Перегляд вихідного коду сторінки Площинний транзистор


[[Файл:Emblema-MIT.png|80px|справа]]
==Загальний опис (принцип дії) САЛАБУТІН О. 31 група==
Транзистор являє собою двухпереходний прилад. Переходи утворюються на кордонах тих трьох шарів, з яких складається транзистор. Контакти з зовнішніми електродами - омические. Залежно від типу провідності крайніх шарів розрізняють транзистори и  зі взаємно протилежними робочими полярностями, що не має аналогії в лампової техніки. Щоб не дублювати всіх міркувань і висновків, в подальшому будемо розглядати тільки транзистори  .

Принцип роботи транзистора полягає  в тому, що пряма напруга еміттерного переходу, тобто ділянки бази — емітер (U6-е), істотно впливає на струми емітера і колектора: чим більша напруга, тим більші струми еміттера і колектора. При цьому зміна струму колектора лише незначно менша змін струму еміттера. Таким чином, напруга U6-е , тобто вхідна напруга, управляє струмом колектора. Посилення електричних коливань за допомогою транзистора засноване саме на цьому явищі.

==Історична довідка==
Винахід транзистора

У 1935 р. німецький у чений Оскар Хейл отримав британський патент на підсилювач на основі пятиокиси ванадію. У 1938 р. німецький фізик Поль створив діючий зразок кристалічного підсилювача на нагрітому кристалі броміду калію. Площинний транзистор, розроблений в 1949-1950 рр. американським фізиком В. Шоклі.

У червні 1948 р. (до оприлюднення транзистора) виготовили свій варіант точкового германієвого тріода, названий ними транзітроном, що жили тоді у Франції німецькі фізики Роберт Поль і Рудольф Хілш.
На початку 1949 р. було організовано виробництво транзисторів, застосовувалися вони у телефонному обладнанні, причому працювали краще і довше американських транзисторів.

У 1955 р. почалося промислове виробництво транзисторів на заводі «Світлана» в Ленінграді, а при заводі створено ОКБ з розробки напівпровідникових приладів. У 1956 р. московський НДІ-311 з досвідченим заводом перейменований в НДІ «Сапфір» із заводом «Оптрон» і переорієнтований на розробку напівпровідникових діодів і тиристорів. Протягом 50-х років в країні були розроблені ряд нових технологій виготовлення площинних транзисторів.

==Технічні характеристики==
Технічні характеристики

==Сфера застосування ==
Опишіть сфери, способи та результати застосування експонату. Вкажіть при цьому часові інтервали застосування

==Фото, відео-матеріали==
[[Файл:6358585604407957971879358.png|6358585604407957971879358.png]]




[[Файл:I.jpg|I.jpg]]




[[Файл:Трев.jpg|Трев.jpg]]

==Список використаних джерел==

 [[Категорія:Музей історії техніки]]