Відмінності між версіями «Площинний транзистор»
3490333 (обговорення • внесок) |
3490333 (обговорення • внесок) |
||
| Рядок 5: | Рядок 5: | ||
==Історична довідка== | ==Історична довідка== | ||
| − | + | Винахід транзистора | |
| + | Першою відомою спробою створення кристалічного підсилювача в США зробив німецький фізик Юліус Лілієнфельд, що запатентував в 1930, 1932 і 1933 рр.. три варіанти підсилювача на основі сульфіду міді. У 1935 р. німецький у чений Оскар Хейл отримав британський патент на підсилювач на основі пятиокиси ванадію. У 1938 р. німецький фізик Поль створив діючий зразок кристалічного підсилювача на нагрітому кристалі броміду калію. | ||
| + | |||
| + | У червні 1948 р. (до оприлюднення транзистора) виготовили свій варіант точкового германієвого тріода, названий ними транзітроном, що жили тоді у Франції німецькі фізики Роберт Поль і Рудольф Хілш. | ||
| + | На початку 1949 р. було організовано виробництво транзисторів, застосовувалися вони у телефонному обладнанні, причому працювали краще і довше американських транзисторів. | ||
| + | |||
| + | У 1955 р. почалося промислове виробництво транзисторів на заводі «Світлана» в Ленінграді, а при заводі створено ОКБ з розробки напівпровідникових приладів. У 1956 р. московський НДІ-311 з досвідченим заводом перейменований в НДІ «Сапфір» із заводом «Оптрон» і переорієнтований на розробку напівпровідникових діодів і тиристорів. Протягом 50-х років в країні були розроблені ряд нових технологій виготовлення площинних транзисторів. | ||
==Технічні характеристики== | ==Технічні характеристики== | ||
Версія за 17:57, 24 травня 2017
Зміст
Загальний опис (принцип дії) САЛАБУТІН О. 31 група
Розмістіть тут короткий опис експонату та принцип його дії
Історична довідка
Винахід транзистора Першою відомою спробою створення кристалічного підсилювача в США зробив німецький фізик Юліус Лілієнфельд, що запатентував в 1930, 1932 і 1933 рр.. три варіанти підсилювача на основі сульфіду міді. У 1935 р. німецький у чений Оскар Хейл отримав британський патент на підсилювач на основі пятиокиси ванадію. У 1938 р. німецький фізик Поль створив діючий зразок кристалічного підсилювача на нагрітому кристалі броміду калію.
У червні 1948 р. (до оприлюднення транзистора) виготовили свій варіант точкового германієвого тріода, названий ними транзітроном, що жили тоді у Франції німецькі фізики Роберт Поль і Рудольф Хілш. На початку 1949 р. було організовано виробництво транзисторів, застосовувалися вони у телефонному обладнанні, причому працювали краще і довше американських транзисторів.
У 1955 р. почалося промислове виробництво транзисторів на заводі «Світлана» в Ленінграді, а при заводі створено ОКБ з розробки напівпровідникових приладів. У 1956 р. московський НДІ-311 з досвідченим заводом перейменований в НДІ «Сапфір» із заводом «Оптрон» і переорієнтований на розробку напівпровідникових діодів і тиристорів. Протягом 50-х років в країні були розроблені ряд нових технологій виготовлення площинних транзисторів.
Технічні характеристики
Технічні характеристики
Сфера застосування
Опишіть сфери, способи та результати застосування експонату. Вкажіть при цьому часові інтервали застосування
Фото, відео-матеріали
Тут розмістіть власні фото або фото з відкритих джерел, а також посилання на відео
