Вікі ЦДУ - Внесок користувача [uk]

Обговорення:Проект "Міфи і реальність про комп’ютерні віруси", Кузьменко В.І., факультет історія та права, 11 група

2016-10-18T07:54:44Z

3429969: Створена сторінка: Я вважаю, що стаття є інформативною та повчальною . Вона дає змогу оволодіти знаннями з...

Я вважаю, що стаття є інформативною та повчальною . Вона дає змогу оволодіти знаннями з теми : "Міфи і реальність про комп’ютерні віруси". Немає жодного зауваження.
--[[Користувач:3429969|Мала К.А.]] ([[Обговорення користувача:3429969|обговорення]]) 10:54, 18 жовтня 2016 (EEST)

Обговорення:Проект "Стратегії пошуку відомостей в інтернеті" Малінович В., факультет історії та права, 11 група

2016-10-18T07:50:55Z

3429969:

На мою думку, ця стаття є дуже інформативною і виконана правильно . Завдяки інформації , що розміщена тут я оволоділа знаннями з приводу Стратегії пошуку відомостей в інтернеті.
--[[Користувач:3429969|Мала К.А.]] ([[Обговорення користувача:3429969|обговорення]]) 10:50, 18 жовтня 2016 (EEST)

Обговорення:Проект "Стратегії пошуку відомостей в інтернеті" Малінович В., факультет історії та права, 11 група

2016-10-18T07:50:18Z

3429969: Створена сторінка: На мою думку, ця стаття є дуже інформативною і виконана правильно . Завдяки інформації ,...

Користувач:3429969

2016-10-14T07:45:18Z

3429969: /* Про себе */

'''''Мала Карина Артемівна'''''

== Про себе ==

У 2016 році закінчила Загальноосвітню школу ІІ-ІІІст. №10 Кіровоградської міської ради,Кіровградської області, і вступила до Державного Педагогічного Університему ім. Володимира Винниченка на факультет історії та права . Студентка 11 групи
[[Файл:[[Файл:Vqyu1Btpq-8.jpg|міні]]|міні]]

== Мої інтереси ==
Я багатостороння особистість,а це значить інтересів у мене багато і вони всі різні. Цікавлюсь. спотром,книгами,музикою,фільмами,серіалами ,звичайно історією.

== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
[[Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група]]

== Мої роботи ==
В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.

Файл:Vqyu1Btpq-8.jpg

2016-10-14T07:44:51Z

3429969:

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-11T09:04:19Z

3429969:

<big>'''''
== Флеш-па́м'ять ==

'''Флеш-па́м'ять''' — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чіп повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
[[Файл:1cj.jpg|міні]]

== '''<big>'''Огляд'''</big>''' ==

Флеш пам'ять — це один з типів пам'яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам'ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам'яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам'яті, виконані з використанням флеш пам'яті (наприклад, карти пам'яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).

== '''<big>'''Принцип дії'''</big>''' ==

Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.

У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.

Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.

Тоді, коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

== '''<big>'''Швидкість'''</big>''' ==

Флеш-пам'ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам'яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення: 150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с
Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024: 15 000Кб ÷ 1024 = 14.65 Мб/с [[Файл:4g.gif|міні]]

Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.

== '''<big>'''Виробники флеш пам'яті'''</big>''' ==

Samsung, Intel, Atmel, Qimonda, STMicroelectronics, Spansion, Sharp Corporation, Toshiba, Sandisk, Micron Technology, SimpleTech, Kingston Technology, Hynix, Winbond, Excel Semiconductor, SST, Macronix, Lexar, Eon Silicon Solution Inc. (ESSI), AMIC Technology

<gallery>
Файл:Erhdry.jpg | Різноманітність флеш-пам'яті
Файл:Etjdt.jpg
Файл:Zdj.jpg
</gallery>

== Використані ресурси ==

[https://www.google.com.ua/search?q=%D1%84%D0%BB%D0%B5%D1%88+%D0%BF%D0%B0%D0%BC%D1%8F%D1%82%D1%8C&tbm=isch&tbo=u&source=univ&sa=X&ved=0ahUKEwiIoYfmrtLPAhVFFywKHTRQC6AQsAQIVA&biw=1024&bih=616 Зображення флеш пам'яті]

[http://hobbyits.com/cifrovye-texnologii/princip-raboty-i-ustrojstvo-flesh-pamyati.html Принцип роботи флеш-пам'яті ]

[http://www.refine.org.ua/pageid-5410-1.html флеш-пам'ять ]

[[Користувач:3429969|Повернутися на сторінку автора ]]

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-11T08:57:17Z

3429969:

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-11T08:42:38Z

3429969: /* Виробники флеш пам'яті */

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-11T08:41:31Z

3429969:

<big>'''''
== Флеш-па́м'ять ==

'''Флеш-па́м'ять''' — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чіп повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
[[Файл:1cj.jpg|міні]]

== '''<big>'''Огляд'''</big>''' ==

Флеш пам'ять — це один з типів пам'яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам'ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам'яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам'яті, виконані з використанням флеш пам'яті (наприклад, карти пам'яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).

== '''<big>'''Принцип дії'''</big>''' ==

Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.

У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.

Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.

Тоді, коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

== '''<big>'''Швидкість'''</big>''' ==

Флеш-пам'ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам'яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення: 150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с
Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024: 15 000Кб ÷ 1024 = 14.65 Мб/с [[Файл:4g.gif|міні]]

Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.

== '''<big>'''Виробники флеш пам'яті'''</big>''' ==

Samsung, Intel, Atmel, Qimonda, STMicroelectronics, Spansion, Sharp Corporation, Toshiba, Sandisk, Micron Technology, SimpleTech, Kingston Technology, Hynix, Winbond, Excel Semiconductor, SST, Macronix, Lexar, Eon Silicon Solution Inc. (ESSI), AMIC Technology

<gallery>
Файл:Erhdry.jpg Різноманітність флеш-пам'яті
Файл:Etjdt.jpg
Файл:Zdj.jpg
</gallery>

Файл:Zdj.jpg

2016-10-11T08:40:17Z

3429969:

Файл:Etjdt.jpg

2016-10-11T08:39:42Z

3429969:

Файл:L.jpg

2016-10-11T08:38:16Z

3429969: 3429969 завантажив нову версію «Файл:L.jpg»

Файл:Erhdry.jpg

2016-10-11T08:37:19Z

3429969:

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-10T15:57:31Z

3429969: /* Швидкість */

Файл:4g.gif

2016-10-10T15:56:41Z

3429969:

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-04T09:22:31Z

3429969:

<big>'''''
== Флеш-па́м'ять ==

'''Флеш-па́м'ять''' — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чіп повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.
[[Файл:1cj.jpg|міні]]

== '''<big>'''Огляд'''</big>''' ==

Флеш пам'ять — це один з типів пам'яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам'ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам'яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам'яті, виконані з використанням флеш пам'яті (наприклад, карти пам'яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).

== '''<big>'''Принцип дії'''</big>''' ==

Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.

У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.

Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.

Тоді, коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

== '''<big>'''Швидкість'''</big>''' ==

Флеш-пам'ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам'яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення: 150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с
Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024: 15 000Кб ÷ 1024 = 14.65 Мб/с
Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.

== '''<big>'''Виробники флеш пам'яті'''</big>''' ==

Samsung, Intel, Atmel, Qimonda, STMicroelectronics, Spansion, Sharp Corporation, Toshiba, Sandisk, Micron Technology, SimpleTech, Kingston Technology, Hynix, Winbond, Excel Semiconductor, SST, Macronix, Lexar, Eon Silicon Solution Inc. (ESSI), AMIC Technology

Файл:1cj.jpg

2016-10-04T09:18:21Z

3429969:

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-04T09:01:22Z

3429969:

<big>'''''
== Флеш-па́м'ять ==
'''''</big>

'''Флеш-па́м'ять''' — це тип довготривалої комп'ютерної пам'яті, вміст якої можна видалити чи перепрограмувати електричним методом.
На відміну від англ. Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory, дії стирання виконуються лише блоками, на які розділений весь об'єм флеш-пам'яті. У перших розробках флеш-пам'яті весь об'єм складався лише з одного блока, її чіп повинен був очищуватись повністю за один раз. При значно меншій ціні та значно більших об'ємах флеш-пам'яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією у випадку, коли необхідно довготривале, стійке збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші: від цифрових аудіоплеєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш-пам'ять також використовується в USB флеш-дисках («пальчикового» або «переносного диску»), які зазвичай використовуються для збереження та передавання даних між двома комп'ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM'и чи залежну від живлення SDRAM пам'ять для збереження інформації щодо прогресу гри.

== '''<big>'''Огляд'''</big>''' ==

Флеш пам'ять — це один з типів пам'яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію, зовсім не використовуючи живлення. Крім цього, флеш-пам'ять має високу швидкість доступу до даних (хоча вона не настільки висока як у DRAM), кращий опір до зовнішніх впливів (кінетичний шок, вібрація, температура) та менше енергоспоживання, ніж у жорстких дисків. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам'яті для приладів, що залежать від батарейного живлення. Носії пам'яті, виконані з використанням флеш пам'яті (наприклад, карти пам'яті), набагато краще переносять зовнішні впливи та мають менший фізичний розмір, ніж інші носії даних (жорсткі диски, CD-ROM, DVD-ROM, магнітні стрічки).

== '''<big>'''Принцип дії'''</big>''' ==

Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка — це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.

У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший — плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vп) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vп комірки, яка в свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина порогової напруги зчитується і перекодовується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбувається за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор.

Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чипи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висока напруга створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR-пам'яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками чи секторами. Всі комірки пам'яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB-флешки.

Тоді, коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки діляться і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристики запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш-пам'яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

== '''<big>'''Швидкість'''</big>''' ==

Флеш-пам'ять доступна у декількох швидкостях. Деякі визначають швидкість приблизно в 2 Мб/с, 12 Мб/с, і т. д. Проте інші карточки просто мають рейтинг 100×, 130×, 200×, і т. д. Для таких карток за 1× беруть швидкість 150 Кб/с. Це була швидкість, якою могли передавати інформацію перші CD прилади, і її запозичили флеш картки пам'яті. Хоча коли порівнювати 100× карточку до карточки, яка передає зі швидкістю в 12 Мб/с використовують такі перетворення: 150 КБ × 100 = 15 000 Кб/с
Щоб перетворити Кб в Мб, ділимо на 1024: 15 000Кб ÷ 1024 = 14.65 Мб/с
Хоча насправді 100x картки на 2.65 Мб/с швидші, ніж картки, які вимірюються у швидкості в 12 Мб/с.

== '''<big>'''Виробники флеш пам'яті'''</big>''' ==

Samsung, Intel, Atmel, Qimonda, STMicroelectronics, Spansion, Sharp Corporation, Toshiba, Sandisk, Micron Technology, SimpleTech, Kingston Technology, Hynix, Winbond, Excel Semiconductor, SST, Macronix, Lexar, Eon Silicon Solution Inc. (ESSI), AMIC Technology

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-04T08:22:16Z

3429969:

Віршик

'''<big> Не думано,не гадано'</big>''

Не думано , не гадано

Забігла в глухомань

Де сосни пахнуть ладаном

В кадильницях світань

Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група

2016-10-04T08:21:48Z

3429969: Створена сторінка: Віршик '''<big> Не думано,не гадано'</big>'' Не думано , не гадано Забігла в глухомань Де сосни...

Віршик
'''<big>
Не думано,не гадано'</big>''

Не думано , не гадано

Забігла в глухомань

Де сосни пахнуть ладаном

В кадильницях світань

Користувач:3429969

2016-09-27T09:17:48Z

3429969:

'''''Мала Карина Артемівна'''''

== Про себе ==

У 2016 році закінчила Загальноосвітню школу ІІ-ІІІст. №10 Кіровоградської міської ради,Кіровградської області, і вступила до Державного Педагогічного Університему ім. Володимира Винниченка на факультет історії та права . Студентка 11 групи
== Мої інтереси ==
Я багатостороння особистість,а це значить інтересів у мене багато і вони всі різні. Цікавлюсь. спотром,книгами,музикою,фільмами,серіалами ,звичайно історією.

== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
[[Проект "Флеш-пам’ять та її використання", Мала К.А., факультет історії та права, 11 група]]

== Мої роботи ==
В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.

Користувач:3429969

2016-09-27T09:05:07Z

3429969:

'''''Мала Карина Артемівна'''''

== Про себе ==

У 2016 році закінчила Загальноосвітню школу ІІ-ІІІст. №10 Кіровоградської міської ради,Кіровградської області, і вступила до Державного Педагогічного Університему ім. Володимира Винниченка на факультет історії та права . Студентка 11 групи
== Мої інтереси ==
Я багатостороння особистість,а це значить інтересів у мене багато і вони всі різні. Цікавлюсь. спотром,книгами,музикою,фільмами,серіалами ,звичайно історією.

== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.

== Мої роботи ==
В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.

Користувач:3429969

2016-09-27T09:01:12Z

3429969:

'''''Мала Карина Артемівна'''''

== Про себе ==

У 2016 році закінчила Загальноосвітню школу ІІ-ІІІст. №10 Кіровоградської міської ради,Кіровградської області, і вступила до Державного Педагогічного Університему ім. Володимира Винниченка на факультет історії та права . Студентка 11 групи
== Мої інтереси ==
Я багатостороння особистість,а це значить інтересів у мене багато і вони всі різні. Цікавлюсь. спотром,книгами,музикою,,фільмами,серіалами ,звичайно історією.

== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.

== Мої роботи ==
В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.

Користувач:3429969

2016-09-27T08:51:38Z

3429969: Створена сторінка: {{subst:Шаблон:Персональна сторінка}}

'''''Прізвище, ім'я, по батькові'''''

== Про себе ==
......

== Мої інтереси ==
....

== Навчальні курси та проекти, в яких беру участь ==
В цьому розділі розміщуються посилання на проекти, в яких ви берете участь.

== Мої роботи ==
В цьому розділі розміщуються посилання (внутрішні та зовнішні)на ваші роботи, додається короткий опис.