Відмінності між версіями «Варикап»
3445118 (обговорення • внесок) |
3445118 (обговорення • внесок) |
||
| (не показано одну проміжну версію цього учасника) | |||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | + | [[Файл:Варикап.jpg|міні|праворуч|Варикап]] | |
| − | '' | + | '''''Варикап''''' - це напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність ємності від величини зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент з електрично керованою ємністю. |
| − | + | Напівпровідниковий діод володіє дифузійною і бар'єрною ємностями. У якості варикапів використовують тільки діоди при зворотному зміщенні яких виявляється тільки ''бар'єрна ємність''. | |
| − | + | Якщо до діода прикласти зворотну напругу, то висота потенційного бар'єра зросте на величину прикладеної напруги , зросте і напруженість електричного поля на електронно- дірковиму переході. | |
| − | + | Зовнішня зворотна напруга відштовхує носії углиб напівпровідника. У результаті відбувається розширення PN переходу. Зміна зворотної напруги, прикладеної до переходу, приводить до зміни бар'єрної ємністі між Р і N областями. | |
| − | + | Зміна зворотної напруги приводить до зміни бар'єрної ємності. Величина бар'єрної ємності визначається по формулі: | |
| − | + | Сб=εS/4Pid, (7.1) | |
| + | |||
| + | де ε - відносна діелектрична проникність матеріалу; | ||
| + | |||
| + | S – площа PN переходу | ||
| + | |||
| + | d - ширина PN переходу. | ||
| + | |||
| + | Основною характеристикою варикапа є залежність його ємності від величини зворотної напруги (вольтфарадна характеристика). | ||
| + | |||
| + | Величина номінальної ємності варикапа може змінюватися в межах від 10х-100х пФ. | ||
| + | |||
| + | Параметри варикапа: | ||
| + | |||
| + | - ємність варикапа; | ||
| + | |||
| + | - коефіцієнт перекриття по місткості; | ||
| + | |||
| + | - добротність варикапа; | ||
| + | |||
| + | - максимально допустима; | ||
| + | |||
| + | - температурний коефіцієнт ємності; | ||
| + | |||
| + | - максимально допустима потужність. | ||
| + | |||
| + | Варикапи застосовуються в схемах з електронною настройкою коливальних контурів. Контур утворений індуктивністю і ємністтю варикапа. | ||
''[[Напівпровідниковий діод | <—повернутися до попередньої сторінки]]'' | ''[[Напівпровідниковий діод | <—повернутися до попередньої сторінки]]'' | ||
Поточна версія на 10:06, 23 травня 2017
Варикап - це напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність ємності від величини зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент з електрично керованою ємністю.
Напівпровідниковий діод володіє дифузійною і бар'єрною ємностями. У якості варикапів використовують тільки діоди при зворотному зміщенні яких виявляється тільки бар'єрна ємність.
Якщо до діода прикласти зворотну напругу, то висота потенційного бар'єра зросте на величину прикладеної напруги , зросте і напруженість електричного поля на електронно- дірковиму переході.
Зовнішня зворотна напруга відштовхує носії углиб напівпровідника. У результаті відбувається розширення PN переходу. Зміна зворотної напруги, прикладеної до переходу, приводить до зміни бар'єрної ємністі між Р і N областями.
Зміна зворотної напруги приводить до зміни бар'єрної ємності. Величина бар'єрної ємності визначається по формулі:
Сб=εS/4Pid, (7.1)
де ε - відносна діелектрична проникність матеріалу;
S – площа PN переходу
d - ширина PN переходу.
Основною характеристикою варикапа є залежність його ємності від величини зворотної напруги (вольтфарадна характеристика).
Величина номінальної ємності варикапа може змінюватися в межах від 10х-100х пФ.
Параметри варикапа:
- ємність варикапа;
- коефіцієнт перекриття по місткості;
- добротність варикапа;
- максимально допустима;
- температурний коефіцієнт ємності;
- максимально допустима потужність.
Варикапи застосовуються в схемах з електронною настройкою коливальних контурів. Контур утворений індуктивністю і ємністтю варикапа.
