Відмінності між версіями «Пам'ять DDR3 SDRAM. СПК»
| (не показані 5 проміжних версій 3 учасників) | |||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | |||
| − | |||
[[Файл:DDR3_SDRAM_19_11_13.jpg|thumb|300px]] | [[Файл:DDR3_SDRAM_19_11_13.jpg|thumb|300px]] | ||
| + | {{Меню для довідника користувача НОП}} | ||
DDR3 SDRAM синхронна динамічна пам'ять із довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних, третє покоління — це тип оперативної пам'яті, що використовується в обчислювальній техніці в якості оперативної та відео- пам'яті. Прийшла на зміну пам'яті типу DDR2 SDRAM. | DDR3 SDRAM синхронна динамічна пам'ять із довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних, третє покоління — це тип оперативної пам'яті, що використовується в обчислювальній техніці в якості оперативної та відео- пам'яті. Прийшла на зміну пам'яті типу DDR2 SDRAM. | ||
| Рядок 8: | Рядок 7: | ||
Існують DDR3L (L означає Low) з ще більш зниженим енергоспоживанням до 1,35 В. Це менше традиційних DDR3 на 10%. У 2012 році було повідомлено про вихід пам'яті DDR3L-RS для смартфонів. Мікросхеми пам'яті DDR3 виробляються виключно в корпусах типу BGA. | Існують DDR3L (L означає Low) з ще більш зниженим енергоспоживанням до 1,35 В. Це менше традиційних DDR3 на 10%. У 2012 році було повідомлено про вихід пам'яті DDR3L-RS для смартфонів. Мікросхеми пам'яті DDR3 виробляються виключно в корпусах типу BGA. | ||
| − | + | ==Можливості мікросхем DDR3 SDRAM== | |
| + | |||
| + | * Функція асинхронного скидання з окремим контактом | ||
| + | * Підтримка компенсації часу готовності на системному рівні | ||
| + | * Дзеркальне розташування контактів , зручне для складання модулів | ||
| + | * Виконання CAS Write Latency за такт | ||
| + | * Вбудована термінация даних | ||
| + | * Вбудована калібрування введення / виводу ( моніторинг часу готовності і коректування рівнів) | ||
| + | * Автоматичне калібрування шини даних | ||
| + | |||
| + | ==Сумісність== | ||
| + | Модулі DIMM з пам'яттю DDR3 , що мають 240 контактів, не сумісні з модулями пам'яті DDR2 електрично і механічно. Ключ розташований в іншому місці, тому модулі DDR3 не можуть бути встановлені в слоти DDR2, зроблено це з метою запобігання помилкової установки одних модулів замість інших і їх можливого пошкодження внаслідок неспівпадання електричних параметрів. | ||
| − | + | У перехідний період виробники випускали материнські плати, які підтримували установку і модулів DDR2, і DDR3, маючи відповідні роз'єми (слоти ) під кожен з двох типів, але одночасна робота модулів різних типів не допускається. | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | [[Файл:ddr2_vs_ddr3_19_11_13.jpg|thumb|200px|DDR2 vs DDR3]] | |
| − | + | ==Переваги та недоліки== | |
| + | ===Переваги в порівнянні з DDR2=== | ||
*Велика пропускна здатність (до 17066 МБ / с) | *Велика пропускна здатність (до 17066 МБ / с) | ||
*Менше енергоспоживання | *Менше енергоспоживання | ||
| − | + | ===Недоліки в порівнянні з DDR2=== | |
*Більш висока CAS-латентність (компенсується більшою пропускною здатністю) | *Більш висока CAS-латентність (компенсується більшою пропускною здатністю) | ||
Поточна версія на 18:53, 9 листопада 2014
|
DDR3 SDRAM синхронна динамічна пам'ять із довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних, третє покоління — це тип оперативної пам'яті, що використовується в обчислювальній техніці в якості оперативної та відео- пам'яті. Прийшла на зміну пам'яті типу DDR2 SDRAM.
В DDR3 зменшено на 40% споживання енергії порівняно з модулями DDR2 SDRAM, що обумовлено зменшеною (1,5 В, в порівнянні з 1,8 В для DDR2 SDRAM та 2,5 В для DDR-SDRAM) напругою живлення гнізд пам'яті.
Існують DDR3L (L означає Low) з ще більш зниженим енергоспоживанням до 1,35 В. Це менше традиційних DDR3 на 10%. У 2012 році було повідомлено про вихід пам'яті DDR3L-RS для смартфонів. Мікросхеми пам'яті DDR3 виробляються виключно в корпусах типу BGA.
Зміст
Можливості мікросхем DDR3 SDRAM
- Функція асинхронного скидання з окремим контактом
- Підтримка компенсації часу готовності на системному рівні
- Дзеркальне розташування контактів , зручне для складання модулів
- Виконання CAS Write Latency за такт
- Вбудована термінация даних
- Вбудована калібрування введення / виводу ( моніторинг часу готовності і коректування рівнів)
- Автоматичне калібрування шини даних
Сумісність
Модулі DIMM з пам'яттю DDR3 , що мають 240 контактів, не сумісні з модулями пам'яті DDR2 електрично і механічно. Ключ розташований в іншому місці, тому модулі DDR3 не можуть бути встановлені в слоти DDR2, зроблено це з метою запобігання помилкової установки одних модулів замість інших і їх можливого пошкодження внаслідок неспівпадання електричних параметрів.
У перехідний період виробники випускали материнські плати, які підтримували установку і модулів DDR2, і DDR3, маючи відповідні роз'єми (слоти ) під кожен з двох типів, але одночасна робота модулів різних типів не допускається.
Переваги та недоліки
Переваги в порівнянні з DDR2
- Велика пропускна здатність (до 17066 МБ / с)
- Менше енергоспоживання
Недоліки в порівнянні з DDR2
- Більш висока CAS-латентність (компенсується більшою пропускною здатністю)
Загальні рекомендації з вибору оперативної пам'яті
- Число модулів оперативної пам'яті повинно бути кратне числу каналів оперативної пам'яті
- Моделі модулів повинні бути ідентичні
- Що краще брати, одиночні модулі або кити?
- Що краще брати - пам'ять з радіаторами або без них?
- Рекомендований обсяг оперативної пам'яті на 2013-й рік - 8-16Гб
