Користувач:3141922 - Історія редагувань

3141922 в 20:21, 10 листопада 2020

2020-11-10T20:21:35Z

3141922 в 19:37, 10 листопада 2020

2020-11-10T19:37:12Z

3141922: /* Про себе */

2018-04-01T18:02:37Z

‎Про себе

3141922: /* Мої роботи */

2018-04-01T17:39:19Z

‎Мої роботи

3141922: Скасування редагування № 313825 користувача 3141922 (обговорення)

2018-04-01T17:38:26Z

Скасування редагування № 313825 користувача 3141922 (обговорення)

3141922: /* Мої роботи */

2018-04-01T17:37:41Z

‎Мої роботи

3141922: Скасування редагування № 313813 користувача 3141922 (обговорення)

2018-04-01T17:36:27Z

Скасування редагування № 313813 користувача 3141922 (обговорення)

3141922 в 17:35, 1 квітня 2018

2018-04-01T17:35:46Z

3141922: Замінено вміст на « '''''Коваленко Олена Валентинівна''''' == Про себе == ... Файл:1453121914171814505.j...»

2018-04-01T17:34:44Z

Замінено вміст на « '''''<font color='red' size=6>Коваленко Олена Валентинівна</font>''''' == Про себе == ... Файл:1453121914171814505.j...»

3141922: /* Мої роботи */

2018-04-01T17:32:57Z

‎Мої роботи

@@ Рядок 6: / Рядок 6: @@
 ...
 [[Файл:1453121914171814505.jpg|міні]]
   Навчаюся в групі [[МЕ17Б (математика та економіка 2017 рік вступу)]]
@@ Рядок 18: / Рядок 19: @@
 [[Флеш-пам'ять та її використання(Коваленко)]]

← Попередня версія		Версія за 19:37, 10 листопада 2020
Рядок 18:		Рядок 18:

	[[Флеш-пам'ять та її використання(Коваленко)]]		[[Флеш-пам'ять та її використання(Коваленко)]]
		+	[[Інформатика у США]]

@@ Рядок 6: / Рядок 6: @@
 ...
 [[Файл:1453121914171814505.jpg|міні]]
 == Мої інтереси ==

← Попередня версія		Версія за 17:39, 1 квітня 2018
Рядок 15:		Рядок 15:

	== Мої роботи ==		== Мої роботи ==
−	~~В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні~~ та ~~зовнішні~~)~~на ваші роботи, додається короткий опис.~~	+
		+	[[Флеш-пам'ять та її використання(Коваленко)]]

@@ Рядок 14: / Рядок 14: @@
 В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.
-[[Флеш-пам'ять та її використання]]== Мої роботи ==
+== Мої роботи ==
 В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.

← Попередня версія		Версія за 17:35, 1 квітня 2018
Рядок 12:		Рядок 12:

	== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==		== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
		+	В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.
		+
		+	[[Флеш-пам'ять та її використання(Коваленко)]]== Мої роботи ==
		+	В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.
		+	Флеш-па́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
		+
		+	На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
		+	Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.
		+
		+	У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.
		+
		+	Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.
		+
		+	Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотної, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.
		+
		+	У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.
		+
		+	NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.
		+
		+	Тоді, коли розробники збільшують щільність флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

← Попередня версія		Версія за 17:34, 1 квітня 2018
Рядок 12:		Рядок 12:

	== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==		== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
−	~~В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.~~
−
−	~~[[Флеш-пам'ять та її використання(Коваленко)]]== Мої роботи ==~~
−	~~В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.~~
−	Флеш-па́м'ять — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
−
−	На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чип повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
−	Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.
−
−	У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.
−
−	Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.
−
−	Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотної, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.
−
−	У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.
−
−	NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.
−
−	Тоді, коли розробники збільшують щільність флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.