|
|
| (не показано 23 проміжні версії 3 учасників) |
| Рядок 1: |
Рядок 1: |
| − | <[[Історія комп'ютерної техніки]]
| + | {{Загальне меню для довідників користувача |
| | + | |головна= Музей історії техніки |
| | + | |категорія= Історія комп'ютерної техніки |
| | + | |підкатегорія= Історія комп'ютерної техніки/Оперативна пам’ять |
| | + | |розділ= <!-- назва сторінки розділу довідника --> |
| | + | |підрозділ= <!-- назва сторінки підрозділу довідника --> |
| | + | }} |
| | + | |
| | =Мікросхеми пам'яті статичного типу= | | =Мікросхеми пам'яті статичного типу= |
| − | ===Мікросхема пам’яті КР537РУ10===
| + | [[Мікросхема пам’яті КР537РУ10]] |
| − | Мікросхема КР537РУ10 являє собою оперативний запам’ятовуючий пристрій статичного типу, виготовлений за технологією КМОН (CMOS). Інформаційна ємкість 2 КБ (2048×8 біт). Час доступу 180 нс.
| + | |
| | | | |
| − | Випускається ВАТ "ІНТЕГРАЛ", м. Мінськ, Республіка Білорусь. Корпус 239.24-2 (24-pin DIP) має 24 виводи. Містить 100 тис. транзисторів.
| + | [[Мікросхема пам’яті W24257AK-15]] |
| − | | + | |
| − | В режимі очікування споживає 0,4 мА, в динамічному режимі максимально 60 мА. Може зберігати інформацію при зниженні напруги до 2 В. Робоча температура –10…+70 °С.
| + | |
| − | | + | |
| − | ===Мікросхема пам’яті W24257AK-15===
| + | |
| − | W24257AK-15 це мікросхема швидкісної пам’яті статичного типу на основі технології CMOS з низьким споживанням енергії. Має інформаційну ємкість 32 КБ (32768 x 8 біт). Час доступу 15 нс.
| + | |
| − | | + | |
| − | Всі входи і виходи TTL-сумісні. Виходи мають третій стан.
| + | |
| − | | + | |
| − | Корпус 28-pin skinny DIP (худий DIP), випускається також в інших корпусах (SOJ, SOP, TSOP).
| + | |
| − | | + | |
| − | Живиться від одного джерела +5В, споживає в режимі очікування 10 мА, максимально до 150 мА. Типова потужність 400 мВт. Робоча температура 0…+70 ºC.
| + | |
| | | | |
| | =Модулі пам'яті динамічного типу= | | =Модулі пам'яті динамічного типу= |
| − | '''Нога, 16 група'''
| |
| − | ===SIMM-30===
| |
| − | Модулі SIMM були розроблені і запатентовані в 1983 році компанією Wang Laboratories. Спочатку модулі були керамічними і мали штирі.
| |
| | | | |
| − | Перші 30-контактні модулі мали обсяг від 64 Кбайт до 16 Мбайт і восьмирозрядну шину даних, іноді доповнювалися дев'ятою лінією контролю парності. Застосовувались в комп'ютерах з ЦП Intel 8088, 286, 386. На материнських платах з процесорами 8088, модулі ставилися по одному, з процесорами 286, 386SX модулі ставилися парами, на 386DX - по чотири модулі однаковою ємкості.
| + | [[SIMM-30]] |
| | | | |
| − | У модулях використовувалися мікросхем динамічної пам'яті FPM (Fast Page Mode). Стандартні значення обсягу пам'яті модулів: 64 КБ, 256 КБ, 1 МБ, 4 МБ, 16 МБ. Фізичні розміри модуля: 89x13 або 89x25 мм. Контакти розташовані з кроком 0.1" (2,54 мм).
| + | [[SIMM-72]] |
| | | | |
| − | ''Наявні 6 модулів, побудовані на мікросхемах BV4100 T9444-7 + 9435HCK.''
| + | [[SDRAM DIMM]] |
| | | | |
| − | ===SIMM-72===
| + | [[DDR DIMM (Corsair 1GB DDR VS1GB400C3)]] |
| − | 72-контактні модулі з'явилися на початку 1990-х на брендових комп'ютерах (Compaq, HP, Acer та ін.) в епоху процесорів 486, і практично на всіх материнських платах з переходом на Pentium. 72-контактний модуль SIMM, по суті, об'єднав чотири 30-контактних модулі із загальними лініями адреси і окремими лініями даних. Таким чином, модуль стає 32-розрядним. Обсяг від 1 до 64 Мбайт.
| + | |
| | | | |
| − | У модулях використовувалися мікросхем динамічної пам'яті FPM (Fast Page Mode) та EDO (Extended Data Out). Стандартні значення обсягу пам'яті модулів: 1 МБ, 2 МБ, 4 МБ, 8 МБ, 16 МБ, 32 МБ, 64 МБ, 128 МБ. Фізичні розміри модуля 108x25 мм, іноді 108x39 мм. Контакти розташовані з кроком 0.05" (1,27 мм). Між вивідами 36 і 37 знаходиться виріз (ключ) для правильної установки.
| + | [[DDR2 SO-DIMM (Hynix 1GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400)]] |
| | | | |
| − | ''Наявні 4 модулі на мікросхемах ACT 9635Y TM417400HJ-6 та Z417400 + BP44C 4001-6'' | + | =Мікросхеми постійної пам'яті= |
| | + | [[Мікросхема ПЗП КС573РФ2]] |
| | | | |
| − | '''Євенко, 16 група'''
| |
| | | | |
| − | ===SDRAM DIMM===
| |
| − | [[Файл:SDRAM DIMM.jpg|міні]]
| |
| − | SDRAM – тип динамічної пам’яті, яка працює синхронно з контролером пам’яті, завдяки чому усуваються такти очікування, характерні для асинхронної пам’яті. Перші комерційні зразки модулів SDRAM були представлені Samsung у 1993 році, до 2000-го року вони стали наймасовішими.
| |
| | | | |
| − | Матриця пам’яті SDRAM поділяється на кілька банків, завдяки чому можлива конвеєризація вхідних команд, які почергово звертаються до різних банків, тому загальна швидкість обробки даних зростає. Ефективність SDRAM значно вища, ніж FPM та EDO.
| |
| − |
| |
| − | Модулі SDRAM DIMM мають 168 виводів, 64 з яких займає шина даних. Вони працюють на частотах: 66, 100 та 133 МГц, що забезпечує швидкість передачі даних 533, 800 та 1066 МБ/с.
| |
| − |
| |
| − | Модулі DIMM підтримують автоматичну ідентифікацію SPD (Serial Presence Detect).
| |
| − |
| |
| − | ''Наявні 10 неідентифікованих модулів SDRAM DIMM стандарту PC133.''
| |
| − |
| |
| − | ===DDR DIMM===
| |
| − | [[Файл:VS1GB400C3.jpg|міні]]
| |
| − | Пам’ять з подвійною швидкістю передачі даних DDR – новий тип пам’яті SDRAM, яка дебютувала у відеокартах NVIDIA в кінці 1999 року, а з 2000 року почала використовуватись і в материнських платах.
| |
| − |
| |
| − | DDR (Double Data Rate) відрізняється тим, що дані передаються двічі за цикл: по фронту і спаду тактового сигналу. Це досягається завдяки поділу модуля на 4 банки та збільшеній у два рази внутрішній шині даних (архітектура 2n-prefetch).
| |
| − |
| |
| − | Швидкодію модулів DDR визначають за частотою передачі даних. Випускали модулі DDR200, DDR266, DDR333, DDR400 (частота шини 100, 133, 166 та 200 МГц відповідно). Поширені також позначення PC1600, PC2100, PC2700, PC3200, які виражають пропускну здатність модулів у МБ/с.
| |
| − |
| |
| − | Пам’ять DDR SDRAM випускається у вигляді 184-контактних модулів DIMM з одним ключовим пазом. Напруга живлення 2,5 В.
| |
| − |
| |
| − | ''Наявний модуль DDR DIMM Corsair 1GB DDR Memory (VS1GB400C3)''
| |
| − |
| |
| − | Джерело: [https://www.pctechguide.com/computer-memory/ddr-sdram-explained DDR SDRAM explained]
| |
| − |
| |
| − | =Мікросхеми постійної пам'яті=
| |
| − | ===Мікросхема ПЗП КС573РФ2===
| |
| − | [[Файл:КС573РФ2.jpg|міні]]
| |
| − | Перепрограмований запам’ятовуючий пристрій (EPROM) з ультрафіолетовим стиранням надає можливість довготривалого зберігання інформації при включеному та виключеному живленні.
| |
| | | | |
| − | Призначений для роботи в блоках пам’яті обчислювальних пристроїв для зберігання програмного коду та масивів констант.
| |
| − | ПЗП може зберігати 2 КБ даних не менше 100 тис. годин. Час доступу 450 нс. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим опромінюванням з довжиною хвилі 253,7 нм. Витримує не менше 100 циклів перепрограмування.
| |
| | | | |
| − | За вхідними та вихідними сигналами сумісний з TTL-системами. Напруга живлення 5 В. Працює при температурі –60…+85 ºC. Корпус 2120.24-12. Термін зберігання 25 років.
| + | [[Категорія:Музей історії техніки]] |
