10]] |
| | | |
− | В режимі очікування споживає 0,4 мА, в динамічному режимі максимально 60 мА. Може зберігати інформацію при зниженні напруги до 2 В. Робоча температура –10…+70 °С.
| + | [[Мікросхема пам’яті W24257AK-15]] |
| | | |
− | ===Мікросхема пам’яті W24257AK-15=== | + | =Модулі пам'яті динамічного типу= |
− | W24257AK-15 це мікросхема швидкісної пам’яті статичного типу на основі технології CMOS з низьким споживанням енергії. Має інформаційну ємкість 32 КБ (32768 x 8 біт). Час доступу 15 нс.
| + | |
| | | |
− | Всі входи і виходи TTL-сумісні. Виходи мають третій стан.
| + | [[SIMM-30]] |
| | | |
− | Корпус 28-pin skinny DIP (худий DIP), випускається також в інших корпусах (SOJ, SOP, TSOP).
| + | [[SIMM-72]] |
| | | |
− | Живиться від одного джерела +5В, споживає в режимі очікування 10 мА, максимально до 150 мА. Типова потужність 400 мВт. Робоча температура 0…+70 ºC.
| + | [[SDRAM DIMM]] |
| | | |
| + | [[DDR DIMM (Corsair 1GB DDR VS1GB400C3)]] |
| | | |
− | '''Нога, 16 група'''
| + | [[DDR2 SO-DIMM (Hynix 1GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400)]] |
| | | |
− | ===SIMM-30=== | + | =Мікросхеми постійної пам'яті= |
− | BV4100 T9444-7 + 9435HCK – 6 шт.
| + | [[Мікросхема ПЗП КС573РФ2]] |
| | | |
− | Модулі SIMM були розроблені і запатентовані в 1983 році компанією Wang Laboratories. Спочатку модулі були керамічними і мали штирі.
| |
| | | |
− | Перші 30-контактні модулі мали обсяг від 64 Кбайт до 16 Мбайт і восьмирозрядну шину даних, іноді доповнювалися дев'ятою лінією контролю парності. Застосовувались в комп'ютерах з ЦП Intel 8088, 286, 386. На материнських платах з процесорами 8088, модулі ставилися по одному, з процесорами 286, 386SX модулі ставилися парами, на 386DX - по чотири модулі однаковою ємкості.
| |
| | | |
− | У модулях використовувалися мікросхем динамічної пам'яті FPM (Fast Page Mode). Стандартні значення обсягу пам'яті модулів: 64 КБ, 256 КБ, 1 МБ, 4 МБ, 16 МБ. Фізичні розміри модуля: 89x13 або 89x25 мм. Контакти розташовані з кроком 0.1" (2,54 мм).
| |
| | | |
| | | |
− | ===SIMM-72===
| + | [[Категорія:Музей історії техніки]] |
− | ACT 9635Y TM417400HJ-6
| + | |
− | | + | |
− | Z417400 + BP44C 4001-6
| + | |
− | | + | |
− | SIMM-72 – 4 шт.
| + | |
− | | + | |
− | 72-контактні модулі з'явилися на початку 1990-х на брендових комп'ютерах (Compaq, HP, Acer та ін.) в епоху процесорів 486, і практично на всіх материнських платах з переходом на Pentium. 72-контактний модуль SIMM, по суті, об'єднав чотири 30-контактних модулі із загальними лініями адреси і окремими лініями даних. Таким чином, модуль стає 32-розрядним. Обсяг від 1 до 64 Мбайт.
| + | |
− | | + | |
− | У модулях використовувалися мікросхем динамічної пам'яті FPM (Fast Page Mode) та EDO (Extended Data Out). Стандартні значення обсягу пам'яті модулів: 1 МБ, 2 МБ, 4 МБ, 8 МБ, 16 МБ, 32 МБ, 64 МБ, 128 МБ. Фізичні розміри модуля 108x25 мм, іноді 108x39 мм. Контакти розташовані з кроком 0.05" (1,27 мм). Між вивідами 36 і 37 знаходиться виріз (ключ) для правильної установки.
| + | |
− | | + | |
− | '''Євенко, 16 група'''
| + | |
− | | + | |
− | SDRAM (DIMM) PC-133 – 10 шт.
| + | |
− | | + | |
− | DDR ? – 1 шт.
| + | |
− | | + | |
− | Corsair 1GB DDR Memory (VS1GB400C3)
| + | |