Відмінності між версіями «Вікі ЦДУ:Поточні події»

Матеріал з Вікі ЦДУ
Перейти до: навігація, пошук
(Створена сторінка: Біологічні ресурси України --~~~~ Україна належить до країн з дуже великими обсягами та в…)
 
 
(не показано 2 проміжні версії ще одного учасника)
Рядок 1: Рядок 1:
−
[[Біологічні ресурси України]]
+
В стадії розробки.  
−
--[[Користувач:Єсман Ірина Юріївна|Єсман Ірина Юріївна]] 07:29, 17 вересня 2009 (UTC)
+
−
Україна належить до країн з дуже великими обсягами та високою інтенсивністю використання різноманітних природних ресурсів. Цьому сприяє як наявність їх значних багатств, добра господар­ська освоєність та доступність території, зростаючі потреби в цих ресурсах, сприятливі умови для їх експлуатації. По-перше, за питомими (на 1 чол. на 1 km2) масштабами та інтенсивністю вико­ристання ресурсів, Україна випере­джує всі розвинуті країни світу і, безперечно, зай­має перше місце в Європі. По-друге, великі обсяги виробництва та інтенсивне використання ресурсів визначили спеціалізацію економіки, яка харак­теризується високими масштабами споживання.
+
  
−
Останнім часом дедалі активніша роль у вирі­шенні природоохоронних проблем відводиться вивченню громадської думки; суттєво розширю­ються права й можливості місцевих органів вла­ди. І головне, виділяється щораз більше коштів на організацію раціонального використання і на­лежну охорону водних, земельних, лісових ресур­сів, на забезпечення чистоти атмосферного повіт­ря. Якщо капітальні вкладення на ці заходи у 1973—1975 роках (з 1973 p. почала друкуватися відповідна статистика) становили 917 млн. крб., 1976—1980 — 1169 млн. крб., то у 1981—1985 ро­ках — 1864 млн. крб. У 1989 p. вони досягли 510 млн. крб. Загальна сума усіх витрат на охорону й раціональне використання природних ресурсів (включаючи витрати на лісове господарство) ста­новила за 1981—1989 pp. 14,8 млрд. крб., у тому числі за 1989 p. — 2,1 млрд. крб. З цієї суми 1,5 млрд. крб. йшло на утримання та експлуатацію природоохоронних споруд і установок, 510 млн. крб. на державні капітальні вкладення, 136 млн. крб. на лісове господарство, раціональне використання-земельних ресурсів.
+
Прошу вносити пропозиції. --{{subst:Шаблон:|Васильчук Олександра]]
 +
Флеш-пам'ять та її використання
  
−
Особливої гостроти й актуальності набуває в Ук­раїні охорона водних ресурсів. На ці потреби у республіці витрачається близько 60 % усіх держав­них капітальних вкладень, що виділяються на охо­рону навколишнього середовища (у 1989 p. — 323 млн. крб.). Йдеться, зокрема, про фінансові й ма­теріальні ресурси, що надходять на охорону дуже забруднених вод Чорного та Азовського морів, збереження й поліпшення стану малих рік і во­дойм. Необхідне підвищення ефективності очис­них споруд і установок, більш широке викорис­тання для зрошування та інших цілей очищених і рудникових вод. Нерівномірність розміщення вод­них ресурсів по території республіки та зростаю­чий їх дефіцит, найбільш гострий у південних та центральних областях, потребує негайного запро­вадження водозберігаючих технологій, організа­ції безстічних виробництв, економного витрачан­ня води для зрошення, а також в комунальному господарстві, побуті.
+
Флеш па́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
  
−
Актуальною є проблема раціонального викорис­тання свіжої води, зокрема поліпшення структури її споживання. Останнім часом обсяг виробництва свіжої води становить близько 30 млрд. м за рік.
+
На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш пам'яті. У перших розробках флеш пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіо-плеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш пам'ять також використовується в USB флеш дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
−
Основна її кількість (56 % у 1989 p.) йде на вироб­ничі потреби (без сільського господарства), для зрошення, обводнення та сільськогосподарського постачання (29 %) і на господарсько-питні потре­би (15 %). Природоохоронні заходи передба­чають скорочення втрат води, раціоналізацію водопостачання, насамперед при зрошенні, ширше впровадження систем оборотного і послідовного використання води, будівництва і введення в дію об’єктів по очищенню стічних вод. Найбільше сві­жої води споживається в Запорізькій (4,5 млрд. м3), Дніпропетровській (3,7), Донецькій (3,4) обл.; Кримській (2,6), Київській (без Киє­ва—2,2), Херсонській (1,9 млн. м3).
+
  
−
Останнім часом вжито певних заходів, спря­мованих на поліпшення водоочищення: за роки одинадцятої п’ятирічки в цілому по Україні ски­дання забруднених стоків скоротилося майже вдвічі; знижувалося воно і в роки дванадцятої п’я­тирічки. Однак проблема ще .далека від вирішен­ня: деякі підприємства, особливо чорної металур­гії, хімії та нафтохімії, вугільної, харчової та ін­ших галузей промисловості певну частину вико­ристаної води не очищають.
+
Зміст [показати] 1 Огляд2 Принцип дії3 Історія4 Обмеження5 Доступ на низькому рівні 5.1 Пам'ять типу NOR5.2 Пам'ять типу NAND6 Об'єм7 Швидкість8 Пошкодження інформації та її відновлення9 Виробники флеш пам'яті10 Див. також
  
−
Створення заповідних територій, збереження генофонду планети мають важливе значення для охорони природних ландшафтів. У сві­ті нараховується понад - 2600 великих заповідних територій, загаль­ною площею понад 4 млн. км2 (3% суші планети). За останні роки в Україні сформовано цілу мережу при­родно-заповідних територій (5350 територій і об’єктів) зага­льною площею понад 1,1 млн. га, яка значно збільшилася порівняно з минулим, але все одно становить всього близь­ко 2% території України, що неприпустимо з екологічної точки зору.
+
[ред.] ОглядФлеш пам'ять — це один з типів пам'яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам'ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам'яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам'яті, виконані з використанням флеш пам'яті (наприклад, карти пам'яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).
  
−
Почався період формування нових природно-заповідних те­риторій, досліджується їх сучасний екологічний стан, можливо­сті, вивчаються соціально-екологічні аспекти.
+
[ред.] Принцип діїФлеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плаваючим затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.
  
−
За функціональними особливостями території поділяються на: природні національні парки, заповідники, заказники, пам’ятники природи, ботанічні сади, дендрологічні парки, зоо­логічні парки, парки - пам’ятники садово-паркового мистецт­ва, заповідні урочища.
+
У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.
  
−
На території України функціонують:
+
Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.
  
−
- 3 природні національні парки. Вони створюються з метою збере­ження природних комплексів з особливою (екологічною, істо­ричною і естетичною) цінністю і використання їх в рекреацій­них, наукових і культурних цілях (Швацький, Карпацький, Синевір).
+
Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.
  
−
- 17 державних заповідників, втому числі:
+
У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.
  
−
- 2 біосферних Державні заповідники мають на меті збереження в природному стані типових або унікальних для даної ландшафтної зони при­родних комплексів, вивчення природних процесів та явищ, розробки наукових основ охорони природи. Господарська дія­льність в їх межах заборонена (Розточчя, Медобори, Асканія Нова, Український степовий. Чорноморський, Дунайські плав­ні, Ялтинський та ін.) (Чорноморський, Асканія Нова),
+
NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB флешки.
  
−
- 2 державних заповідно-мисливські господарства, близько 1600 заказників Державний заказник
+
Тоді, коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.
−
- територія, яка виділяється з метою збереження та відновлення окремих або кількох найбільш цін­них або унікальних комплексів, які входять до Червоної книги. Державні заказники поділяються на: ландшафтні, лісові, бота­нічні, загальнозоологічні, орнітологічні, ентомологічні, гідро­логічні, палеонтологічні, геологічні (Касперівський - ландшаф­тний, «Дача Галілея» - лісовий, Галицький - ботанічний, Чистилівський - зоологічний тощо).
+
  
−
- 2655 пам’я­ток природи Державна пам’ятка природи - територія або окремий при­родний об’єкт, що мають особливу цінність і беруться під охо­рону для збереження в природному стані.
+
[ред.] ІсторіяФлеш пам'ять (обидва типи — NOR та NAND) була винайдена доктором Фуджіо Масуока, коли він працював на компанію Toshiba у 1984 р. Якщо вірити Toshiba, назва «Флеш» прийшла на думку колезі доктора Масуока — містеру Шої Аріїзумі, оскільки процеси видалення вмісту пам'яті нагадували йому спалах фотокамери (англ. flash). Доктор Масуока репрезентував винахід у 1984 році на зустрічі про Міжнародні Електронні Прилади (IEDM), яка відбулася в місті Сан-Хосе, Каліфорнія. Intel побачив високий потенціал цього винаходу і випустив перший комерційний чіп NOR флеш пам'яті у 1988 році.
  
−
- 8 ботанічних садів, що утворюються з метою збережен­ня, вивчення і збагачення в спеціальних умовах різноманітних рослин для ефективнішого наукового, культурного і господар­ського їх використання (Київський ботанічний сад Академії наук).
+
Пам'ять, що базується на NOR має довготривалі цикли запису-видалення інформації, проте повноцінний адресний/інформаційний інтерфейс, який дає довільний доступ до будь-якої локації. Це робить його ідеальним для збереження програмного коду, який не потрібно часто оновлювати. Прикладом є комп'ютерний BIOS або програмне забезпечення різноманітних приладів. Цей інтерфейс витримує від 10 000 до 1 000 000 циклів видаляння інформації. Цей тип пам'яті став базою найперших переносних медіа; Compact Flash з самого початку базувався на ньому, хоча потім перейшов на дешевший варіант — NAND пам'ять.
  
−
- 20 дендрологічних парків - державний дендрологічний парк створюється для вивчення і збагачення у спеціально створених умовах різноманітних дерев і чагарників для наукового, культурного і господарського ви­користання (Хоростівський, Гермаківський).
+
NAND-флеш-пам'ять, яку Toshiba представила на ISSCC у 1989 році стала наступною. У ній швидше проходять цикли видалення-запису, вона має більшу внутрішню мережу, меншу ціну, і в 10 раз міцніша за свого попередника. Проте її інтерфейс вводу/виводу надає лише послідовний доступ до інформації. Саме тому її можна використовувати для пристроїв запису масової інформації, таких, як PC карточки, різні карти пам'яті і, в дещо меншій мірі, для комп'ютерної пам'яті. Перша картка, що базувалась на форматі NAND була SmartMedia, а після неї з'явились: Multimedia Card, Secure Digital, Memory Stick та xD-Picture карти пам'яті. Нове покоління цих форматів стає реальністю з RS-MMC, мікро та miniSD варіанти Secure Digital і нова USB-карта-пам'яті Intelligent Stick. Нові формати поставляються в значно зменшених розмірах, зазвичай менше, ніж 4 см2.
  
−
- 8 зоо­логічних парків. Парки формуються з метою збережен­ня і вивчення в спеціально створених умовах об’єктів дикої фа­уни для наукових, пізнавальних і науково-дослідних цілей (Київський, Харківський та ін.).
+
[ред.] ОбмеженняОдним обмеженням флеш-пам'яті є те, що хоча вона і може читати чи запрограмувати одиницю інформації типу байт чи word за один відрізок часу у вибірковому методі доступу, вона також повинна очистити «блок» за той самий час. Стандартно всі біти при такій операції в блоці замінюються на 1. Діючи вже із чистим блоком будь-яке місце в межах блоку може бути запрограмоване. Проте як тільки біт стане рівним 0, лише видалення всього блоку змусить його повернутись назад в положення 1. Іншими словами, флеш-пам'ять (особливо флеш NOR) пропонує вибірковий метод читання і програмування операцій, Але не може дозволити вибірковий метод перезапису чи видалення. Хоча місце в пам'яті може бути переписаним до того часу, поки нові значення нульових бітів є надмножиною перезаписаних значень. Наприклад, число, яке складається з чотирьох бітів може бути очищене до 1111 , тоді записане як 1110. Успішний запис до цього числа може змінити його на 1010, тоді на 0010, і нарешті на 0000. Хоча структура інформації у флеш-пам'яті не може бути оновлена в кардинально простими шляхами, вона дозволяє «видаляти» її члени, позначаючи їх невірними. Ця техніка повинна бути дещо вдосконалена для багаторівневих приладів, де одна комірка пам'яті тримає більш, ніж 1 біт.
  
−
- 511 парків-пам’яток садово-паркового мистецтва. Державні парки-пам’ятки садово-паркового мистецтва -найбільш визначні зразки паркобудівництва, які охороняються в естетичних, наукових, природоохоронних і оздоровчих цілях («Софіївський» в Умані, «Раївський» в Бережанах, Скала-Подільський, Вишнівецький, Коропецький).
+
Якщо порівнювати з вінчестером, іншим обмеженням є той факт, що флеш-пам'ять має скінченну кількість циклів запису-видалення (більшість комерційно доступних флеш продуктів гарантують витримати 1 мільйон програмних циклів), тому це потрібно мати на увазі при переміщенні програмок, розрахованих для вінчестера (наприклад операційні системи) на такі носії флеш-пам'яті, як CompactFlash. Цей ефект — часткове зміщення деякими драйверами до файлової системи, які обраховують записи і динамічні переміщення блоків, щоб розтягнути операції запису між секторами, або які обраховують підтвердження запису і переміщення, щоб розтягнути сектори у випадку невдалого запису.
  
−
- 559 заповідних урочищ Державне заповідне урочище - лісові, степові, болотні та ін­ші природні комплекси, які мають певне наукове, природоохо­ронне і естетичне значення.
+
Ціна флеш-пам'яті залишається значно вищою ніж відповідна ціна вінчестера, і це (разом зі скінченністю кількості циклів запису-видалення, про яку згадано раніше) утримує флеш-пам'ять від того, щоб стати основною заміною вінчестерів на нормальних настільних комп'ютерах чи ноутбуках.
  
−
Лісові ресурси мають не лише народногосподарське значен­ня, вони є найпопулярнішою формою курортно-рекреаційного значення.
+
[ред.] Доступ на низькому рівніНизькорівневий доступ до фізичної флеш-пам'яті драйвером даного приладу відрізняється від доступу до інших типів пам'яті. Де звична RAM-пам'ять просто буде відповідати на запити читання та запису інформації і повертати результат цих операцій в ту ж мить, там флеш-пам'ять потребує додаткового часу, особливо коли використовується програмна пам'ять на кшталт ROM'а.
  
−
В Західному регіоні щороку відпочивають близько 3-х млн. чоловік, а за підрахунками спеціалістів тут щороку можуть від­почивати принаймні 12 млн. чол., що в 4 рази перевищує фак­тичну кількість відпочиваючих.
+
Коли зчитування даних може бути здійснене на індивідуальних адресах пам'яті NOR (але не NAND), операції розблокування (яка робить дії запису і видалення доступними), видалення і запису виконуються не однаково на різних видах флеш-пам'яті. Типовий розмір блоку становить 64, 128 або 256 Кб.
  
−
Унікальним природним комплексом є Карпати і Прикар­паття, де в 1980р. створено Карпатський природний націона­льний парк на площі 50,3 тис. га, який має 4 зони: природозаповідну - 10,2 тис. га, охоронно-рекреаційну - 20,8 тис. га, рек­реаційну - 10,6 тис. га і рекреаційно-господарську - 8,6 тис. га. [1] Потенціал Західного регіону ще невичерпаний: це можна зробити за рахунок впорядкування 1-ї і 2-ї груп державного лісового фонду. Необхідно насамперед розширити зелені зони і парки великих міст, реконструювати лісопарки навколо міст і впорядкувати рекреаційні території.
+
Одна група, яка носить назву ONFI (відкрита група по вдосконаленню NAND інтерфейсу) спрямована на розробку стандартизованого низькорівневого NAND- флеш-інтерфейсу, що зробить доступним можливість взаємодії між NAND-приладами від різних вендорів. Мета цієї групи включає розробку стандартизованого інтерфейсу на рівні чипа (схема розподілу виходів) для NAND-пам'яті, стандартний набір команд і механізм самоідентифікації. Специфікацію планують викласти в маси наприкінці 2006 року.
  
−
Економія і комплексне використання деревної сировини, відходів сприяє не тільки підвищенню ефективності викорис­тання одного із цінних природних ресурсів, але й покращенню стану навколишнього середовища. Багатство лісів
+
[ред.] Пам'ять типу NORРежим читання NOR-пам'яті схожий до зчитування зі звичайної пам'яті, забезпечені адреси та шина даних вірно прив'язані, тому пам'яті типу NOR виглядають майже так само як і будь-яка залежна від адреси пам'ять. Флеш-пам'ять NOR може бути використана як пам'ять типу XIP (execute-in-place), а це означає що вона веде себе як ROM-пам'ять, прив'язуючись до конкретних адрес. Флеш пам'ять NOR немає впорядкування внутрішніх поганих блоків, тому коли флеш-блок втрачає свою внутрішню структуру, тоді або програма, яка використовує його повинна вчинити деякі дії, або прилад зупиняє роботу.
  
−
- це не тіль­ки деревина, а й гриби, плоди, ягоди та ін. Використання хар­чових ресурсів лісу, багатих на вітаміни, білки, вуглеводи, є одним з шляхів задоволення потреб населення. В Україні росте більше як 100 видів дерев і кущів, які дають їстівні плоди і яго­ди, більшість з яких мають і лікувальні властивості. Дикорос­тучі плоди використовуються ще далеко не повністю: заготівля лісових плодів і ягід складає не більше 20% всього урожаю, грибів - 11, горіхів - 10%. Харчові ресурси поряд з бджільниц­твом, сінокосінням, лікарською і технічною сировиною утво­рюють ресурси побічного використання, питома вага якого в загальній комплексній продуктивності лісів складає лише 20%. Отже, поряд із відтворенням лісових ресурсів, існують резерви для раціональнішого користування дарами лісів.
+
Розблоковуючи, видаляючи чи записуючи на NOR пам'ять спеціальні команди записуються на першу сторінку прив'язаної пам'яті. Ці команди визначають Загальний Стандартний інтерфейс (CFI), заснований Intel'ом, і флеш-область представить список всіх доступних команд фізичного драйвера.
  
−
Важливе місце посідає створення державного лісового кадас­тру, який визначав би стан лісів, їхню економічну оцінку, напря­ми розвитку галузей лісового комплексу.
+
Крім використання в ролі ROM'а, NOR пам'яті можуть, звичайно, також бути розділені файловою системою і тоді використовуватись у будь-якому приладі. Проте файлові системи NOR зазвичай дуже повільні при записі, якщо порівнювати із файловими системами, які побудовані на NAND пам'яті.
  
−
При визначенні економічної оцінки лісу виникає ряд труд­нощів щодо підходів до цієї оцінки. Лісові ресурси відносяться до відновлюваних ресурсів, отже їх використання передбачає постійні витрати на їх відновлення, догляд, охорону й утри­мання. Економічна оцінка лісових ресурсів повинна відповідно; враховувати суспільне необхідні витрати на відтворення лісу.
+
[ред.] Пам'ять типу NANDNAND флеш пам'яті не можуть забезпечити принцип «миттєвий запис» (XIP) через інші конструкційні принципи. Доступ до цієї пам'яті може бути здійснений методом блокових приладів, таких як вінчестери та карти пам'яті. Розмір блоків зазвичай має 512 або 2048 байт. В кожному блоці зарезервовано деяку кількість байт (зазвичай від 12 до 16), які зберігають різноманітні помилки і контрольну суму блоку.
  
−
При цьому оцінка лісу буде представлена як сума ефектів від всіх видів продукції і користі на необмежене довгий строк викорис­тання, що пов’язано з багаторічним строком вирощування лісів.
+
Прилади типу NAND зазвичай залежать від програмної обробки блоків. Це означає, що коли зчитують логічний блок, він прив'язується до фізичного блоку, і що коли прилад має деяку кількість блоків, встановлених за своїми межами, вони встановлюються зі зміщенням, компенсуючи втрату поганих блоків і зберігають первинну і вторинну таблицю прив'язки.
  
−
Різниця між суспільне необхідними та індивідуальними за­тратами на одержання одиниці продукції являє собою диферен­ціальну ренту, яка є основним оціночним показником лісових ресурсів. Методи оцінки всіх видів лісових ресурсів і ефектив­ності лісу розроблені ще недостатньо, і існують лише для одного виду ресурсів - деревини. Вартість деревини на корені склада­ється з суми відповідних лісових такс. Важливе значення мають облік і контроль, стимулювання повної розробки лісосіки і ви­везення всієї вирубаної деревини з лісу.
+
Методи виправлення помилок та визначення контрольної суми зазвичай виявляють помилку, де один біт інформації в блоці невірний. Коли це трапляється, блок позначається як поганий в таблиці логічного розміщення, і його вміст (ще непошкоджений) копіюється у новий блок, а таблиця логічного розміщення знову змінюється. Якщо у пам'яті пошкоджено більш, ніж 1 блок, тоді вміст блоку практично втрачений, тобто стає неможливо відновити оригінальний вміст. Деякі прилади можуть навіть постачатись в комплекті з вже запрограмованою таблицею поганих блоків від виробника, оскільки деколи просто неможливо виробити безпомилкові пам'яті типу NAND.
  
−
Плата, внесена за розробку переданого в рубку лісосічного фонду, повинна перш за все компенсувати затрати на лісогос­подарські заходи по відновленню й охороні лісових ресурсів. Крім того, рівень лісових такс повинен сприяти раціональні­шому використанню лісосічного фонду: зростанню долі м’яколистяних порід, використанню лісосіки з хвойних порід, переміщенню лісозаготівель у віддалені лісові масиви. Наприк­лад, розмір такси на ділову деревину хвойних порід в порів­нянні з м’яколистяними залежить також від інтенсивності лісо­користування, природних і економічних умов заготівель. Так розмір такси на 1 м3 деревини в районах основних заготівель в 3,5 рази нижчий, ніж у малолісних.
+
Перший, вільний від помилок фізичний блок (блок № 0) завжди гарантує свою читабельність і не може бути пошкодженим. З цього випливає, що всі життєво важливі вказівники для розподілення пам'яті і впорядкування поганих блоків приладу повинні бути розміщені всередині цього блоку (зазвичай вказівник на погані таблиці блоків, і т. д.). Якщо прилад використовується, щоб завантажувати ОС, цей блок повинен містити Таблицю завантаження (Master Boot Record).
−
При визначенні ефективності використання та охорони лі­сового господарства необхідно враховувати вік лісу та догляд за ним, насадження нових лісів (дендропарків, заповідників, парків, зелених насаджень) та догляд за ними, оберігання від навколишнього забруднення тощо.
+
  
−
Разом з тим ці лісові продукти є сировинною базою для ха­рчової і фармацевтичної промисловості, для сільського госпо­дарства. Потенційні можливості збору яблук, груш, горіхів, ягід, грибів, соків тут досить великий.
+
Коли запускати програмне забезпечення з пам'яті NAND, використовується стратегія віртуальної пам'яті: вміст пам'яті спочатку нумерується, або просто копіюється в розподілену пам'ять RAM, а тоді вже звідти виконується.
  
−
Виконання завдань, що стоять перед лісовим господарством має свої слабкості: попенна плата в даний час дозволяє покри­вати лише близько 50% витрат на ведення лісового господарст­ва, її частка (розрахункова такса за 1 м3 деревини) становить в середньому більше 5 гри. (у собівартості продукції лісозаготі­вельних підприємств становить в середньому 7-8%) - це значно нижче, ніж у країнах із розвиненим лісовим господарством, та­ких як Швеція, Фінляндія, США. Не досконалим є і механізм формування попенної плати. Лісові такси складають з розраху­нку середньогалузевих затрат, не враховуючи суттєву різницю в економічних, природних і технічних умовах лісових госпо­дарств. Не враховується достатньою мірою диференціальна лі­сова рента. Низький рівень лісових такс визначає знижений рівень оптових цін на лісопродукцію, що не забезпечує зацікавленості підприємства у більш повному і раціональному використанні деревини.
+
По цій причині деякі системи будуть використовувати комбінації пам'ятей NOR та NAND, де менша NOR пам'ять використовуватиметься як програмний ROM, а більша NAND пам'ять розбивається на розділи файловою системою, щоб зберігати різну інформацію.
 +
 
 +
[ред.] Об'ємСтандартні частини флеш пам'яті (індивідуальні внутрішні компоненти, або «чипи») дуже сильно відрізняються в об'ємі інформації, від кібіта до гібібітів кожна. Чипи часто з'єднують в один, щоб досягнути вищих ємностей для використання в таких приладах як iPod nano або SanDisk Sansa e200. Місткість флеш чипів дотримується закону Мура, оскільки вони розроблені тими самими процесами, що використовуються й для вироблення інших інтегрованих циклів. Проте в даній технології були також стрибки поза законом Мура через різні інновації.
 +
 
 +
У 2005 році Toshiba та SanDisk розробили флеш чип типу NAND, який міг містити 8 гібібітів інформації, використовуючи технологію MLC (багаторівневі комірки), яка зберігала 2 біти інформації в одній комірці. У вересні 2005 року компанія Samsung Electronics анонсувала, що вона розробила перший у світі 16 гібібітний чип.
 +
 
 +
У березні 2006 року Samsung анонсує флеш вінчестери з місткістю у 32 гібібіти, по суті з таким самим розміром, як і в найменших вінчестерах ноутбуків. А у вересні 2006 року, Samsung анонсувала результат виготовлення 32 гібібітних чипів, розміром в 40 нм. [1]
 +
 
 +
Для деяких продуктів флеш пам'яті, таких як карти пам'яті та USB пам'ять, на середину 2006 року 256Мб-тові і продукти меншої місткості сильно знецінились. Ємність 1Гб стала звичною для людей, які не використовують флеш пам'ять екстенсивно, але все більше і більше клієнтів закуповуються 2-ма та 4-ма Гігабайтними флеш приладами. Hitachi має конкурентноспроможний механізм вінчестера (називається Microdrive), який може поміститись всередині оболонки звичайної карточки CompactFlash. Його ємність — до 8Гб. BiTMicro пропонує 155 Гігабайтний, товщиною у 3.5 дюйми, твердий диск, названий «Edisk»'ом.
 +
 
 +
[ред.] ШвидкістьФлеш-пам'ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам'яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення:
 +
 
 +
150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024:
 +
 
 +
15 000Кб ÷ 1024 = 14.65 Мб/с Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.
 +
 
 +
[ред.] Пошкодження інформації та її відновленняНайбільшою поширеною помилкою втрати інформації картки флеш-пам'яті є те, що її витягують із пристрою, коли інформація ще продовжується писатись. Ситуація погіршується, якщо використовувати несумісні файлові системи, що не розроблені для приладів, які виймаються, або якщо існує асинхронізація (коли інформація ще стоїть в черзі на запис, а в той момент відключають пристрій).
 +
 
 +
В деяких випадках можливо відновити інформацію з флеш пам'яті. Евристичний метод та метод Грубого втручання є прикладами відновлення, які можуть повернути загальну інформацію, збережену на карті флеш пам'яті.

Поточна версія на 08:30, 20 березня 2014

В стадії розробки.

Прошу вносити пропозиції. --{{subst:Шаблон:|Васильчук Олександра]] Флеш-пам'ять та її використання

Флеш па́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.

На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш пам'яті. У перших розробках флеш пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіо-плеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш пам'ять також використовується в USB флеш дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.

Зміст [показати] 1 Огляд2 Принцип дії3 Історія4 Обмеження5 Доступ на низькому рівні 5.1 Пам'ять типу NOR5.2 Пам'ять типу NAND6 Об'єм7 Швидкість8 Пошкодження інформації та її відновлення9 Виробники флеш пам'яті10 Див. також

[ред.] ОглядФлеш пам'ять — це один з типів пам'яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам'ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам'яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам'яті, виконані з використанням флеш пам'яті (наприклад, карти пам'яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).

[ред.] Принцип діїФлеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плаваючим затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.

У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.

Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB флешки.

Тоді, коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

[ред.] ІсторіяФлеш пам'ять (обидва типи — NOR та NAND) була винайдена доктором Фуджіо Масуока, коли він працював на компанію Toshiba у 1984 р. Якщо вірити Toshiba, назва «Флеш» прийшла на думку колезі доктора Масуока — містеру Шої Аріїзумі, оскільки процеси видалення вмісту пам'яті нагадували йому спалах фотокамери (англ. flash). Доктор Масуока репрезентував винахід у 1984 році на зустрічі про Міжнародні Електронні Прилади (IEDM), яка відбулася в місті Сан-Хосе, Каліфорнія. Intel побачив високий потенціал цього винаходу і випустив перший комерційний чіп NOR флеш пам'яті у 1988 році.

Пам'ять, що базується на NOR має довготривалі цикли запису-видалення інформації, проте повноцінний адресний/інформаційний інтерфейс, який дає довільний доступ до будь-якої локації. Це робить його ідеальним для збереження програмного коду, який не потрібно часто оновлювати. Прикладом є комп'ютерний BIOS або програмне забезпечення різноманітних приладів. Цей інтерфейс витримує від 10 000 до 1 000 000 циклів видаляння інформації. Цей тип пам'яті став базою найперших переносних медіа; Compact Flash з самого початку базувався на ньому, хоча потім перейшов на дешевший варіант — NAND пам'ять.

NAND-флеш-пам'ять, яку Toshiba представила на ISSCC у 1989 році стала наступною. У ній швидше проходять цикли видалення-запису, вона має більшу внутрішню мережу, меншу ціну, і в 10 раз міцніша за свого попередника. Проте її інтерфейс вводу/виводу надає лише послідовний доступ до інформації. Саме тому її можна використовувати для пристроїв запису масової інформації, таких, як PC карточки, різні карти пам'яті і, в дещо меншій мірі, для комп'ютерної пам'яті. Перша картка, що базувалась на форматі NAND була SmartMedia, а після неї з'явились: Multimedia Card, Secure Digital, Memory Stick та xD-Picture карти пам'яті. Нове покоління цих форматів стає реальністю з RS-MMC, мікро та miniSD варіанти Secure Digital і нова USB-карта-пам'яті Intelligent Stick. Нові формати поставляються в значно зменшених розмірах, зазвичай менше, ніж 4 см2.

[ред.] ОбмеженняОдним обмеженням флеш-пам'яті є те, що хоча вона і може читати чи запрограмувати одиницю інформації типу байт чи word за один відрізок часу у вибірковому методі доступу, вона також повинна очистити «блок» за той самий час. Стандартно всі біти при такій операції в блоці замінюються на 1. Діючи вже із чистим блоком будь-яке місце в межах блоку може бути запрограмоване. Проте як тільки біт стане рівним 0, лише видалення всього блоку змусить його повернутись назад в положення 1. Іншими словами, флеш-пам'ять (особливо флеш NOR) пропонує вибірковий метод читання і програмування операцій, Але не може дозволити вибірковий метод перезапису чи видалення. Хоча місце в пам'яті може бути переписаним до того часу, поки нові значення нульових бітів є надмножиною перезаписаних значень. Наприклад, число, яке складається з чотирьох бітів може бути очищене до 1111 , тоді записане як 1110. Успішний запис до цього числа може змінити його на 1010, тоді на 0010, і нарешті на 0000. Хоча структура інформації у флеш-пам'яті не може бути оновлена в кардинально простими шляхами, вона дозволяє «видаляти» її члени, позначаючи їх невірними. Ця техніка повинна бути дещо вдосконалена для багаторівневих приладів, де одна комірка пам'яті тримає більш, ніж 1 біт.

Якщо порівнювати з вінчестером, іншим обмеженням є той факт, що флеш-пам'ять має скінченну кількість циклів запису-видалення (більшість комерційно доступних флеш продуктів гарантують витримати 1 мільйон програмних циклів), тому це потрібно мати на увазі при переміщенні програмок, розрахованих для вінчестера (наприклад операційні системи) на такі носії флеш-пам'яті, як CompactFlash. Цей ефект — часткове зміщення деякими драйверами до файлової системи, які обраховують записи і динамічні переміщення блоків, щоб розтягнути операції запису між секторами, або які обраховують підтвердження запису і переміщення, щоб розтягнути сектори у випадку невдалого запису.

Ціна флеш-пам'яті залишається значно вищою ніж відповідна ціна вінчестера, і це (разом зі скінченністю кількості циклів запису-видалення, про яку згадано раніше) утримує флеш-пам'ять від того, щоб стати основною заміною вінчестерів на нормальних настільних комп'ютерах чи ноутбуках.

[ред.] Доступ на низькому рівніНизькорівневий доступ до фізичної флеш-пам'яті драйвером даного приладу відрізняється від доступу до інших типів пам'яті. Де звична RAM-пам'ять просто буде відповідати на запити читання та запису інформації і повертати результат цих операцій в ту ж мить, там флеш-пам'ять потребує додаткового часу, особливо коли використовується програмна пам'ять на кшталт ROM'а.

Коли зчитування даних може бути здійснене на індивідуальних адресах пам'яті NOR (але не NAND), операції розблокування (яка робить дії запису і видалення доступними), видалення і запису виконуються не однаково на різних видах флеш-пам'яті. Типовий розмір блоку становить 64, 128 або 256 Кб.

Одна група, яка носить назву ONFI (відкрита група по вдосконаленню NAND інтерфейсу) спрямована на розробку стандартизованого низькорівневого NAND- флеш-інтерфейсу, що зробить доступним можливість взаємодії між NAND-приладами від різних вендорів. Мета цієї групи включає розробку стандартизованого інтерфейсу на рівні чипа (схема розподілу виходів) для NAND-пам'яті, стандартний набір команд і механізм самоідентифікації. Специфікацію планують викласти в маси наприкінці 2006 року.

[ред.] Пам'ять типу NORРежим читання NOR-пам'яті схожий до зчитування зі звичайної пам'яті, забезпечені адреси та шина даних вірно прив'язані, тому пам'яті типу NOR виглядають майже так само як і будь-яка залежна від адреси пам'ять. Флеш-пам'ять NOR може бути використана як пам'ять типу XIP (execute-in-place), а це означає що вона веде себе як ROM-пам'ять, прив'язуючись до конкретних адрес. Флеш пам'ять NOR немає впорядкування внутрішніх поганих блоків, тому коли флеш-блок втрачає свою внутрішню структуру, тоді або програма, яка використовує його повинна вчинити деякі дії, або прилад зупиняє роботу.

Розблоковуючи, видаляючи чи записуючи на NOR пам'ять спеціальні команди записуються на першу сторінку прив'язаної пам'яті. Ці команди визначають Загальний Стандартний інтерфейс (CFI), заснований Intel'ом, і флеш-область представить список всіх доступних команд фізичного драйвера.

Крім використання в ролі ROM'а, NOR пам'яті можуть, звичайно, також бути розділені файловою системою і тоді використовуватись у будь-якому приладі. Проте файлові системи NOR зазвичай дуже повільні при записі, якщо порівнювати із файловими системами, які побудовані на NAND пам'яті.

[ред.] Пам'ять типу NANDNAND флеш пам'яті не можуть забезпечити принцип «миттєвий запис» (XIP) через інші конструкційні принципи. Доступ до цієї пам'яті може бути здійснений методом блокових приладів, таких як вінчестери та карти пам'яті. Розмір блоків зазвичай має 512 або 2048 байт. В кожному блоці зарезервовано деяку кількість байт (зазвичай від 12 до 16), які зберігають різноманітні помилки і контрольну суму блоку.

Прилади типу NAND зазвичай залежать від програмної обробки блоків. Це означає, що коли зчитують логічний блок, він прив'язується до фізичного блоку, і що коли прилад має деяку кількість блоків, встановлених за своїми межами, вони встановлюються зі зміщенням, компенсуючи втрату поганих блоків і зберігають первинну і вторинну таблицю прив'язки.

Методи виправлення помилок та визначення контрольної суми зазвичай виявляють помилку, де один біт інформації в блоці невірний. Коли це трапляється, блок позначається як поганий в таблиці логічного розміщення, і його вміст (ще непошкоджений) копіюється у новий блок, а таблиця логічного розміщення знову змінюється. Якщо у пам'яті пошкоджено більш, ніж 1 блок, тоді вміст блоку практично втрачений, тобто стає неможливо відновити оригінальний вміст. Деякі прилади можуть навіть постачатись в комплекті з вже запрограмованою таблицею поганих блоків від виробника, оскільки деколи просто неможливо виробити безпомилкові пам'яті типу NAND.

Перший, вільний від помилок фізичний блок (блок № 0) завжди гарантує свою читабельність і не може бути пошкодженим. З цього випливає, що всі життєво важливі вказівники для розподілення пам'яті і впорядкування поганих блоків приладу повинні бути розміщені всередині цього блоку (зазвичай вказівник на погані таблиці блоків, і т. д.). Якщо прилад використовується, щоб завантажувати ОС, цей блок повинен містити Таблицю завантаження (Master Boot Record).

Коли запускати програмне забезпечення з пам'яті NAND, використовується стратегія віртуальної пам'яті: вміст пам'яті спочатку нумерується, або просто копіюється в розподілену пам'ять RAM, а тоді вже звідти виконується.

По цій причині деякі системи будуть використовувати комбінації пам'ятей NOR та NAND, де менша NOR пам'ять використовуватиметься як програмний ROM, а більша NAND пам'ять розбивається на розділи файловою системою, щоб зберігати різну інформацію.

[ред.] Об'ємСтандартні частини флеш пам'яті (індивідуальні внутрішні компоненти, або «чипи») дуже сильно відрізняються в об'ємі інформації, від кібіта до гібібітів кожна. Чипи часто з'єднують в один, щоб досягнути вищих ємностей для використання в таких приладах як iPod nano або SanDisk Sansa e200. Місткість флеш чипів дотримується закону Мура, оскільки вони розроблені тими самими процесами, що використовуються й для вироблення інших інтегрованих циклів. Проте в даній технології були також стрибки поза законом Мура через різні інновації.

У 2005 році Toshiba та SanDisk розробили флеш чип типу NAND, який міг містити 8 гібібітів інформації, використовуючи технологію MLC (багаторівневі комірки), яка зберігала 2 біти інформації в одній комірці. У вересні 2005 року компанія Samsung Electronics анонсувала, що вона розробила перший у світі 16 гібібітний чип.

У березні 2006 року Samsung анонсує флеш вінчестери з місткістю у 32 гібібіти, по суті з таким самим розміром, як і в найменших вінчестерах ноутбуків. А у вересні 2006 року, Samsung анонсувала результат виготовлення 32 гібібітних чипів, розміром в 40 нм. [1]

Для деяких продуктів флеш пам'яті, таких як карти пам'яті та USB пам'ять, на середину 2006 року 256Мб-тові і продукти меншої місткості сильно знецінились. Ємність 1Гб стала звичною для людей, які не використовують флеш пам'ять екстенсивно, але все більше і більше клієнтів закуповуються 2-ма та 4-ма Гігабайтними флеш приладами. Hitachi має конкурентноспроможний механізм вінчестера (називається Microdrive), який може поміститись всередині оболонки звичайної карточки CompactFlash. Його ємність — до 8Гб. BiTMicro пропонує 155 Гігабайтний, товщиною у 3.5 дюйми, твердий диск, названий «Edisk»'ом.

[ред.] ШвидкістьФлеш-пам'ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам'яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення:

150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024:

15 000Кб ÷ 1024 = 14.65 Мб/с Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.

[ред.] Пошкодження інформації та її відновленняНайбільшою поширеною помилкою втрати інформації картки флеш-пам'яті є те, що її витягують із пристрою, коли інформація ще продовжується писатись. Ситуація погіршується, якщо використовувати несумісні файлові системи, що не розроблені для приладів, які виймаються, або якщо існує асинхронізація (коли інформація ще стоїть в черзі на запис, а в той момент відключають пристрій).

В деяких випадках можливо відновити інформацію з флеш пам'яті. Евристичний метод та метод Грубого втручання є прикладами відновлення, які можуть повернути загальну інформацію, збережену на карті флеш пам'яті.

Отримано з https://wiki.cusu.edu.ua/index.php?title=Вікі_ЦДУ:Поточні_події&oldid=120256